基于位錯密度的晶體塑性umat程序 
作者的模型基于huang程序修改。對位錯密度模型感興趣的需要獲取程序的可以私聊我！！！
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
ABAQUS晶粒尺寸和位錯密度仿真子程序？
請問有大佬了解關于晶粒尺寸和位錯密度子程序嗎?用于顯示動力學或者可以答疑嗎？我這里有vuhard和vumat子程序，但是運行之后，結果都有些問題，程序結構可能有點問題。有償咨詢。類似仿真云圖如下 計算公式如下
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好運降林 ??? 1年前
耦合溫度損傷位錯密度的顯式晶體塑性模型 
溫度場通過初始溫度以及塑性產(chǎn)熱計算，同時忽視局部的熱傳導，準靜態(tài)加載速率下的泰勒-昆尼系數(shù)η為0.0，1000 s加載速率下為0.95?1及以上(塑性功轉化為熱的比例)通過經(jīng)典的熱激活模型，將溫度效應引入流動方程，并考慮溫度對剛度的退化位錯密度模型演化遵循經(jīng)典的KM模型，同時考慮位錯之間的相互作用，即考慮了位錯的產(chǎn)生和湮滅，以及湮滅半徑與溫度的關系。
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
利用abaqus基于位錯密度模型進行切削過程中位錯密度和晶粒尺寸仿真（VUSDFLD） 
位錯密度模型基于Hongtao Ding的論文；
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紅沙西石 ??? 4年前
晶體塑性每日文章推薦（十六） 
作者的理論框架：基于亞彈性的運動學框架其中流動模型為經(jīng)典的冪律流動模型硬化模型基于taylor位錯理論模型與傳統(tǒng)Km位錯密度不同的是，為了更全面理解位錯產(chǎn)生和湮滅的演化特征，作者使用了Zikry等人提出的位錯模型概念，將總位錯密度進一步細分為固定位錯密度和可移動位錯密度，其演化遵循其中G_sour表示由于位錯導致的移動位錯密度增加的系數(shù)，g_minter
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晶體塑性有限元 ??? 2年前
使用USDFLD的改進Drucker-Prager-Cap基于相對密度的子程序
本人在做粉末壓制的案例，哪位大神能做出改進Drucker-Prager-Cap Model參數(shù)基于相對密度的模型的子程序啊？使用USDFLD和Fortran語言，能做出來必定有償重謝！！！！！！！！！！
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Hancher ??? 2年前
abaqus切削仿真VUSDFLD子程序講解（基于位錯密度模型）
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紅沙西石 ??? 4年前
晶體塑性每日文章推薦（十五） 
dg表示該滑移系統(tǒng)距離最臨近晶界的距離，對于FCC-Cu，ks根據(jù)位錯動力學模擬獲得約為5，其余參數(shù)如下作者的案例模型：相同位錯密度不同晶粒尺寸以及相同晶粒尺寸不同位錯密度的流動應力結果如下：相同位錯密度不同晶粒尺寸的累計滑移云圖為：相同位錯密度不同晶粒尺寸的位錯密度分布云圖：相同位錯密度不同晶粒尺寸的等效應力分布云圖：流動應力和晶粒尺寸關系云圖
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晶體塑性有限元 ??? 2年前
晶體塑性每日文章推薦（三） 
，法向唯象的模型預測結果顯著高于位錯密度的模型，說明宏觀變形預測對硬化模型十分敏感，并進一步比較兩種方法在織構演化預測方面的差異，發(fā)現(xiàn)結果無明顯差異，因此可以認為織構演化對硬化模型不敏感對作者分析感興趣的可對huang程序進行簡單修改，并根據(jù)對應參數(shù)復現(xiàn)作者的研究結果
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
晶體塑性每日文章推薦（二十四） 
文章doi：10.1016/j.ijmecsci.2016.11.011推薦理由：作者提出了一個整體迭代方案，本構積分使用全隱式背向歐拉方案，應力與位錯密度同時求解，并且使用滑移阻力作為收斂判據(jù)保證程序的穩(wěn)定性，整體數(shù)值積分框架介紹的非常完整且清晰。并通過鋁合金納米壓痕，不同取向單晶鋁拉伸模擬，以及多晶率剪切的模擬和實驗對比，證明了數(shù)值模型預測的準確性，以及積分方案的穩(wěn)定性。
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晶體塑性有限元 ??? 1年前
晶體塑性每日文章推薦（四） 
文章doi：10.1016/j.ijplas.2019.09.006推薦理由：作者基于經(jīng)典的K-M硬化的位錯密度模型，考慮晶界處更高的位錯塞積，提出了考慮晶界效應的位錯密度模型，探討滑移轉移對Al雙晶拉伸變形機制的影響。
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
非局部晶體塑性本構模型實現(xiàn)與案例演示 
Ma和Roters引入的基于位錯密度的本構模型（Ma和Roter，2004；Ma、Roters和Raabe，2006a，b）使用移動位錯ρmα，沿著滑移系統(tǒng)α滑動，以適應部分外部塑性變形，在基于位錯的模型中，Orowan方程通常代替唯象的冪律流動方程其中ρm是統(tǒng)計儲存位錯密度，b是伯格斯矢量，v是可移動位錯密度平均速度，統(tǒng)計儲存位錯密度表示為初始統(tǒng)計位錯密度和變形過程中統(tǒng)計位錯密度增量之和
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
每日文章推薦（二十二） 
基本框架如下：硬化模型（Taylor（1938）的位錯模型）：其中μ是剪切模量，b是burger矢量，α是唯象的擬合系數(shù)區(qū)間（0.3，0.5），位錯密度由兩部分組成，即統(tǒng)計儲存位錯密度SSD和幾何必須位錯密度GND:幾何必須位錯密度與有效應變梯度直接相關聯(lián)：其中r是nye因子，對于FCC結構通常為1.90統(tǒng)計儲存位錯密度計算方程為：其中σref
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晶體塑性有限元 ??? 2年前
GTN模型文章推薦（二十） 
通過位錯密度的演化來表現(xiàn)材料的硬化，即：對于大多數(shù)（FCC）金屬，材料的剪切流動應力與拉伸流動應力比值為1：3.06。總位錯密度分為兩類（幾何必須位錯密度和統(tǒng)計位錯密度）：應變梯度與幾何必須位錯密度之間存在線性關系，其斜率為burger矢量的大小。
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晶體塑性有限元 ??? 2年前
晶體塑性耦合元胞自動機模擬熱壓縮過程中的再結晶行為 
數(shù)值案例如下：建立一個包含20個晶粒8000個單元的RVE模型，如下所示給定對應的初始形核臨界位錯密度和初始的形核率計算公式以及晶界遷移率公式，通過施加周期性邊界PBC沿著X方向壓縮45%（使用鎳基高溫合金的材料參數(shù)）。
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晶體塑性有限元 ??? 7月前
damask 子程序在windows平臺直接編譯使用 
前面介紹了damask2.03版本和abaqus配合使用，以及damask3.0版本和marc配合使用的案例介紹，當前推文的主要介紹如何把damask子程序正確移植到windows平臺下并被abaqus正確調用，把 DAMASK 跑在 Windows 上這件事，看起來像是在“折騰編譯環(huán)境”，但它真正的價值并不是讓程序“能跑”，而是讓晶體塑性與位錯密度這類微觀機制模型真正進入一個更高效、更可復現(xiàn)、更貼近工程實際的工作流
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晶體塑性有限元 ??? 5月前
lammps在金屬位錯動力學上的應用 
提取位錯 由于派-納力是位錯克服晶體點陣阻力的最小開動力，位錯產(chǎn)生瞬間移動其實是微觀原子發(fā)生了晶體劇烈振動，所以位錯開動的位移距離其實是非常小的，大約在幾個A左右，所以必須要對位錯進行提取，才能準確地定位位錯的位置。 在lammps中位錯線的可視化提取可以觀測位錯的移動情況，但是無法得到文本數(shù)據(jù)，所以需要憑借編程程序進行提取。主要使用的是Julia對文本數(shù)據(jù)進行處理。
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320科技工作室 ??? 4年前
一類非局部GTN模型------考慮應變梯度效應GTN模型 
位錯密度包括統(tǒng)計存儲位錯的密度ρS和幾何必要位錯的密度ρG之和：其中ρG與有效塑性應變梯度的關系表示為r為nye位錯張量，對于FCC材料通常為1.9，拉伸流動應力與剪切應力關系表示為M為taylor因子，對于FCC材料通常為3.06因此流動應力可以通過統(tǒng)計儲存位錯密度和幾何必須位錯密度進行表征，其中幾何必須位錯密度使用有效塑性應變梯度進行代替
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
非局部晶體塑性本構模型實現(xiàn)與案例演示 
Ma和Roters引入的基于位錯密度的本構模型（Ma和Roter，2004；Ma、Roters和Raabe，2006a，b）使用移動位錯ρmα，沿著滑移系統(tǒng)α滑動，以適應部分外部塑性變形，在基于位錯的模型中，Orowan方程通常代替唯象的冪律流動方程其中ρm是統(tǒng)計儲存位錯密度，b是伯格斯矢量，v是可移動位錯密度平均速度，統(tǒng)計儲存位錯密度表示為初始統(tǒng)計位錯密度和變形過程中統(tǒng)計位錯密度增量之和
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
VPSC 8.0 新版本使用介紹 
同時新版本引入了重結晶和更通用的位錯密度的本構框架（如鎂，鈦，鋯，鋅），其中Nye-Kroner model：這是一種描述晶體中位錯密度變化的本構模型，通過計算位錯密度的變化和流動，來預測材料的宏觀塑性變形行為。Dynamic recovery model：這是一種描述動態(tài)回復過程的本構模型，通過考慮位錯密度、晶粒尺寸和應變速率等因素，來預測材料的塑性變形行為。
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晶體塑性有限元 ??? 3年前
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