2.5D封裝
關注創建者：匿名 創建時間：2026-01-04
2.5D封裝的視頻教程
2.5D封裝的實例教程
常見的2.5D 封裝技術在硅中介層有 TSV 集成，芯片通常通過MicroBump（微凸塊）和中介層相連接，作為中介層的硅基板采用 Bump 和基板相連，硅基板表面通過 RDL 布線，TSV 作為硅基板上下表面電氣連接的通道， 這種 2.5D 集成適合芯片規模比較大，引腳密度高的情況，芯片一般以 FlipChip 形式安裝在硅基板上。
（圖6：2.5D 結構示意圖）
資料來源：EETimes，國盛證券研究所
3D 封裝和 2.5D 封裝的主要區別在于，2.5D 封裝是在中介層上進行布線和打孔，而 3D集成是直接在芯片上打孔（TSV）和重布線（RDL），電氣連接上下層芯片。從物理結構上看，所有芯片和無源器件 均位于 XY 平面上方，芯片堆疊在一起，在 XY 平面的上方有穿過芯片的 TSV，在 XY 平面的下方有基板 的布線和過孔。整個系統通過 TSV 和 RDL 將芯片直接電氣連接。
（圖7：2.5D 封裝和 3D 封裝結構的區別）
資料來源：知乎，國盛證券研究所
TSV 技術是 2.5D/3D 封裝的關鍵工藝之一。硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現芯片之間互連的技術。TSV 技術通過銅、鎢和多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術的優勢是可以通過垂直互連減小互連長度
、信號延遲，降低電容、電感，實現芯片間的低功耗、高速通訊，增加帶寬和實現器件集成的小型化。
Via-Middle 和 Via-Last 是較為常見的通孔方式。
展開 先進封裝的設計方案可以進一步縮小器件互連的距離，不僅電性能能夠得到提高，還可實現多樣化集成，包括通過異質集成的方法實現多種形式的微系統。但設計復雜度的提高，對設計方法，包括仿真方法也提出了很大的挑戰，包括電磁、熱、結構以及多物理場耦合分析。并且2.5D/3D芯片目前的主要應用場景包括人工智能/網絡通信等，其典型功耗可能高達300W，所以在實際工作過程中，功耗及散熱問題，以及熱應力形變等問題非常突出，設計面臨的挑戰包括，如何有效的優化芯片功耗，保證信號通道的傳輸速率，保證系統散熱能力，確保熱/結構可靠性能力，如何通過仿真手段在初期對設計方案進行篩選和優化，尤其是針對2.5D/3D芯片封裝的仿真方法和流程，也是目前業界的研究熱點，內容包括Interposer/TSV等結構的性能優化，芯片與封裝的聯合仿真，電熱耦合仿真等。本文主要介紹了 2.5D/3D芯片封裝的發展趨勢及其對傳統仿真方法流程的挑戰，并通過經驗總結討論了針對的2.5D/3D芯片的芯片-封裝-系統協同多物理場仿真方法。
展開 2020年1月9日 | 上海
2.5D/3D封裝SI/PI分析
簡介：2.5D/3D封裝工藝、高密度PCB和數字射頻混合電路極大的增加了智能電子設備的設計復雜度，精度和自動化程度成為影響仿真分析效率的關鍵因素。本次線下研討會將從SI、PI和EMI仿真精度和自動化角度出發，以高速并行總線、高速串行總線和射頻電路Desense仿真分析為內容，指導課程參與者進行完整的仿真操作，體驗ANSYS智能電子設計仿真方案的精準與高效。
會議信息
地點：上海市黃浦區南京西路128號永新廣場16樓
費用：500元/人
報名截止日期：2020年1月8日，17：00
報名方式
掃描下方二維碼
或點擊報名：http://event.31huiyi.com/1729755055/index?c=jishulink
展開 簡介：
2.5D/3D IC相比較傳統IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢，由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
時間：
2020/05/26 16:00~17:00
報名方式：
點擊鏈接報名：http://event.31huiyi.com/1854380366/index?c=jishulink
展開 直播簡介
HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
適宜人群
半導體行業客戶，包含芯片、封裝設計人員
時間安排
2020年2月21日 16：00
講師簡介
褚正浩
主任工程師
于2012年加入ANSYS，有多年的高速信號及電源完整性設計經驗，目前主要負責ANSYS中國High-tech行業的技術方案規劃，為ANSYS的客戶提供信號完整性、電源完整性、電磁兼容方面的技術支持。在加入ANSYS之前，曾在Cadence-Sigrity公司以技術支持工程師的身份負責北方區客戶的信號完整性、電源完整性的技術支持。
報名方式
掃描上方二維碼
或點擊報名：http://event.31huiyi.com/1825965654/index?c=jishulink
展開 
2.5D封裝的相關專題、標簽、搜索
2.5D封裝的最新內容
三大核心挑戰：
信號完整性（SI） ：2.5D/3D封裝下，高密度互連帶來信號串擾、傳輸延遲
電源完整性（PI） ：芯片堆疊導致電源噪聲激增，影響系統穩定性
熱管理：高功耗芯片需要精密散熱設計，熱-電-磁-結構多重耦合
NO.1 征服先進封裝信號與電源挑戰——Ansys SIPI一站式解決方案
核心價值：在先進封裝（如2.5D/3D-IC
Chiplet封裝驗證：針對2.5D/3D封裝設計，ERC可檢查硅中介層（Interposer）上的TSV（硅通孔）間距、微凸塊對齊度及熱應力分布。在某AI芯片項目中，該功能使封裝測試周期從6周壓縮至2周。
半導體行業正快速超越傳統2D封裝技術，積極采用 3D集成電路（3D ICs）和2.5D 先進封裝等方案。這些技術通過異構芯粒、硅中介層和復雜多層布線實現更高性能與集成度。然而，由于電子計算機輔助設計（ECAD）數據規模龐大且結構復雜，這種技術演進給建模、仿真和可靠性評估帶來了重大挑戰。
在信號完整性、電源完整性、電磁兼容性以及電熱耦合等多個關鍵領域，憑借深厚的專業背景和豐富的實戰經驗，積累了廣泛而深入的產品知識和分析經驗，同時在2.5D/3D封裝仿真驗證方面有深入的研究和見解。目前致力于為高科技企業用戶提供卓越的仿真方案實施服務，幫助搭建高效流暢的仿真流程，并針對行業前沿問題進行深入研究與分析。
隨著周轉時間顯著縮短，在開發這些復雜設計的過程中，Chipletz 工程團隊能夠盡早針對 3D-IC 和 2.5D 封裝多次運行高效且詳細的熱仿真。”
LX Semicon大田園區
當前，2.5D封裝技術中廣泛使用“中介層(interposer)”基板，用于連接AI半導體與HBM（高帶寬存儲器）。中介層通過插入到芯片和PCB（印刷電路板）之間，起到物理連接的作用。
目前，中介層的主要材料是硅和有機物。硅雖然性能較好，但存在成本過高的缺點。而成本較低的有機中介層不耐熱且表面粗糙，不適合用于形成細微電路。
本文將介紹信號前仿真流程在2.5D先進封裝設計中片外互連信號上的應用，首先介紹信號前仿真中包括的幾個關鍵步驟；然后，以DDR5信號的前仿真為例，詳細介紹每一個步驟的關鍵點和其相關的仿真結果；最后，對信號前仿真流程進行總結，給出該流程的優勢與不足。
入選理由：文中主要討論使用前仿真方法來優化先進封裝中的DDR信號，有比較高的應用推廣價值。
GPU 需要更復雜的 CoWoS 制造工藝（基板上晶圓芯片 — 臺積電的“2.5D”封裝技術，其中多個有源硅芯片（通常是 GPU 和 HBM 堆棧）集成在無源硅中介層上。）使用 CoWoS 會增加復雜的多步驟、高精度工程流程會降低 GPU 的生產速度。
三星可提供一系列2.5D封裝選項（I-Cube和H-Cube），以及采用X-Cube技術的3D垂直堆疊。多個芯片的高密度集成帶來了散熱方面的重大挑戰；單個芯片可以消耗超過100W的功率，因此必須通過極為精細的微凸點連接進行布線。
系統設計復雜度：對于芯片設計來說，雖然無需再去設計復雜的大芯片，但是將SoC分解Chiplet化，并將其整合到一個2.5D/3D封裝當中，會帶來系統復雜度的大幅提升，在系統設計方面存在較大挑戰。
