SK海力士 | 擊敗三星電子的HBM3秘訣是MR-MUF技術
CINNO Research產業資訊,SK海力士在新一代高帶寬內存(HBM,High Bandwidth Memory)市場上,正展開乘勝追擊。其秘訣正是得益于MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技術。通過自主研發的這項技術,SK海力士不僅擊敗了競爭對手美光半導體(Micron),還擊敗了DRAM市場排名第一的三星電子,主導了處于起步階段的HBM內存市場。曾位居DRAM萬年老二的SK海力士在最前沿的內存市場技術上領先競爭對手,另業界矚目。
根據韓媒Thelec報道,據業界20日消息,據推測,在全球高附加值產品HBM市場,SK海力士占有約70%-80%的份額。
HBM市場目前還處于起步階段,本身規模并不大。盡管如此,作為行業萬年第二的SK海力士依然引領著高附加值DRAM市場,這一點在許多方面意義深遠。
據悉,HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器)是由垂直堆疊在一起的DRAM芯片組合而成的高價值、高性能內存,其數據處理速度大幅領先于傳統的DRAM。
HBM廣泛應用于人工智能(AI)、超級計算機、高性能服務器等領域。HBM3 DRAM是第四代HBM產品,此前三代分別為HBM(第一代)、HBM2(第二代),以及HBM2E(第三代)。
隨著人工智能(AI)和大數據(Big data)等尖端技術的加速發展,全球主要科技企業正在探索創新方法,以快速處理增速迅猛的數據量。相較于傳統DRAM,HBM在數據處理速度和性能方面都具有顯著優勢,有望獲得業界廣泛關注并被越來越多地采用。
今年6月,SK海力士曾宣布首次實現HBM3產品量產,擁有全球最佳性能的DRAM。SK海力士相關人士表示:“繼去年10月成功開發出業界首款HBM3 DRAM后,時隔7個月實現量產,向客戶供應產品,由此掌握了市場主導權,有望進一步鞏固在高端DRAM市場的領導地位。”
SK海力士在HBM市場之所以嶄露頭角的原動力就是因為MR-MUF這種技術。MR-MUF是一種高端封裝工藝技術。MR-MUF是指將半導體芯片貼附在電路上,在芯片向上堆放時,在芯片和芯片之間使用一種稱為EMC的物質填充和粘貼的工藝。
到目前為止,在這個工藝中使用NCF技術。NCF是一種在芯片和芯片之間使用薄膜進行堆疊的方式。三星電子、SK海力士、美光半導體等DRAM廠商采用了NCF技術。SK海力士從第三代HBM-HBM2E開始采用這種方式。
當初,三星電子等競爭廠商預測是成功采用MR-MUF方式是不可能的。但是SK海力士PKG開發部門通過日本NAMICS公司獲得材料供應,并成功開發。據傳,三星電子等主要DRAM廠商聽到上述消息后,均感到無比震驚。據了解,三星電子目前也在研究MR-MUF方式。
業界某相關人士表示:“MR-MUF方式與NCF相比,導熱率高出2倍左右,不僅對于工藝速度,還是良率等都有很大影響。雖然現在仍處于初期階段,但是從明年開始,預計HBM3市場將正式擴大。”
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