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這篇Blog介紹了 OpticStudio 中的原生體積全像模擬功能，該功能可以在考慮其物理特性的情況下，在序列模式下對全像光柵進行全面模擬和分析。在非序列模式下也透過使用 DLL 展示了相同的功能。這些分析對於設計用於虛擬實境 (VR) 和增強實境 (AR) 的抬頭顯示器 (HUD) 和頭戴型顯示器 (HMD) 等系統非常重要。我們將介紹模型中使用的理論和參數。

我們把100個分子放入體系中，在300k和1百帕條件下釋放，并在2毫秒體系達到平衡時根據MD計算出相對介電常數。MD計算出平衡時密度為1.32 g/cm3，相對介電常數為2.92。用QSPR計算相對介電常數時顯示密度為1.38g/cm3，相對介電常數為2.93，與MD結果相近。

1.4　介孔碳 介孔碳是一類新型的非硅基介孔材料，孔徑2～50 nm，具有巨大的比表面積和孔體積，其材料特點是介孔形狀、孔徑尺寸、孔壁組成、結構和性能等可調控，因此在眾多領域具有潛在的應用價值。介孔碳的結構及儲氫模型如圖3所示。Xia等研究有序介孔碳CMK-3經CO 2活化后，在77 K、100 kPa下可以儲氫約2.27%。

為真空介電常數，F/m；σ 為電導率，S/m；向量A為磁矢勢；r為磁感應線圈截面半徑，m。

文章doi：10.1007/s00170-021-07400-z推薦理由：作者通過應變梯度塑性理論MSG與剪切修正GTN模型耦合研究了微成型過程中不同應力狀態下材料的損傷演化問題，并通過與代表不同應力狀態的拉伸試樣對比，驗證了新模型在高\低應力三軸度下均有良好的預測能力，同時發現引入的MSG耦合GTN很好的捕捉了實驗中通過SEM觀測的斷口特征，相比于原始剪切修正GTN，其預測能力在介觀尺寸更加準確

與垂直耦合相比，這種橫向電容耦合可提供更出色的匹配特性，主要是由于橫向尺寸的工藝控制更為精準，不像金屬層和介電層厚度那樣難以控制。為了提高電容密度，可以使用過孔并聯多個金屬層，形成垂直金屬壁或網格。通常，會在MOM電容器中采用金屬線寬和間距最小的最底層金屬層（如M1–M5），以最大限度地提高電容密度。

與垂直耦合相比，這種橫向電容耦合可提供更出色的匹配特性，主要是由于橫向尺寸的工藝控制更為精準，不像金屬層和介電層厚度那樣難以控制。為了提高電容密度，可以使用過孔并聯多個金屬層，形成垂直金屬壁或網格。通常，會在MOM電容器中采用金屬線寬和間距最小的最底層金屬層（如M1–M5），以最大限度地提高電容密度。

電極產生了利用介電泳效應所需的非均勻電場。下圖是該模型的幾何形狀。顆粒分離仿真 App 中使用的幾何圖形。 下部入口的入口速度（853μm/s）明顯高于上部入口速度（154μm/s），以便將所有注入的顆粒集中于上部出口。 該仿真 App 基于使用以下物理場接口的模型構建： 蠕動流(微流體模塊)用于模擬流體流動。

作者提出的是一個“兩尺度模型”。第一層是我們熟悉的晶粒尺度模擬，也就是基于有限元的晶體塑性計算。它負責求解每個晶粒、每個單元中的應力、應變、滑移量和位錯密度演化。第二層是介觀尺度模擬，用來處理普通 CP-FEM 很難直接描述的部分：位錯在晶粒內部的重新分布、由位錯堆積產生的背應力，以及位錯穿過晶界時受到的阻礙。這篇文章里，最值得關注的是它對晶界的處理。

采用計算機仿真手段，可以有效輔助優化顆粒級配模型，降低實驗成本，縮短產品開發周期。基于介尺度結構的粗粒化模型與傳統粗粒化方法相比，DEMms的EMMS-DPM 方法在保證精度的同時，極大減少計算量，提高計算效率。寬粒徑分布優化在處理寬粒徑分布的顆粒體系時，DEMms采用多重網格搜索和多重通訊算法，能夠優化計算過程，內存使用量降低一個量級，計算速度提升30%。

請注意，“全波”網格的密度明顯隨波長的減小而增大，與此同時，不論波長如何變化，“波束包絡”網格始終是單個矩形單元。沒錯，以上就是“波束包絡”仿真中硅制板域的正確網格。因為擬設與解完全匹配，整個仿真模型總共只需使用三個單元：一個單元用于硅制板，兩側的空氣區域各使用一個單元。網格單元不受波長影響。另一方面，λ = 250 μm 時“全波”仿真的網格的密度約為 λ= 1 mm 時的五倍。

利用介觀模型可以從微觀角度對烘干工藝的機理進行相關探究，如Ngandjong等［77］通過介觀模型發現濕電極進行烘干工藝時頂部區域的 CBD 分數相對于中間和底部區域表現出較高水平，即發生碳粘結劑遷移，如圖7（d）所示；由仿真結果發現烘干過程中影響粘結劑遷移現象的因素，碳粘結遷移開始和結束的時間主要受烘干速率的影響。但由于受限于介觀尺度模型無法直接用于指導工藝參數設計。

并分析其他可能的影響，或者使用類似的研究思路，使用更加物理的本構模型如位錯密度模型等進行對比研究進行簡單修改兩個模型實現類似的效果：為構造典型梯度結構，使用了隨機尺寸的結構文獻一模型效果：晶粒尺寸分布：不同晶粒的初始強度分布：不同晶粒的飽和強度分布：不同晶粒的變形過程累計剪切分布：不同晶粒的變形過程應力分布：另一個模型效果一致

我們使用第一性原理計算引擎SIESTA對這一現象進行了分析和評估，假設在弛豫分析后鋰離子完全解吸，[圖1]顯示了LiC6的模型圖（左）和弛豫后的石墨模型（右）。[圖1] LiC6的模型圖（左）和弛豫后的石墨模型（右） [表 1] 是[圖 1] 中模型的弛豫分析，顯示了層間距離、體積變化和C 33（GPa），即層間鍵的強度。

底部是玻璃中電荷密度的 3D 圖。圖 8 中顯示的結果快照展示了模型的電弧損壞。當平均電場達到 3x10 6時，放電首先發生在電池的邊緣伏/米。高導電性電弧通道會耗散任何進一步沉積的電荷。隨著時間的推移，擊穿后電導率超過玻璃電導率，導致較低的電場平衡。電荷密度圖顯示了由于入射電子而產生的負電荷層。正圖像電荷形成在電池和底部基板的邊緣，而負電荷形成在粘合劑的頂部。

其次是物理場相關：heat transfer(傳熱)、mass transfer(傳質)、natural convection(自然對流)、electric field(電場)、magnetic field(磁場)、dielectrophoresis(介電泳)、stress(應力)等。

在打印樣件時，工程師利用了Raise3D生態系統中的ideaMaker切片軟件對模型的填充密度進行了調整，最終將打印樣件的相對介電常數相應地從2變化到6。此外，損耗角正切值的測試結果表明，新型Epsilon絲材是一種適用于射頻應用的低損耗材料。 在完成樣件測試后，一個3D打印的螺旋結構、金屬地板和同軸探針組成的圓極化介質螺旋天線被設計、加工出來。