SK海力士
關注創建者：CINNO 創建時間：2022-12-28
SK海力士的實例教程
CINNO Research產業資訊，SK海力士和LG顯示將與Meta（原Facebook）攜手進行Micro OLED的開發和量產。Micro OLED是擴展現實（XR）設備的核心顯示。本次“三角聯盟”由Meta負責半導體設計和設備設置，LG顯示開發Micro OLED，SK海力士以設計圖為基礎生產晶圓。IT業界正在關注，SK海力士、LG顯示、Meta等“三角同盟”將產生連鎖反應。
據業界2月13日消息，SK海力士決定與LG顯示進行Micro OLED開發及生產合作，最近簽訂了相關合同。
從去年開始，SK海力士和LG顯示正在為開發Micro OLED進行合作的消息逐漸傳開。但是，這兩家企業生產的產品最終供應到哪里尚不得而知。
據thelec報道，SK海力士和LG顯示的Micro LED合作過程中，全球XR設備龍頭企業Meta參與其中，并主導了合作。據悉，今年年初SK海力士和LG顯示的合同正式簽訂，SK海力士和Meta實際上合同也處于收尾階段。
Headset形態的XR設備搭載的Micro OLED是可以實現擴展現實的新一代顯示。它由紅色、藍色和綠色 （RGB） OLED 像素蒸鍍在由硅制成的半導體晶圓上制成，比玻璃基板更薄，可以搭載更多的像素。與普通顯示屏實現數百個像素密度 （PPI） 相反，Micro OLED 可能具有數千個 PPI。
展開 鑒于NAND閃存產業在技術和資本上的高標準高門檻，時下全球僅有為數不多的六大公司能夠研發和生產新一代高品質的NAND閃存顆粒，它們分別是三星、西數、美光、SK海力士、英特爾、鎧俠(原東芝)。
至于在市場份額方面，六大閃存廠的排名次序實際上已經維持了多年的平衡。頭部品牌還是以三星、鎧俠(原東芝)為主，二者分別以超過30%，接近20%的市占率領先其他原廠。西數則憑借著和閃迪的業務重組和技術共享，成為了六大原廠的絕對中層，最后則是美光、SK海力士以及英特爾三家。NAND閃存實質上還是以三星一家獨秀，其余五家相互競爭的“一超多強”局面。
SK海力士與其他五家國際原
廠相比
，
其NAND Flash技術和工藝競爭力也相對處于劣勢地位
，
在去年各大原廠紛紛擴張9X層3D NAND產能之際，SK海力士的進度一直相對遲緩。
財報數據顯示2020年Q2，DRAM業務占SK海力士總營收的73%，NAND閃存業務僅占24%。
SK海力士的NAND閃存和DRAM存儲產品兩項業務收入極度失衡。
SK海力士的強項一直在于DRAM，而NAND的市場占比不高，與競爭對手三星有很大的差距，英特爾將工廠出售給SK海力士可以平衡三星和鎧俠，改變市場格局。
英特爾在NAND閃存業務上有更多技術和IP，一旦完成收購SK海力士的NAND閃存業務躍升至全球領先水平（Global Top Tier）帶來突破性機遇，將讓其在技術層面長期處于領先地位。SK海力士方面認為，將結合英特爾的存儲解決方案相關技術及生產能力，打造包括企業級SSD在內的具有高附加值的一系列3D NAND解決方案，這是該公司購買英特爾NAND閃存業務的主要原因。
展開 由于預計10年來首次轉虧為盈，SK海力士進入應急管理體系。SK海力士副會長樸正浩從去年10月起成立了“低迷TF”，正在尋求應對短期商業環境的方法。
其他半導體公司也有類似的氛圍。美國美光計劃明年將其目前的 48,000 名員工裁員 10%，以反映半導體需求持續低迷的情況。SK 海力士的戰略是通過減少團隊領導的數量而不是減少所有員工來精簡組織，為半導體衰退做準備。
有分析認為，是要以這次危機為新契機，進行自然的換代。它被解釋為通過分配 30 多歲至 40 多歲的年輕員工作為團隊領導者，確保新一代高管候選人，同時使組織本身變得年輕和充滿活力。
SK 海力士已經通過將明年的設施投資削減到今年水平的一半并削減產量，積極為經濟衰退做準備。SK海力士預計半導體市場從明年下半年開始出現反彈，雖然寒潮暫時還會持續。
SK海力士的一位官員表示，“我們無法正式確認內部重組。”
與此同時，SK 海力士最近通過其內部網上的通知宣布了通過減少與高管和領導相關的預算來降低全公司成本效率的計劃。根據計劃，SK海力士決定將執行預算削減50%，團隊負責人預算削減30%，包括活動費用和業務推廣費用。
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展開 CINNO Research產業資訊，SK海力士在新一代高帶寬內存(HBM，High Bandwidth Memory)市場上，正展開乘勝追擊。其秘訣正是得益于MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技術。通過自主研發的這項技術，SK海力士不僅擊敗了競爭對手美光半導體（Micron），還擊敗了DRAM市場排名第一的三星電子，主導了處于起步階段的HBM內存市場。曾位居DRAM萬年老二的SK海力士在最前沿的內存市場技術上領先競爭對手，另業界矚目。
根據韓媒Thelec報道，據業界20日消息，據推測，在全球高附加值產品HBM市場，SK海力士占有約70%-80%的份額。
HBM市場目前還處于起步階段，本身規模并不大。盡管如此，作為行業萬年第二的SK海力士依然引領著高附加值DRAM市場，這一點在許多方面意義深遠。
據悉，HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)是由垂直堆疊在一起的DRAM芯片組合而成的高價值、高性能內存，其數據處理速度大幅領先于傳統的DRAM。
HBM廣泛應用于人工智能(AI)、超級計算機、高性能服務器等領域。HBM3 DRAM是第四代HBM產品，此前三代分別為HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及HBM2E（第三代）。
隨著人工智能（AI）和大數據（Big data）等尖端技術的加速發展，全球主要科技企業正在探索創新方法，以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統DRAM，HBM在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢，有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。
今年6月，SK海力士曾宣布首次實現HBM3產品量產，擁有全球最佳性能的DRAM。
展開 CINNO Research產業資訊，SK海力士為擴大現有M15工廠，將推進M15X工廠建設。預計下月開始動工，目標是2025年初完工。為配合未來存儲器半導體市場的反彈，適時增加供應量，而展開先發制人的投資。
SK海力士9月6日宣布，為確保未來業績增長的基礎，將在忠清北道清州工廠建設新的半導體生產工廠M15X(eXtension)。
SK海力士綜合考慮市場情況等因素，決定實現M15X工廠的提前開工，M15X工廠是已經確定土地的M15的擴張工廠。M15X為復式結構，規模與清州M11、M12兩家工廠的總和類似。
SK海力士計劃在今年10月啟動在清州科技城產業園內占地約6萬平方米的M15X建設工程，目標于2025年初完工。此外，計劃未來5年，M15X工廠建設和生產設備建設總投資15萬億韓元（約756億人民幣）。
此外，對于附近的M17新工廠，SK海力士還將考慮半導體市況等營商環境，決定開工時間。
SK海力士副會長樸正浩表示：“回顧過去10年，在危機中展望未來的大膽投資使SK海力士能夠成長為全球性的企業”，并稱“現在要為即將到來的10年做好準備，M15X工廠的開工將是確保未來發展基礎的第一步。“
2012年，SK海力士納入SK集團，以2015年宣布的“未來遠景”為中心，持續展開10年投資。未來遠景的內容是，從2014年開始，將總投資46萬億韓元（約2317億人民幣），建設包括利川M14在內的共3家工廠。公司先后于2018年實現清州M15竣工、2021年實現利川M16工廠竣工，提前實現了未來遠景。
近年來，由于全球經濟衰退和供應鏈不穩定，存儲器半導體需求急劇下降。不過，由于存儲器半導體市場的波動周期有變短的趨勢，專家預計從2024年市場將開始慢慢恢復，到2025年會反彈。
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、Hana Micron、SK海力士、Hayward Quartz?等
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因此，預計該項目將在SK海力士組建的龍仁產業集群內進行建設。2022年出售的“M16工業氣體工廠事業整體”也位于利川SK海力士園區內。
SK Materials Airplus是SK株式會社的全資控股子公司。為 SK Hynixs（SK海力士）、 SK Siltron和 SK Specialty供應 GN2、CDA、氬氣和其他工業氣體，其最大客戶是SK海力士。
、Hana Micron、SK海力士、Hayward Quartz?
而目前需要且能購買到EUV光刻設備的廠商有五家：三星電子、臺積電、英特爾、SK海力士和美光。其中，臺積電約占供應量的70%，剩下四家公司爭奪剩下的30%。
鎧俠原先計劃和美商威騰電子（Western Digital）的半導體事業進行合并，不過因合并案無法獲得對鎧俠間接出資的SK海力士的同意，因此鎧俠、WD已于10月中止合并協商。WD并于10月30日宣布，將切割旗下NAND快閃存儲器部門，成立新公司并獨立上市，預計2024年下半年啟動相關作業。
同時，SK海力士計劃使用最高功率的封裝解決方案來開發混合鍵合，以便將其應用于未來的HBM產品。
利用 SK 海力士的混合鍵合推進封裝技術
雖然SK海力士目前正在開發混合鍵合，以應用于其即將推出的高密度、高堆疊HBM產品，但該公司此前已在2022年成功為HBM2E采用混合鍵合堆疊八層，同時完成電氣測試并確保基本可靠性。
三星電子和SK海力士的存儲半導體減產也帶來了直接影響。今年4月，三星電子首次宣布了存儲器減產的計劃。
OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Testing）是指從代工或IDM那里獲得晶圓后，提供從晶圓測試到封裝、封裝測試等的業務。
三星電子、SK海力士、TSMC、英特爾等尖端半導體企業都決定從ASML引進該設備。ASML是世界上唯一一家能夠提供EUV設備和新一代High NA EUV設備的企業。
ASML預計明年出貨首臺High NA EUV設備。據悉，2026-2027年將實現大規模量產。東進世美肯在High NA EUV市場正式爆發前完成相關PR產品商業化，為搶占市場打下鋪墊。
ASM首席執行官本杰明·羅說：“韓國在半導體市場扮演著非常重要的角色，ASM的主要客戶包括三星電子和SK海力士。隨著高端半導體工藝的增加，PEALD需求也隨之增加，因此決定投資新的研發制造中心來應對這一需求“。
本杰明·羅表示，盡管目前經濟不景氣，但大多數分析師認為，至2029年年末，全球半導體市場的銷售將達到1萬億美元大關，未來對計算和存儲芯片的需求將持續增長。
上文也提到，除了鎧俠之外，SK海力士也從佳能購買了納米壓印設備，正在進行用于3D NAND型閃存生產工程的測試，這也被認為是業界最尖端制造工藝中使用的EUV光刻機的下一代設備。
有業內人士表示：“與EUV相比，納米壓印技術形成圖案的自由度較低，因此預計將優先用于生產維持一定圖案的NAND型閃存。”SK海力士開始采購設備也是因為這個原因。”
