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本文利用HFSS仿真工具，在軟件中模擬芯片近場掃描。

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，包含了Redhawk/HFSS等業界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結構之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設計者優化從芯片至系統的SIPI/熱/結構可靠性等設計指標，此流程已經支持多家客戶在先進工藝節點和大規模的2.5D/3D IC設計上成功流片。

為了確保芯片能夠穩定工作并延長使用壽命，工程師需要在芯片封裝前進行熱仿真分析。芯片熱仿真分析能夠在樣品和產品開始生產之前發現熱問題，指導設計優化，以保證芯片工作時的溫度不超過其最大結點溫度，從而減少打樣試錯次數，節約時間和成本，縮短研發周期，提高產品質量。

為了確保芯片能夠穩定工作并延長使用壽命，工程師需要在芯片封裝前進行熱仿真分析。芯片熱仿真分析能夠在樣品和產品開始生產之前發現熱問題，指導設計優化，以保證芯片工作時的溫度不超過其最大結點溫度，從而減少打樣試錯次數，節約時間和成本，縮短研發周期，提高產品質量。目前，CAE仿真軟件國產化率較低。

該認證使更多的芯片設計人員能夠采用Ansys半導體仿真解決方案來執行多芯片協同分析，從而簡化設計并確保設計成功。 WoW技術涉及垂直堆疊而非水平放置在電路板上的硅晶圓或芯片。

在本次會議中，您將了解由物理感知降階模型驅動的多物理場仿真、從芯片到系統的建模（chip-to-facility modeling）以及多保真數字孿生，如何在整個生命周期內實現可持續、高性能的數據中心。

轉注成型與覆晶底部填膠模擬? 顯示流動與固化過程 ，優化澆口與流道設計? 預測潛在成型瑕疵 ，仿真包封與短射? 計算氣體區域內的壓降，優化排氣設計? 評估制程條件與材料特性，縮短周期時間壓縮成型與晶圓級封裝模擬顯示壓縮成型制程的動態流動波前評估扇出型封裝之芯片偏移、翹曲行為與剪切應力分布毛細底部填膠模擬? 顯示在不同表面張力與接觸角度下，毛細力所產生的流動行為

在本次會議中，您將了解由物理感知降階模型驅動的多物理場仿真、從芯片到系統的建模（chip-to-facility modeling）以及多保真數字孿生，如何在整個生命周期內實現可持續、高性能的數據中心。

本文總結了目前2.5D/3D芯片仿真進展與挑戰，介紹了基于芯片模型的Ansys 芯片-封裝-系統多物理場協同仿真方法，闡述了如何模擬芯片在真實工況下，達到優化芯片信號完整性、電源完整性，優化散熱方式，提高結構可靠性的設計目標，并進行電熱耦合、熱應力耦合分析，指出了仿真技術的未來發展方向。

Ansys Cloud是Ansys基于Azure打造的仿真高性能計算云服務，近日將自動升級計算服務器硬件配置以提供使用當今最新AMD芯片的能力。 全新Azure HBv3 虛擬機專為加速CAE仿真工作流程而設計，采用搭載AMD 3D V-Cache技術的第3代AMD EPYC處理器，讓高性能計算實現前所未有的性能提升。

散熱也有熱設計軟件（比如ICEPAK），通過計算導熱熱阻等，獲得芯片結溫，確保芯片不會過熱。而力學可以用ANSYS的mechanical模塊，可以通過模擬實際封裝工藝流程，確保bump壽命。 華為專利的仿真校核和驗證 針對華為專利內容，下面做了一系列仿真來對此等結構進行校核。首先最重要的是bump壽命以及warpage，畢竟可靠性不達標性能再好也沒有用。

之后硬件工程師根據建議進行器件的初步擺放，結構工程師對主要芯片添加散熱凸臺。3、當初步結構敲定后，就可以對整個“BOX“進行系統性散熱仿真，因為我們關注的是芯片的結溫，所以對于器件仿真還是可以用雙熱阻處理，并且PCB導入后期的詳細布線信息。對于散熱凸臺和器件之間，需要考慮添加界面材料，根據縫隙的保留大小來設置界面材料的厚度，不要超過1mm。

，納斯達克股票代碼：SNPS）是從芯片到系統工程解決方案的全球領導者，助力客戶加速創新，打造由人工智能驅動的產品。我們提供業內領先的芯片設計、IP 核、仿真與分析解決方案以及設計服務。新思科技與來自廣泛各個行業的客戶緊密合作，最大化其研發能力與生產效率，激勵今天的創新，以激發未來無限創意，讓明天更有新思。

5月29日，Ansys推出網絡研討會『汽車電子芯片和模組多維度結構可靠性仿真分析』，會議由Ansys應用工程師主管徐志敏為大家作分享，歡迎所有感興趣的用戶報名參會，了解更多詳情。

今日16:00，Ansys官方『Synopsys-Ansys硅光芯片全新仿真方案解析』研討會將介紹 Lumerical 與 Synopsys OptoCompiler? 的光子集成電路設計集成方案。

Celsius仿真工具的推廣與技術支持，為消費電子、通訊電子、汽車電子等領域的客戶提供從芯片級、封裝級、板級到系統級全尺度的熱解決方案，在散熱設計領域有多年行業經驗與技術積累。