Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功優(yōu)化IC封裝制程

Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功優(yōu)化IC封裝制程的圖1Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功優(yōu)化IC封裝制程的圖2

STMicroelectronics 工程運(yùn)用 Moldex3D芯片封裝解決方案將脂充填不完整的風(fēng)險(xiǎn)降到最低。首先,件能重現(xiàn)因流不平衡而引發(fā)的包封形成情況。接下來運(yùn)用 Moldex3D 模將封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化,降低發(fā)問題風(fēng)險(xiǎn)。最后藉由更改幾何形狀發(fā)現(xiàn)對充填前推進(jìn)有驚人效果,能在成型程中避免產(chǎn)結(jié)構(gòu)瑕疵。Moldex3D 可用來成功在虛擬環(huán)境中預(yù)測問題,并可將模擬結(jié)轉(zhuǎn)化并整合至新成品的封裝原型制造中。

戰(zhàn)

1、改善不平衡的流

2、減少結(jié)及包封

解決方案

根據(jù) STMicroelectronics 設(shè)計(jì)師計(jì),藉由標(biāo)準(zhǔn)配置焊墊尺寸,就能減樹酯在模穴部與底部之不平衡的情形。由于已確定導(dǎo)線焊墊屬于關(guān)位置,因此將其設(shè)計(jì)優(yōu)化可充填行有極大幫助。事實(shí)上,此方法能減少成品的關(guān)鍵結(jié)數(shù)量。因此,此解決方案藉由先從設(shè)計(jì)著手解決包封的問題,而非從耗時(shí)實(shí)驗(yàn)進(jìn)行原型制造開始。

效益

1、找出關(guān)鍵結(jié)現(xiàn)機(jī)率高的位置

2、降低結(jié)會合角及形成包封的可能性

案例研究

IC封裝是在模腔中以氧脂成型材料(EMC)將微芯片封裝的程,接著用柱塞將片劑壓入模腔,如一所示。

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IC封裝制程

IC封裝常難題包括不完全充填、內(nèi)部包封及金偏移和交叉等,如二所示。若要避免造成生產(chǎn)上的失和客抱怨,就必產(chǎn)前及早預(yù)測問題并加以改善。

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IC封裝的常見問題

STMicroelectronics團(tuán)隊(duì)Moldex3D網(wǎng)格建構(gòu)微芯片產(chǎn)品的模型。因產(chǎn)品具有稱性,短分析時(shí)間,只建立了一半的模型()。

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實(shí)模型與Moldex3D Mesh建構(gòu)的模型

經(jīng)Moldex3D分析,可察到模實(shí)驗(yàn)結(jié)果相當(dāng)一致()。

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原始設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)和模擬結(jié)果比

分析,很容易就可找出流不平衡和包封產(chǎn)生的原因。如五所示,由于幾何不產(chǎn)流效應(yīng)端的流速比底部的快,并在底部反轉(zhuǎn),使得空氣被限在模腔底部,而產(chǎn)導(dǎo)致空洞。

Moldex3D模流分析之STMicroelectronics用Moldex3D成功優(yōu)化IC封裝制程的圖7

充填段的流波前行

找出問題成因后,優(yōu)設(shè)計(jì)該團(tuán)隊(duì)縮小晶粒座的尺寸()。分析優(yōu)設(shè)計(jì)發(fā)現(xiàn),流不平衡線問題皆有著改善(七、八)。

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導(dǎo)線架之原始與優(yōu)設(shè)計(jì)

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原始設(shè)計(jì)設(shè)變的流波前比

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原始設(shè)計(jì)設(shè)變線結(jié)

結(jié)

本案例中,STMicroelectronics透Moldex3D的模,以小晶粒座尺寸的方式,成功解決流不平衡、包封、問題,并提高了產(chǎn)品的局部機(jī)械強(qiáng)度。如此即可在早期段以快速且低成本的方式解決問題,而無費(fèi)時(shí)間和成本進(jìn)

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