3D-IC封裝仿真
關注創建者：匿名 創建時間：2026-01-05
3D-IC封裝仿真的視頻教程
Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例介紹
通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢，由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案
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3D-IC封裝仿真的實例教程
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2.5D/3D IC相比較傳統IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢，由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，5月26日下午4點，【Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享】網絡研討會即將開播，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
此次網絡直播吸引了眾多觀眾在線觀看，在會后我們也陸續收到在線觀眾以及其他用戶前來詢問，在此附上本場網絡直播錄播內容，供大家回看學習。
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關于Simulation World
Simulation World是一場面向全球觀眾且為免費的在線虛擬盛會，將于2020年6月10日-11日舉行，屆時，來自Ansys，客戶和合作伙伴多名演講者將在此發表主題演講。內容涵蓋自動駕駛、電氣化、工業物聯網以及后疫情時代的數字化轉型等前沿趨勢探討，Ansys合作伙伴也將在其冠名的虛擬展廳中展示相關解決方案。立即掃碼報名！
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展開 直播簡介
HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
適宜人群
半導體行業客戶，包含芯片、封裝設計人員
時間安排
2020年2月21日 16：00
講師簡介
褚正浩
主任工程師
于2012年加入ANSYS，有多年的高速信號及電源完整性設計經驗，目前主要負責ANSYS中國High-tech行業的技術方案規劃，為ANSYS的客戶提供信號完整性、電源完整性、電磁兼容方面的技術支持。在加入ANSYS之前，曾在Cadence-Sigrity公司以技術支持工程師的身份負責北方區客戶的信號完整性、電源完整性的技術支持。
報名方式
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或點擊報名：http://event.31huiyi.com/1825965654/index?c=jishulink
展開 簡介：
2.5D/3D IC相比較傳統IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢，由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
時間：
2020/05/26 16:00~17:00
報名方式：
點擊鏈接報名：http://event.31huiyi.com/1854380366/index?c=jishulink
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2.5D/3D IC通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢。由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
此次網絡直播吸引了眾多觀眾在線觀看，在會后我們也陸續收到在線觀眾以及其他用戶前來詢問，在此附上本場網絡直播錄屏內容，供大家回看學習。
越來越多的企業在整個產品生命周期中融入前沿的ANSYS仿真技術，加速企業創新與實現數字化轉型。近期發布的ANSYS 2020 R1帶來全新升級的功能，同時上線新一季為大家精心打造的“30天密集學習計劃”，進一步了解ANSYS前沿仿真技術和行業應用。
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展開 大綱
STMicroelectronics 工程師運用 Moldex3D芯片封裝解決方案將樹脂充填不完整的風險降到最低。首先，軟件能重現因流動行為不平衡而引發的包封形成情況。接下來運用 Moldex3D 模擬將封裝設計優化，降低發生問題的風險。最后藉由更改幾何形狀發現對充填前推進有驚人效果，能在成型過程中避免產生結構瑕疵。Moldex3D 可用來成功在虛擬環境中預測問題，并可將模擬結果轉化并整合至新成品的封裝原型制造中。
挑戰
1、改善不平衡的流動行為
2、減少結合線及包封
解決方案
根據 STMicroelectronics 設計師估計，藉由縮小標準配置的焊墊尺寸，就能減輕樹酯在模穴頂部與底部之間流動不平衡的情形。由于已確定導線架焊墊屬于關鍵位置，因此將其設計優化可對充填行為有極大幫助。事實上，此方法能減少成品的關鍵結合線數量。因此，此解決方案藉由先從設計著手解決包封的問題，而非從耗時昂貴的實驗進行原型制造開始。
效益
1、找出關鍵結合線出現機率較高的位置
2、降低結合線會合角及形成包封的可能性
案例研究
IC封裝是在模腔中以氧樹脂成型材料(EMC)將微芯片封裝的過程，接著用柱塞將片劑壓入模腔，如圖一所示。
圖一 IC封裝制程
IC封裝常見的難題包括不完全充填、內部包封及金線偏移和交叉等，如圖二所示。若要避免造成生產上的損失和客戶抱怨，就必須生產前及早預測問題并加以改善。
圖二 IC封裝的常見問題
STMicroelectronics團隊以Moldex3D網格建構微芯片產品的模型。因產品具有對稱性，為了縮短分析時間，只建立了一半的模型(圖三)。
圖三 真實模型與Moldex3D Mesh建構的模型
經由Moldex3D分析，可觀察到模擬與實驗結果相當一致(圖四)。
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3D-IC封裝仿真的最新內容
IC封裝是以固態封裝材料 (Epoxy Molding Compound, EMC)及液態封裝材料(Liquid Molding Compound, LMC)進行封裝的制程，藉以達到保護精密電子芯片避免物理損壞或腐蝕。在封裝的過程中包含了微芯片和其他電子組件(所謂的打線)、熱固性材料的固化反應、封裝制程條件控制之間的交互作用。由于微芯片封裝包含許多復雜組件，故芯片封裝制程中將會產生許多制程挑戰與不確定性
Moldex3D 2024持續提升IC封裝仿真功能，除了基本的流動充填與硬化過程模擬外，新增的打線接合(Wire Bonding)進一步擴展了應用范圍，不僅有助于提升產品質量，有效預防潛在缺陷，還能透過模擬優化實現優化設計，進而縮減制造成本和周期。
<p><strong>該聯合解決方案為分析2.5D/3D-IC多芯片系統中的機械應力提供快速、高容量的云解決方案，以提高產品可靠性</strong></p><p><br></p><p><strong>主要亮點</strong></p><ul><li>管理熱機械應力對于3D-IC的可靠性和魯棒性至關重要</li><li>Ansys與臺積電和微軟展開合作，為分析采用臺積電3DFabric技術的多芯片設計中的機械應力提供快速
Ansys半導體仿真工具獲得聯華電子最新多晶圓堆疊（WoW）先進封裝技術認證
主要亮點
Ansys Redhawk-SC?和Ansys Redhawk-SC Electrothermal?已獲得聯華電子公司（UMC）認證，可對其最新的3D集成電路（3D-IC
在IC封裝的程序中，金線間的距離會受制程影響而縮短，甚至有相互接觸現象。金線一旦相互接觸，便會造成短路。因此，掌握金線偏移的幅度，是IC封裝制程中的一大挑戰。現在，透過Moldex3D模擬分析工具，可以輸出金線偏移的結果，讓使用者精準掌握偏移程度，以利優化金線布局。
步驟1：金線偏移分析結束后，于模型樹的金線項目點擊鼠標右鍵，即會出現導出(Export)選項；接下來于Export的子選單內
3C產品不斷朝輕量化及多功能發展，IC封裝的制程技術研發也隨之趨向小而精致。面對使用壽命及可靠度的需求，如何采用最佳的配置進行封裝以減少缺陷發生，并提供產品最好的保護，是產業最重視的課題之一。由于影響封裝質量的變因項目會隨著制程復雜度增長，也使得研發階段尋求優化方案的難度提升；此外，IC封裝材料以及所使用的相關組件均價格不斐，因此在封裝研發的階段若能以透過CAE分析取代實驗試誤、及早找到最佳方案，
大綱
STMicroelectronics 工程師運用 Moldex3D芯片封裝解決方案將樹脂充填不完整的風險降到最低。首先，軟件能重現因流動行為不平衡而引發的包封形成情況。接下來運用 Moldex3D 模擬將封裝設計優化，降低發生問題的風險。最后藉由更改幾何形狀發現對充填前推進有驚人效果，能在成型過程中避免產生結構瑕疵。Moldex3D 可用來成功在虛擬環境中預測問題，并可將模擬結果轉化并整合至新成品的封裝原型制造中
本文原刊載于《電子與封裝》2021年10月刊“微系統與先進封裝技術”專題
作者：褚正浩 張書強 候明剛
摘要：2.5D/3D 芯片包含interposer/硅穿孔（Through Silicon Via，TSV）等復雜結構，通過多物理場仿真可以提前對2.5D/3D芯片的設計進行信號完整性 (Signal Integrity
臺積電采用Ansys多物理場平臺分析其CoWoS?和InFO技術的電源、熱和信號完整性
主要亮點
Ansys憑借其先進的半導體設計解決方案成功通過臺積電高速CoWoS?（晶圓基底芯片）和InFO（集成扇出型）2.5D與3D高級封裝技術認證。
Ansys綜合全面的電源、熱和信號完整性分析引擎套件可仿真、計算和緩解可靠性問題
臺積電采用Ansys多物理場平臺分析其CoWoS?和InFO技術的電源、熱和信號完整性
主要亮點
Ansys憑借其先進的半導體設計解決方案成功通過臺積電高速CoWoS?（晶圓基底芯片）和InFO（集成扇出型）2.5D與3D高級封裝技術認證。
Ansys綜合全面的電源、熱和信號完整性分析引擎套件可仿真、計算和緩解可靠性問題，從而實現最佳電氣性能。
