01/簡(jiǎn)介 隨著集成電路制程持續(xù)向3nm及以下節(jié)點(diǎn)突破，光刻系統(tǒng)中的光學(xué)衍射、掩模三維效應(yīng)與光致抗蝕劑非線性響應(yīng)形成強(qiáng)耦合，使光源-掩模優(yōu)化、光學(xué)鄰近校正等核心環(huán)節(jié)面臨“精度-效率-魯棒性”三重挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)線性壓縮感知技術(shù)因難以刻畫光刻系統(tǒng)的復(fù)雜非線性映射，優(yōu)化結(jié)果易出現(xiàn)工藝窗口收縮；經(jīng)典貝葉斯方法雖具備統(tǒng)計(jì)建模優(yōu)勢(shì)，但固定先驗(yàn)分布無(wú)法適配多樣化光刻圖形

點(diǎn)擊藍(lán)字 關(guān)注我們 01/簡(jiǎn)介 隨著集成電路制程向3nm及以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，光刻成像系統(tǒng)中的光學(xué)衍射、掩模三維效應(yīng)與光致抗蝕劑非線性響應(yīng)相互疊加，使光源-掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）成為保障圖形保真度與芯片良率的核心技術(shù)。傳統(tǒng)線性壓縮感知（CS）驅(qū)動(dòng)的SMO技術(shù)，因難以精準(zhǔn)刻畫掩模與成像之間的強(qiáng)非線性映射關(guān)系，在復(fù)雜圖形優(yōu)化中常面臨精度不足、工藝窗口收縮等問題

01/簡(jiǎn)介 隨著集成電路制程向3nm及以下節(jié)點(diǎn)突破，光刻系統(tǒng)的光學(xué)畸變、掩模三維衍射及光致抗蝕劑非線性響應(yīng)等效應(yīng)疊加，使光源-掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）成為保障成像精度的核心技術(shù)。 傳統(tǒng)線性壓縮感知技術(shù)雖在光源單變量?jī)?yōu)化中實(shí)現(xiàn)了降維高效求解，但面對(duì)SMO場(chǎng)景中掩模-成像的強(qiáng)非線性映射關(guān)系，其線性假設(shè)難以精準(zhǔn)刻畫優(yōu)化變量與成像質(zhì)量的關(guān)聯(lián)，導(dǎo)致優(yōu)化精度與可制造性失衡

01/簡(jiǎn)介 隨著集成電路制程推進(jìn)至90nm及以下節(jié)點(diǎn)，光學(xué)鄰近效應(yīng)校正（OPC）、光源掩模聯(lián)合優(yōu)化（SMO）等計(jì)算光刻技術(shù)已成為保障光刻成像精度的核心支撐。其中，壓縮感知（CS）技術(shù)憑借稀疏性約束降維的核心優(yōu)勢(shì)，在光源優(yōu)化（SO）中實(shí)現(xiàn)了高效的參數(shù)尋優(yōu)，大幅降低了計(jì)算復(fù)雜度。 然而，當(dāng)優(yōu)化對(duì)象轉(zhuǎn)向掩模時(shí)，線性CS理論的局限性愈發(fā)凸顯——掩模圖形的像素級(jí)調(diào)控與光刻成像之間存在顯著的非線性映射關(guān)系

01/簡(jiǎn)介 當(dāng)前，壓縮感知光源優(yōu)化的仿真技術(shù)已實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化與精準(zhǔn)化雙重突破，為技術(shù)落地奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。仿真條件層面，通過構(gòu)建統(tǒng)一的光源參數(shù)基準(zhǔn)、掩模圖形庫(kù)及光學(xué)成像模型，建立了可復(fù)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)化仿真環(huán)境，解決了傳統(tǒng)仿真中參數(shù)離散導(dǎo)致的對(duì)比誤差問題。 接下來(lái)以豎直線條為目標(biāo)圖形進(jìn)行仿真分析，對(duì)比分析在不同變量下曝光圖像的情況。 02/仿真條件

01/簡(jiǎn)介 隨著集成電路制程向3nm及以下節(jié)點(diǎn)突破，光刻系統(tǒng)面臨的光學(xué)畸變（如衍射、偏振效應(yīng)）愈發(fā)顯著，光源作為光刻成像的“源頭變量”，其圖形優(yōu)化直接決定空間像保真度與芯片制造良率。 傳統(tǒng)光源優(yōu)化方法依賴全像素維度尋優(yōu)，受限于光源像素矩陣規(guī)模龐大（常達(dá)數(shù)百甚至數(shù)千維度），存在迭代收斂慢、計(jì)算資源消耗高、易陷入局部最優(yōu)等問題，難以適配先進(jìn)制程對(duì)優(yōu)化效率與精度的雙重需求

01/簡(jiǎn)介 隨著集成電路制程向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)迭代，光刻成像的焦面精度對(duì)圖形保真度的影響愈發(fā)顯著，最佳焦面處的成像性能直接決定芯片制造良率。光源-掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）作為分辨率增強(qiáng)核心技術(shù)，其矢量模型因能精準(zhǔn)刻畫偏振、三維掩模衍射等效應(yīng)，成為先進(jìn)制程優(yōu)化的關(guān)鍵工具，而數(shù)值計(jì)算的精度與分析深度則是發(fā)揮其效能的核心前提。 本文聚焦最佳焦面成像性能，通過搭建標(biāo)準(zhǔn)化仿真條件

01/簡(jiǎn)介 為驗(yàn)證矢量HSMO技術(shù)對(duì)工藝窗口（PW）的優(yōu)化效果，采用考慮離焦的像質(zhì)評(píng)價(jià)函數(shù) 02/仿真條件 以AttPSM為例，對(duì)比HSMO（聯(lián)合優(yōu)化光源+掩模）與OPC（僅優(yōu)化掩模，光源不變）技術(shù)。仿真目標(biāo)圖形包括一維孤立線條（占空比1:4，CD=45nm）、一維半密集線條（占空比1:2，CD=45nm）、二維密集接觸孔（占空比

01/簡(jiǎn)介 隨著集成電路制程向3nm及以下節(jié)點(diǎn)突破，光刻系統(tǒng)面臨的光學(xué)畸變、分辨率不足等問題愈發(fā)突出，光源-掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）技術(shù)成為突破硬件限制的核心手段。矢量SMO憑借對(duì)偏振效應(yīng)、三維掩模衍射等復(fù)雜光學(xué)現(xiàn)象的精準(zhǔn)刻畫，較傳統(tǒng)標(biāo)量模型實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍，其優(yōu)化算法的性能直接決定光刻成像質(zhì)量與制造良率。 梯度計(jì)算與變量替換是矢量SMO算法的理論基石，為離散優(yōu)化問題轉(zhuǎn)化為連續(xù)可解問題提供了關(guān)鍵路徑

01/簡(jiǎn)介 驗(yàn)證矢量OPC技術(shù)對(duì)最佳焦面成像保真度的提升效果，對(duì)比WP罰函數(shù)與GWP罰函數(shù)的性能差異。 02/考慮最佳焦面成像圖形保真度的仿真結(jié)果 采用WP和GWP兩種罰函數(shù)PSM的OPC優(yōu)化結(jié)果如圖所示。針對(duì)同一圖形，左側(cè)為采用WP的結(jié)果，右側(cè)為采用GWP的結(jié)果。其中，兩種線條圖形的CD均為45nm