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從去年開始，SK海力士和LG顯示正在為開發Micro OLED進行合作的消息逐漸傳開。但是，這兩家企業生產的產品最終供應到哪里尚不得而知。據thelec報道，SK海力士和LG顯示的Micro LED合作過程中，全球XR設備龍頭企業Meta參與其中，并主導了合作。據悉，今年年初SK海力士和LG顯示的合同正式簽訂，SK海力士和Meta實際上合同也處于收尾階段。

SK海力士進行整體組織重組的原因有很多，例如減少團隊負責人的數量。 首先，內存半導體市場的惡化程度超出預期。目前，股市對SK海力士今年第四季度可能錄得超過1萬億韓元的營業虧損持悲觀看法。2012 年第三季度是 SK 海力士最后一次公布經營虧損。由于預計10年來首次轉虧為盈，SK海力士進入應急管理體系。

通過自主研發的這項技術，SK海力士不僅擊敗了競爭對手美光半導體（Micron），還擊敗了DRAM市場排名第一的三星電子，主導了處于起步階段的HBM內存市場。曾位居DRAM萬年老二的SK海力士在最前沿的內存市場技術上領先競爭對手，另業界矚目。根據韓媒Thelec報道，據業界20日消息，據推測，在全球高附加值產品HBM市場，SK海力士占有約70%-80%的份額。

SK海力士副會長樸正浩表示：“回顧過去10年，在危機中展望未來的大膽投資使SK海力士能夠成長為全球性的企業”，并稱“現在要為即將到來的10年做好準備，M15X工廠的開工將是確保未來發展基礎的第一步。“2012年，SK海力士納入SK集團，以2015年宣布的“未來遠景”為中心，持續展開10年投資。

據悉，LG顯示與SK海力士聯手制定了產能確保方案。SK海力士也致力于成為新一代設備供應商，確保新的增成長動力。來源：AppleInsider雙方之間展開合作，是因為判定未來Micro OLED市場將會大幅增長。XR設備被稱為“元宇宙之花”，市場發展潛力大。

如果SK海力士通過與Inpria的合作將其商業化，這是存儲器行業的首例。JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進的節點器件架構。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”SK海力士表示，“EUV很復雜，需要先進的材料。氧化錫PR將為下一代DRAM提供性能和低成本。”

此后，臺積電也宣布已簽訂High NA EUV設備采購合同，但三星電子和SK海力士方面對于設備采購合同的簽訂卻閉口不言。此次ASML的發布，實際上正式公開了韓國半導體廠商導入了High NA設備。但是三星電子和SK海力士方面表示，導入High NA EUV設備是“無法公開聲明的問題”。ASML現有的EUV設備客戶主要包括三星電子和SK海力士、英特爾、臺積電和Micro等。

因此，預計該項目將在SK海力士組建的龍仁產業集群內進行建設。2022年出售的“M16工業氣體工廠事業整體”也位于利川SK海力士園區內。SK Materials Airplus是SK株式會社的全資控股子公司。為 SK Hynixs（SK海力士）、 SK Siltron和 SK Specialty供應 GN2、CDA、氬氣和其他工業氣體，其最大客戶是SK海力士。

與此同時，SK海力士也保持著保守的投資立場，2018年在半導體設施上投資17.38萬億韓元，2019年減少至12.747萬億韓元，2020年減少至9.89萬億韓元，2021年增加至13.4萬億韓元。據 Kiwoom Securities 稱，SK 海力士今年的設施投資預計將比上年增加 47%，達到 17 萬億韓元。

同時，SK海力士計劃使用最高功率的封裝解決方案來開發混合鍵合，以便將其應用于未來的HBM產品。 利用 SK 海力士的混合鍵合推進封裝技術 雖然SK海力士目前正在開發混合鍵合，以應用于其即將推出的高密度、高堆疊HBM產品，但該公司此前已在2022年成功為HBM2E采用混合鍵合堆疊八層，同時完成電氣測試并確保基本可靠性。

2021 年 12 月，SK 海力士獲得了英特爾在中國大連的 Fab 68 工廠的所有權。不過，該晶圓廠仍被英特爾用于制造 3D NAND 芯片，因此其 2021 年底的產能并未計入 SK 海力士。SK 海力士收購英特爾的 NAND 和 SSD 業務是一項多年的多階段交易，并規定英特爾可以在 2025 年 3 月之前使用該晶圓廠進行晶圓制造，屆時 SK 海力士將完成收購。

2018年，SK海力士被選為第二家技術創新公司，并被評為第一合作伙伴。特別是今年與POSCO合作，成功實現了氖氣的韓國國產化，備受矚目。氖氣是晶圓曝光工藝中使用的準分子激光的氣體的基本材料。從 4 月開始，SK 海力士開始使用 TEMC 的氖氣，并用 TEMC 的氣體替代了大約一半的氖氣總消耗量。在 2024 年，它還宣布了一項將它們全部本地化的計劃。

三星電子和SK海力士的存儲半導體減產也帶來了直接影響。今年4月，三星電子首次宣布了存儲器減產的計劃。 OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Testing）是指從代工或IDM那里獲得晶圓后，提供從晶圓測試到封裝、封裝測試等的業務。

上文也提到，除了鎧俠之外，SK海力士也從佳能購買了納米壓印設備，正在進行用于3D NAND型閃存生產工程的測試，這也被認為是業界最尖端制造工藝中使用的EUV光刻機的下一代設備。 有業內人士表示：“與EUV相比，納米壓印技術形成圖案的自由度較低，因此預計將優先用于生產維持一定圖案的NAND型閃存。”SK海力士開始采購設備也是因為這個原因。”

圖源：美光 相比之下，SK海力士近期在NAND層數上的新聞并不多，不過早在2020年，SK海力士就已經宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發。 我國方面，長江存儲于2018年研發了32層3D NAND芯片并在年底量產，2019年量產了基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存。

周星工程相關人士表示：“在半導體設備領域，過去對SK海力士的依賴程度很高，通過進一步確保海外客戶，實現銷售方渠道多元化，隨著客戶的擴大，利潤率也有所好轉。”去年2月和5月，周星工程公司分別與SK海力士簽訂152億韓元（約0.8億人民幣），303億韓元（約1.6億人民幣）規模的半導體設備工藝合同。

2004年，飽受經營困境的SK海力士(當時為海力士半導體)為了集中于存儲器半導體業務，在清理非存儲器部門時被分離，之后被美國City Group風險投資公司收購，成為現在的公司。 若LX集團收購成功的話，將有望與LX集團旗下的半導體設計專業企業(Fabless)LX Semicon發揮協同效應。

?? 海力士與意法半導體成立閃存合資企業。?? 海力士推出NAND產品。?? 英飛凌推出基于Saifun Charge Trap Flash的NAND產品。?? Panasonic 和 Sanyo 推出第一款基于閃存的攝像機。?? SanDisk 推出 Flash Sansa MP3 播放器。

據悉，三星電子和SK海力士正在與材料企業合作開發后工程光刻膠，全球半導體企業不僅強化后工藝封裝技術，而且也在加強材料開發。

韓國是全球存儲器生產基地，顯示屏生產基地，也是全球晶圓代工基地，三星，海力士，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導體材料。這三種材料直接掐斷了韓國存儲器和顯示屏的經濟支柱。 在 禁運 之后，韓國半導體產業面臨空前危機，一時間，三星半導體，海力士等全球存儲器龍頭都處于時刻停產危機，三星本身的材料存貨只能支撐3個月的生產。