電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別

從最基本的層面講,所有電容器都是通過由介電(絕緣)材料隔開的電導體(極板)來儲存能量的。當一個極板接收到正電荷,而另一個極板接收到負電荷時,電容器就儲存了電荷。電容器種類繁多,用途各異,包括從在數字電路中存儲計算機內存,到過濾電子信號中的噪聲,再到保護電路的一部分免受另一部分的影響等。

讓我們來了解三種常見的模擬集成電路電容器:金屬-氧化物-金屬(MOM)、金屬-絕緣體-金屬(MIM)和金屬-氧化物-半導體(MOS)電容器。

什么是金屬-氧化物-金屬(MOM)電容器?

金屬-氧化物-金屬(MOM)電容器是芯片中的小型多功能器件。它們是由金屬層構成的交叉指型(就像兩只手十指相扣那樣)結構的多指型電容器。標準金屬布線(以及可選的過孔——布線電路板上的鍍通孔)被用來構成電容器的極板,極板之間的橫向(層內)電容耦合效應可產生所需的電容。

與垂直耦合相比,這種橫向電容耦合可提供更出色的匹配特性,主要是由于橫向尺寸的工藝控制更為精準,不像金屬層和介電層厚度那樣難以控制。為了提高電容密度,可以使用過孔并聯多個金屬層,形成垂直金屬壁或網格。通常,會在MOM電容器中采用金屬線寬和間距最小的最底層金屬層(如M1–M5),以最大限度地提高電容密度。

電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別的圖1

金屬-氧化物-金屬電容器結構

金屬-氧化物-金屬電容器的優勢

  • 成本低
  • 電容密度高
  • 出色的射頻(RF)特性
  • 出色的匹配特性
  • 無需額外的掩膜層
  • 對稱平面結構

金屬-氧化物-金屬電容器的缺點

  • 下極板寄生效應適中
  • 密度低
  • 串聯電感和電阻較高
  • 擊穿電壓低

金屬-氧化物-金屬電容器的應用

  • 高速集成電路(IC)
  • 微電子
  • RF和模擬應用
  • 振蕩電路

什么是金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器?

金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器是另一類具有明顯優勢的緊湊型電容器。它們類似于平行板電容器,其中金屬板(電極)由絕緣材料(介電)隔開。這類電容器具有較高的單位面積電容,因此得到了廣泛應用。為了進一步提高電容值,MIM電容器通常由三塊板構成,其中兩層是標準制造工藝的金屬層(通常是最上層),中間是一個特殊金屬層。這種獨特的布局使MIM電容器能夠實現更高的電容密度,同時保持絕緣介電材料的穩定性能和低漏電優勢。

電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別的圖2

金屬-絕緣體-金屬電容器結構

金屬-絕緣體-金屬電容器的優勢

  • 穩定的電容
  • 單位面積電容高
  • 良好的品質因數
  • 良好的線性特性

金屬-絕緣體-金屬電容器的缺點

  • 需要特殊工藝來創建掩膜層
  • 成本更高

金屬-絕緣體-金屬電容器的應用

  • 集成電路(IC)
  • 存儲器模塊
  • RF和微波器件
  • 光電探測器

什么是金屬-氧化物-半導體(MOS)電容器?

金屬-氧化物-半導體(MOS)電容器本質上是一種用作電容器的晶體管,其中柵極是電容器的上極板,漏極和源極連接構成下極板,而柵極的薄氧化層是絕緣層。MOS電容器本身并不是一種廣泛使用的器件,不過,它是MOS晶體管(金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱MOSFET)的組成部分。

MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會改變柵極的耗盡區,從而改變介電屬性,進而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應用中尤其有用,在這種應用中,直流電壓保持恒定。

金屬-氧化物-半導體電容器的優勢

  • 與MIM電容器相比,單位面積電容更高
  • 柵極絕緣體(SiO2)更薄

金屬-氧化物-半導體電容器的缺點

  • 電容變化顯著,限制了其工作電壓范圍
  • 下極板的寄生電阻會影響性能

金屬-氧化物-半導體電容器的應用

  • IC
  • 模擬電路
  • 電壓參考電路
  • 可調濾波器
電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別的圖3

P型半導體金屬-氧化物-半導體電容器

MOM、MIM和MOS比較

電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別的圖4

利用仿真提取電容

MOM電容器是一種復雜的結構,其體積相當大,由許多超薄 “手指” 結構組成。這些電容器極易受到布局相關效應(LDE)的影響而變形。因此,必須對LDE進行精確建模,以確保計算出MOM電容器的準確模型。在整體布局環境中對MOM電容器進行建模,使設計人員能夠預測它們與電路其余部分之間的電容耦合,這對于敏感應用至關重要。然而,使用傳統的電磁(EM)求解器并不總能實現這種精度水平。因此,設計人員通常選擇將MOM電容器視為分立組件,并將其模型直接連接到測試臺進行仿真。

制造MIM電容器是一項更大的挑戰,因為在制造過程中需要額外的掩膜層。技術文件中會引入專用的MIM層,以定義和設計MIM電容器。在完整布局環境中對完整的MIM結構進行建模,對于預測電容精度至關重要。

MOM和MIM電容器廣泛應用于集成電路,尤其是RF和模擬應用,而使用仿真軟件對這些電容器進行準確建模,對于確保電容精度和滿足布局方面的匹配要求至關重要。Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局(無論是成熟設計還是正在開發中的布局)的電磁模型。這些組件可以是平面(實心的或者帶孔的)、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器,它們可以與高速/高頻布線一起提取,以計算全耦合電磁模型。此外,憑借自動化的額外優勢,使電磁提取任務的設置變得非常簡單且快速。

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