SK海力士的案例
Meta攜手SK海力士、LGD合作開發Micro OLED，發力XR市場
CINNO Research產業資訊，SK海力士和LG顯示將與Meta（原Facebook）攜手進行Micro OLED的開發和量產。Micro OLED是擴展現實（XR）設備的核心顯示。本次“三角聯盟”由Meta負責半導體設計和設備設置，LG顯示開發Micro OLED，SK海力士以設計圖為基礎生產晶圓。IT業界正在關注，SK海力士、LG顯示、Meta等“三角同盟”將產生連鎖反應。
據業界2月13日消息，SK海力士決定與LG顯示進行Micro OLED開發及生產合作，最近簽訂了相關合同。
從去年開始，SK海力士和LG顯示正在為開發Micro OLED進行合作的消息逐漸傳開。但是，這兩家企業生產的產品最終供應到哪里尚不得而知。
據thelec報道，SK海力士和LG顯示的Micro LED合作過程中，全球XR設備龍頭企業Meta參與其中，并主導了合作。據悉，今年年初SK海力士和LG顯示的合同正式簽訂，SK海力士和Meta實際上合同也處于收尾階段。
Headset形態的XR設備搭載的Micro OLED是可以實現擴展現實的新一代顯示。它由紅色、藍色和綠色 （RGB） OLED 像素蒸鍍在由硅制成的半導體晶圓上制成，比玻璃基板更薄，可以搭載更多的像素。與普通顯示屏實現數百個像素密度 （PPI） 相反，Micro OLED 可能具有數千個 PPI。
展開 SK海力士與英特爾已完成收購交易的第一階段：NAND閃存市場會有什么變化？
鑒于NAND閃存產業在技術和資本上的高標準高門檻，時下全球僅有為數不多的六大公司能夠研發和生產新一代高品質的NAND閃存顆粒，它們分別是三星、西數、美光、SK海力士、英特爾、鎧俠(原東芝)。
至于在市場份額方面，六大閃存廠的排名次序實際上已經維持了多年的平衡。頭部品牌還是以三星、鎧俠(原東芝)為主，二者分別以超過30%，接近20%的市占率領先其他原廠。西數則憑借著和閃迪的業務重組和技術共享，成為了六大原廠的絕對中層，最后則是美光、SK海力士以及英特爾三家。NAND閃存實質上還是以三星一家獨秀，其余五家相互競爭的“一超多強”局面。
SK海力士與其他五家國際原
廠相比
，
其NAND Flash技術和工藝競爭力也相對處于劣勢地位
，
在去年各大原廠紛紛擴張9X層3D NAND產能之際，SK海力士的進度一直相對遲緩。
財報數據顯示2020年Q2，DRAM業務占SK海力士總營收的73%，NAND閃存業務僅占24%。
SK海力士的NAND閃存和DRAM存儲產品兩項業務收入極度失衡。
SK海力士的強項一直在于DRAM，而NAND的市場占比不高，與競爭對手三星有很大的差距，英特爾將工廠出售給SK海力士可以平衡三星和鎧俠，改變市場格局。
英特爾在NAND閃存業務上有更多技術和IP，一旦完成收購SK海力士的NAND閃存業務躍升至全球領先水平（Global Top Tier）帶來突破性機遇，將讓其在技術層面長期處于領先地位。SK海力士方面認為，將結合英特爾的存儲解決方案相關技術及生產能力，打造包括企業級SSD在內的具有高附加值的一系列3D NAND解決方案，這是該公司購買英特爾NAND閃存業務的主要原因。
展開 傳SK海力士將大幅削減30%團隊！給予更多年輕高管領導權
由于預計10年來首次轉虧為盈，SK海力士進入應急管理體系。SK海力士副會長樸正浩從去年10月起成立了“低迷TF”，正在尋求應對短期商業環境的方法。
其他半導體公司也有類似的氛圍。美國美光計劃明年將其目前的 48,000 名員工裁員 10%，以反映半導體需求持續低迷的情況。SK 海力士的戰略是通過減少團隊領導的數量而不是減少所有員工來精簡組織，為半導體衰退做準備。
有分析認為，是要以這次危機為新契機，進行自然的換代。它被解釋為通過分配 30 多歲至 40 多歲的年輕員工作為團隊領導者，確保新一代高管候選人，同時使組織本身變得年輕和充滿活力。
SK 海力士已經通過將明年的設施投資削減到今年水平的一半并削減產量，積極為經濟衰退做準備。SK海力士預計半導體市場從明年下半年開始出現反彈，雖然寒潮暫時還會持續。
SK海力士的一位官員表示，“我們無法正式確認內部重組。”
與此同時，SK 海力士最近通過其內部網上的通知宣布了通過減少與高管和領導相關的預算來降低全公司成本效率的計劃。根據計劃，SK海力士決定將執行預算削減50%，團隊負責人預算削減30%，包括活動費用和業務推廣費用。
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展開 SK海力士 | 擊敗三星電子的HBM3秘訣是MR-MUF技術
CINNO Research產業資訊，SK海力士在新一代高帶寬內存(HBM，High Bandwidth Memory)市場上，正展開乘勝追擊。其秘訣正是得益于MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技術。通過自主研發的這項技術，SK海力士不僅擊敗了競爭對手美光半導體（Micron），還擊敗了DRAM市場排名第一的三星電子，主導了處于起步階段的HBM內存市場。曾位居DRAM萬年老二的SK海力士在最前沿的內存市場技術上領先競爭對手，另業界矚目。
根據韓媒Thelec報道，據業界20日消息，據推測，在全球高附加值產品HBM市場，SK海力士占有約70%-80%的份額。
HBM市場目前還處于起步階段，本身規模并不大。盡管如此，作為行業萬年第二的SK海力士依然引領著高附加值DRAM市場，這一點在許多方面意義深遠。
據悉，HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)是由垂直堆疊在一起的DRAM芯片組合而成的高價值、高性能內存，其數據處理速度大幅領先于傳統的DRAM。
HBM廣泛應用于人工智能(AI)、超級計算機、高性能服務器等領域。HBM3 DRAM是第四代HBM產品，此前三代分別為HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及HBM2E（第三代）。
隨著人工智能（AI）和大數據（Big data）等尖端技術的加速發展，全球主要科技企業正在探索創新方法，以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統DRAM，HBM在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢，有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。
今年6月，SK海力士曾宣布首次實現HBM3產品量產，擁有全球最佳性能的DRAM。
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SK海力士 | 投資約756億元！計劃在韓國清州建M15X新工廠
CINNO Research產業資訊，SK海力士為擴大現有M15工廠，將推進M15X工廠建設。預計下月開始動工，目標是2025年初完工。為配合未來存儲器半導體市場的反彈，適時增加供應量，而展開先發制人的投資。
SK海力士9月6日宣布，為確保未來業績增長的基礎，將在忠清北道清州工廠建設新的半導體生產工廠M15X(eXtension)。
SK海力士綜合考慮市場情況等因素，決定實現M15X工廠的提前開工，M15X工廠是已經確定土地的M15的擴張工廠。M15X為復式結構，規模與清州M11、M12兩家工廠的總和類似。
SK海力士計劃在今年10月啟動在清州科技城產業園內占地約6萬平方米的M15X建設工程，目標于2025年初完工。此外，計劃未來5年，M15X工廠建設和生產設備建設總投資15萬億韓元（約756億人民幣）。
此外，對于附近的M17新工廠，SK海力士還將考慮半導體市況等營商環境，決定開工時間。
SK海力士副會長樸正浩表示：“回顧過去10年，在危機中展望未來的大膽投資使SK海力士能夠成長為全球性的企業”，并稱“現在要為即將到來的10年做好準備，M15X工廠的開工將是確保未來發展基礎的第一步。“
2012年，SK海力士納入SK集團，以2015年宣布的“未來遠景”為中心，持續展開10年投資。未來遠景的內容是，從2014年開始，將總投資46萬億韓元（約2317億人民幣），建設包括利川M14在內的共3家工廠。公司先后于2018年實現清州M15竣工、2021年實現利川M16工廠竣工，提前實現了未來遠景。
近年來，由于全球經濟衰退和供應鏈不穩定，存儲器半導體需求急劇下降。不過，由于存儲器半導體市場的波動周期有變短的趨勢，專家預計從2024年市場將開始慢慢恢復，到2025年會反彈。
展開 半導體 | SK海力士收購英特爾NAND閃存業務已獲韓國批準
來源 ：TechWeb
5月30日消息，據國外媒體報道，在獲得美國和歐盟的批準之后，SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業務的交易，也已獲得了韓國監管機構的批準。
SK海力士收購英特爾NAND閃存業務的交易獲得韓國監管機構批準，是由韓國媒體報道的。
韓國媒體的報道顯示，SK海力士收購英特爾NAND閃存業務的交易，已獲得韓國公平貿易委員會的批準。
從韓國媒體的報道來看，韓國公平貿易委員會較快批準這一收購交易，是因為他們認為交易在反壟斷方面的擔憂并不高。
根據韓國公平貿易委員會的數據，收購英特爾NAND閃存業務之后，SK海力士在NAND閃存市場的份額，將由13%提升至27%，份額翻番，但并不會成為第一大廠商，目前已有廠商在這一領域的份額超過30%。
SK海力士收購英特爾NAND閃存業務，是在去年10月份宣布的，SK海力士將以90億美元的價格，收購英特爾NAND固態硬盤業務、NAND閃存和晶圓業務、在大連的NAND閃存制造工廠，還包括英特爾設計和制造NAND晶圓相關的知識產權、研發人員等，英特爾將保留擁有先進存儲技術的傲騰業務。
展開 10納米DRAM制程競爭升溫，SK海力士、美光加速追趕三星
此外，三星及SK海力士也曾預測，認為2018年Q4至2019上半年，DRAM市場需求的成長走勢將出現鈍化。
來源：DIGITIMES
SK海力士回應無錫廠EUV設備受阻
來源：環球
今天，韓國 SK 海力士表示，該公司升級其在中國的設施需要很長時間，但在媒體報道其可能成為美中科技戰爭的潛在受害者后，該公司將按照市場需求和國際法規來運營設施。
由于 SK 海力士仍處于韓國國內設施開發極紫外光刻 (EUV) 設備的初始階段，因此有必要對位于中國東部江蘇省的無錫工廠進行再投資以進行先進工藝的再投資需要相當長的時間，該公司在周五發給《環球時報》的公告中表示。
該公司補充說，SK海力士正在盡最大努力根據市場需求并遵守國際法規在中國運營設施。
此前有媒體報道稱其在無錫市的芯片廠改造計劃可能因美國反對而取消。
路透社周四援引消息人士的話報道稱，SK 海力士對中國一座大型設施進行大修的計劃處于危險之中，因為美國官員不希望在此過程中使用的先進設備進入中國。
該報告稱，潛在的挫折可能意味著 SK 海力士成為中美地緣政治斗爭的下一個受害者。
SK 海力士是全球最大的 DRAM 內存芯片供應商之一，其產品涉及從智能手機到數據中心的所有領域。
路透社報道稱，SK 海力士的生產計劃要求該公司使用荷蘭公司 ASML 制造的一些最新的 EUV 芯片制造機升級無錫的大規模生產設施。
無錫工廠對全球電子行業至關重要，因為它生產 SK 海力士大約一半的 DRAM 芯片，約占全球總量的 15%。
展開 SK海力士子公司將斥約36.8億元生產芯片氣體
CINNO Research產業資訊，工業氣體專業廠商SK Materials Airplus將從今年開始，在10年內進行7000億韓元（約36.8億人民幣）規模的大規模投資。據推測，此舉是為了對應SK海力士新工廠基地—龍仁半導體產業群的需求。
SK Materials Airplus將投資7000億韓元用于增設氣態氮 (GN2) 和清潔干燥空氣(CDA)工廠。從今年開始，該投資將持續10年左右。資金計劃通過自有資本和外部融資籌集。
GN2和CDA是半導體工藝中必不可少的氣體。GN2用于在蒸鍍工藝中將前驅體轉移到晶圓上，還用于防止退火過程中的氧化等。CDA用于半導體氧化膜工藝和廢氣處理設備。隨著客戶公司的半導體生產增加，GN2和CDA的使用量也將隨之增加。
GN2和CDA設備通常建設在客戶公司附近。因此，預計該項目將在SK海力士組建的龍仁產業集群內進行建設。2022年出售的“M16工業氣體工廠事業整體”也位于利川SK海力士園區內。
SK Materials Airplus是SK株式會社的全資控股子公司。為 SK Hynixs（SK海力士）、 SK Siltron和 SK Specialty供應 GN2、CDA、氬氣和其他工業氣體，其最大客戶是SK海力士。2022年和2023年整體銷售額（1743億韓元，2576億韓元）中的78.8%（1373億韓元）、34.3%（883億韓元）來自于SK海力士。
半導體材料行業相關人士對SK Materials Airplus的7000億韓元投資表示:“這估計是考慮到未來龍仁半導體集群建設而進行的先發性投資”，“由于特殊氣體等產業的特性，從開工到完工需要時間，因此傾向于先發制人地投資”。
展開 硅基OLED | LGD與SK海力士聯手！組建Micro OLED同盟
CINNO Research產業資訊，LG顯示和SK海力士將聯手生產Micro OLED。Micro OLED是指擴展現實(XR)設備的核心顯示，在元宇宙時代，XR設備有望成為超越智能手機的新一代設備。
據了解，LG顯示和SK海力士決定在Micro OLED開發和生產上進行合作，并正在進行最后的協商。Micro OLED的像素尺寸小到幾十微米(μm)，非常精細，與普通OLED不同，半導體工藝是必須的。而LG顯示沒有半導體系列公司和生產設備，因此需要與SK海力士等半導體專業廠商合作。據悉，兩家公司在關于具體的角色、協作方面已進入最終協議階段。
SID 2022展出的OLEDoS(來源:LG顯示)
SK海力士進行晶圓設計并繪制電路。LG顯示很可能負責從在晶圓蒸鍍OLED階段到最終完成階段的過程。最終目標是為全球的大型科技公司的XR設備提供顯示屏。蘋果明年初將首次推出第一代XR設備。據悉，LG顯示為第一代XR設備提供用于外部屏幕的OLED指示器。第一代XR設備的Micro OLED由索尼供應。
據悉，LG顯示與SK海力士聯手制定了產能確保方案。SK海力士也致力于成為新一代設備供應商，確保新的增成長動力。
來源：AppleInsider
雙方之間展開合作，是因為判定未來Micro OLED市場將會大幅增長。XR設備被稱為“元宇宙之花”，市場發展潛力大。根據市場調研公司Counterpoint Research的數據，XR頭戴式耳機市場的規模將從去年的1100萬臺增長到2025年的1.5億臺。
Micro OLED: 是能夠實現擴展現實的新一代顯示器。在硅制成的半導體晶圓上蒸鍍紅、綠、藍(RGB)OLED像素制成。比玻璃基板更薄，能搭載更多的像素。
展開 三星電子、SK海力士已向ASML下單可用于2nm工藝的High NA EUV曝光設備
CINNO Research產業資訊，韓國半導體廠商三星電子和SK海力士已向荷蘭阿斯麥公司（ASML）訂購了新一代半導體設備“High NA”極紫外線(EUV)曝光設備。繼臺積電（TSMC）和英特爾（Intel）之后，韓國半導體制造商也即將導入可以實現2nm工藝生產的設備，預計最尖端的半導體工藝領域的競爭將越來越激烈。
根據韓媒ETNews報道，ASML在19日的業績公告中表示：“對于EUV High NA業務，隨著獲取新的Twin Scan EXE:5200設備訂單，目前所有的EUV客戶都已下單了High NA的設備產品。”High NA EUV設備是將表示光的集光能力的鏡頭開口數(NA)從0.33提高到0.55的設備。與現有EUV設備相比，High NA EUV設備可以繪制出更細微的半導體電路。因此業內普遍認為，要實現2nm工藝，High NA設備是必須的。
英特爾和臺積電已經正式表明導入High NA EUV設備。英特爾去年以重新進入Foundry市場為契機，發布綜合半導體企業(IDM 2.0)戰略時曾稱，公司最先采購了High NA EUV設備。這是為了先發制人地導入新一代設備，追趕臺積電和三星電子的系統半導體生產能力。此后，臺積電也宣布已簽訂High NA EUV設備采購合同，但三星電子和SK海力士方面對于設備采購合同的簽訂卻閉口不言。此次ASML的發布，實際上正式公開了韓國半導體廠商導入了High NA設備。但是三星電子和SK海力士方面表示，導入High NA EUV設備是“無法公開聲明的問題”。ASML現有的EUV設備客戶主要包括三星電子和SK海力士、英特爾、臺積電和Micro等。
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光刻膠｜JSR、SK海力士聯合研制DRAM EUV光刻膠
CINNO Research產業資訊，SK海力士繼美國Lam Research之后，將與日本JSR在下一代DRAM領域展開合作。這是確保內存技術領先地位的一個維度。
近日，JSR宣布旗下子公司Inpria和SK海力士為了實現EUV用金屬氧化物PR的應用，開展聯合研究
Inpria 是一家公關公司，成立于 2007 年，是從俄勒岡州立大學化學研究中心分拆出來的。在 2017 年收購 21% 的股份后，JSR 去年獲得了 79% 的股份，從而收購了 Inpria。
自2007年成立以來，Inpria一直致力于開發基于金屬的EUV光刻膠。其主要產品主要由氧化錫組成，使用EUV曝光系統實現了世界上最高分辨率。此外，金屬基光刻膠在干蝕刻過程中的圖案轉移性能方面優于傳統光刻膠，非常適合半導體量產工藝。
PR是一種用于半導體曝光工藝的材料。當 PR被施加到晶圓上并暴露在光掩模上所描繪的光線下時，就會雕刻出電路圖案。這個過程就是曝光。
Inpria 的 PR 是一種基于金屬氧化物的無機材料。現有的有機PR是通過化學物質與光發生反應來雕刻圖案，而無機PR是錫系金屬顆粒與光接觸形成電路。在一個簡單的比較中，液體和固體本質上更堅硬。
因此，無機 PR 的光吸收率是有機 PR 的 4 倍。如果光吸收好，則有利于雕刻微電路圖案。因此，被評價為適用于下一代曝光技術EUV。
然而，它尚未用于存儲器制造過程。如果SK海力士通過與Inpria的合作將其商業化，這是存儲器行業的首例。
JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進的節點器件架構。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”
SK海力士表示，“EUV很復雜，需要先進的材料。
展開 三星、LGD、LGC、SDI、三星電機、SK海力士財報
SK海力士Q1營業利潤約494億元，同比增長66%
CINNO Research產業資訊，根據韓媒zdnet報道，4月28日SK海力士在金融監督院電子公示系統公布，第一季度銷售額、營業利潤和凈利潤分別達到8.4942萬億韓元（約合494億人民幣）、1.3244萬億韓元（約合77億人民幣）和9926億韓元（約合58億人民幣）。
同比去年，銷售額、營業利潤和凈利潤分別增加18%、66%和53%。環比前一季度，銷售額和營業利潤分別增加了7%和37%，但凈利潤卻減少了44%。
SK海力士表示，隨著今年年初半導體市場業況好轉，SK海力士比前一季度和前一年同期取得了良好業績。通常第一季度是淡季，但電腦和移動通信應用存儲器產品的需求增加，對業績起到了有利作用。
同時，主要產品的良率迅速提升，成本競爭力也隨之提高。營業利潤率和凈利潤分別達到16%和12%。DRAM銷量以移動通信、電腦、顯卡產品為中心增加，產品出貨量比前一季度增加4%。NAND Flash隨著移動通信的高內存產品銷售量的增加，與前一季度相比出貨量增加了21%。”
SK海力士對第二季度以后的業績也充滿了期待。預測DRAM需求持續增加的同時，NAND Flash的市場狀況也將得到改善。
SK海力士計劃從第二季度開始提供基于12GB產品的高容量MCP（multi chip package）。并增加DRAM主力產品10納米級第三代(1z)產品的產量。同時，計劃在今年內量產EUV制程的第4代(1a)產品。
NAND Flash將提高128層NAND產品的比重，年內量產176層NAND產品。
展開 市場 | 無錫重點產業集群“龍頭企業”公布：SK海力士、長電科技、華潤微等入選
據悉，無錫市從16個先進制造業重點產業集群中評選出了SK海力士、長電科技等56家“龍頭企業”。
以下為此次部分龍頭企業名單：
在集成電路領域，SK海力士半導體（中國）有限公司、江蘇長電科技股份有限公司、無錫華潤微電子有限公司、中科芯集成電路有限公司4家企業獲選；
在高端裝備領域，江蘇華宏實業集團有限公司、無錫先導智能裝備股份有限公司、天奇自動化工程股份有限公司、上能電氣股份有限公司、中科微至智能制造科技江蘇股份有限公司5家企業獲選；
在電子新材料領域，江蘇雅克科技股份有限公司、無錫帝科電子材料股份有限公司2家企業獲選；
在電子元器件領域，健鼎（無錫）電子有限公司、無錫村田電子有限公司、無錫飛翎電子有限公司3家企業獲選；
在汽車及零部件（含新能源汽車）領域，博世汽車柴油系統有限公司、一汽解放汽車有限公司無錫柴油機廠、江陰模塑集團有限公司、上汽大通汽車有限公司無錫分公司、無錫威孚高科技集團股份有限公司、江蘇通用科技股份有限公司6家企業獲選。
展開 三星/SK海力士推遲擴產：內存大降價夢碎
據臺灣媒體援引業內消息稱，三星電子、SK海力士都計劃推遲工廠擴建、產能擴充計劃，原因是客戶需求正在變緩，會導致DRAM內存、NAND閃存的價格在2019年上半年明顯下滑，這自然是他們不想看到的。
近期，DRAM內存合約價出現了明顯的走低跡象，預計到今年第四季度隨著供應充足、供過于求，DRAM合約價會開始大幅度下降。
NAND閃存方面，盡管第三季度是傳統需求旺季，但今年全球市場供應仍然很充足，64層、72層堆疊3D閃存產能持續提升，但由于筆記本、智能手機市場都相當飽和，需求增長有限。
同時，渠道供應鏈內堆積了大量NAND閃存芯片，進一步導致價格下滑，預計合約價會在今年第三季度環比下降10-15％，超出預期，第四季度則會再降15％。
對于廠商和渠道而言，DRAM內存、NAND閃存的價格在2019年上半年都會面臨很大壓力，當然對消費者而言就是絕對的好事兒了。
目前，三星已經減緩了3D NAND閃存產能的擴充，新的生產線要推到明年上半年才會上線，同時暫停了在韓國華城、平澤新建1ynm DRAM內存芯片工廠的計劃。
在此之前，三星曾計劃從今年第三季度開始，將DRAM內存芯片每個月的產能輸出擴大3萬塊晶圓。
SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND閃存芯片產能擴充的計劃。
簡而言之，內存、閃存(SSD)的價格在未來都會慢慢下降，但因為源頭的刻意控制，不要指望太大的降幅了。
來源：快科技
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