光刻技術第11期 | 矢量OPC數值計算與分析1

光刻技術第11期 | 矢量OPC數值計算與分析1的圖1

01/簡介

光刻技術第11期 | 矢量OPC數值計算與分析1的圖2

驗證矢量OPC技術對最佳焦面成像保真度的提升效果,對比WP罰函數與GWP罰函數的性能差異。


02/考慮最佳焦面成像圖形保真度的仿真結果

采用WP和GWP兩種罰函數PSM的OPC優化結果如圖所示。針對同一圖形,左側為采用WP的結果,右側為采用GWP的結果。其中,兩種線條圖形的CD均為45nm。光刻系統為照明波長193nm、NA=1.2的浸沒式光刻系統采用相干因子為σ=0.12的圓形照明,對垂直線條采用Y偏振照明,對水平線條采用X偏振照明,掩模為AItPSM型PSM。


為了驗證WP罰函數在降低掩模復雜度方面的作用,在OPC的優化損失函數中分別加入傳統WP和GWP兩種罰函數項,并對比PSM的OPC優化結果,分析WP和GWP在降低掩模復雜度和提高成像質量方面的性能。


仿真通過調整WP和GWP的加權系數權衡成像誤差和掩模復雜度這兩個相互制約的因素。因此,仿真對WP和GWP采用相同的加權系數、從而能夠更加公平地比較兩種罰函數方法。


光刻技術第11期 | 矢量OPC數值計算與分析1的圖3

采用WP和GMP兩種罰函數PSM的OPC優化結果

03/仿真結果

針對垂直密集線條、水平線條的PSM掩模優化:

? 掩模復雜度:用“分割梯形總數”衡量,GWP罰函數使梯形數增多(如垂直線條從688增至818)。

? 成像保真度:用PAE(成像誤差)、CDE(關鍵尺寸誤差)衡量,GWP罰函數更優(如水平線CDE從20nm降至0nm,PAE從872提升至796)。

04/結論

GWP罰函數在平衡掩模復雜度與成像保真度上更具優勢,可在可接受的掩模復雜度增加范圍內,顯著降低成像誤差(CDE)、提升成像質量(PAE)。

登錄后免費查看全文
立即登錄
App下載
技術鄰APP
工程師必備
  • 項目客服
  • 培訓客服
  • 平臺客服

TOP