展出范圍 半導體材料：硅片及硅基材料、硅晶圓、硅晶片、單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01材料、太陽能電池用硅材料及化合物半導體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料、光刻膠及其配套試劑、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、特種化學氣體、CMP拋光材料、封裝基板、引線框架、鍵合絲、包封材料、陶瓷基板、封測材料等。

曝光圖像的計算公式： Print Image = Γ（Inorm-tr） 其中Inorm=I/Qsum為歸一化空間像，Γ（x）為硬判決函數(shù)，tr為光刻膠閾值。使用歸一化的空間像計算曝光圖像，因為光刻膠閾值是通過假設的單位曝光劑量來選擇的。 03/仿真結果對比 光源與成像效果：（硅片采樣像素數(shù)）時的優(yōu)化后光源、焦面/離焦面成像，表明CS-SO可實現(xiàn)清晰成像。

圖中第一列為光源圖形，從黑色到白色代表[0,1]的連續(xù)光強區(qū)間；第二列為掩模圖形，黑色和白色分別代表阻光區(qū)域和透光區(qū)域；第三列為光刻膠中的成像。 圖(b)為目標圖形。圖形是CD=45mm，占空比為1：1的密集線條圖形。 下圖展示了不同技術對密集線條圖形的仿真結果，通過PAE（成像誤差）指標對比各技術的成像保真度提升效果。

在180納米寬的等離子體槽上方進行傳統(tǒng)單步剝離工藝時，會導致金屬同時沉積在窄光刻膠的兩側壁上，在剝離過程中無法完全去除。相比之下，我們采用兩步剝離工藝，分別定義每個電極，在每次金屬化步驟中保持電極尺寸的剝離區(qū)域，從而能夠可靠地制造具有高結構保真度的納米間隙等離子體電極（詳見方法部分的詳細制造工藝）。圖1e展示了所制備MZM的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像。

在SiN層上旋涂光刻膠（AR-P6200.09）。通過電子束光刻（Vistec EBPG-5200+）和感應耦合等離子體干法刻蝕工藝，在光刻膠上形成波導、MMI和光柵耦合器圖案，并將其轉移至SiN層。隨后對SiN層進行300納米深度的刻蝕。去除殘留物后，通過電子束蒸發(fā)和剝離工藝沉積并制作350納米厚的分段慢波電極。

工藝始于LNOI晶圓（圖5a），隨后使用300nm厚ma-N2430光刻膠通過電子束光刻技術對頂層TFLN進行圖案化。接著采用Ar等離子體感應耦合等離子體反應離子刻蝕技術，蝕刻掉200nm厚的鈮酸鋰層，形成TFLN波導、分路器/合路器及導電孔（如圖5b所示）。接著通過等離子體增強化學氣相沉積法在芯片頂部沉積900nm厚的二氧化硅層（如圖5c所示）。

5d522b294f72417d91964dbcdc9c222d.jpg"></figure></figure><p><br></p><p>展會設置五大核心展示專區(qū)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈全覆蓋：IC設計與芯片專區(qū)集中呈現(xiàn)AI芯片、汽車電子芯片、5G通信芯片等前沿產(chǎn)品；晶圓制造及封裝專區(qū)展示SiP先進封裝、測試設備等核心環(huán)節(jié)成果；第三代半導體專區(qū)聚焦SiC、GaN等寬禁帶半導體材料與器件；半導體設備與材料專區(qū)則囊括光刻機、刻蝕機、硅晶圓、光刻膠等關鍵軟硬件

HEMT、MMIC)等； 半導體設備： 減薄機、單晶爐、研磨機、熱處理設備、光刻機、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備固晶機、等離子清洗設備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機、回流焊,波峰焊、測試機、分選機、耦合機、載帶成型機、檢測設備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設備、水處理等; 半導體材料： 硅晶圓、硅晶片、光刻膠

加密過程中，讓兩束光干涉疊加得到干涉圖樣，并用膠片或者光刻膠記錄下來，得到一個全息圖；解密時，只使用復雜的隨機圖樣照射前面形成的全息圖就可以獲得物光源信息。 系統(tǒng)描述 全息圖能夠通過兩束相干光相干疊加獲得。用其中一束光照射生成的全息圖就可以得到另一束相干光，這樣全息圖就可以用作加密/解密的裝置了。

局部坐標系以三維圖形的深度方向為Z軸，重點分析深度方向的偏振光能量分布與光刻膠顯影速率的關聯(lián)；全局坐標系將三維圖形的堆疊結構納入全視場分析，考慮“視場位置-深度方向”的耦合效應，可實現(xiàn)3D圖形全視場、全深度的高保真成像。