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從而有助于解決高速電路設計中日益突出的各種PI和SI問題：如信號和電源網絡布線質量的定量分析和耦合分析，電源平面的噪聲分布和去耦電容的放置，封裝的電磁輻射，封裝結構中可能存在的諧振模式，以及走線的整體阻抗檢查和耦合分析等。PowerSI可以在布局布線前用于創建PI和SI的布線規范，也可以在布局布線后用于發現或改善潛在的設計風險。

從而有助于解決高速電路設計中日益突出的各種PI和SI問題：如信號和電源網絡布線質量的定量分析和耦合分析，電源平面的噪聲分布和去耦電容的放置，封裝的電磁輻射，封裝結構中可能存在的諧振模式，以及走線的整體阻抗檢查和耦合分析等。PowerSI可以在布局布線前用于創建PI和SI的布線規范，也可以在布局布線后用于發現或改善潛在的設計風險。

總的說來，這篇專利繞過TSV實現3D封裝，是很好的設計方案，不過對設計有許多要求。 以上的種種要求，都需要仿真去校核與驗證。比如SI和PI問題，是需要用電磁分析軟件來輔助設計（比如高速信號用HFSS，PI問題用SIwave），才能保證信號損耗以及阻抗匹配，保證電源的阻抗在需求范圍內。散熱也有熱設計軟件（比如ICEPAK），通過計算導熱熱阻等，獲得芯片結溫，確保芯片不會過熱。

在這種結構中，rGO作為連接相鄰堆疊的BNNS層的橋梁，使得PI/ 50BNNS@2.5rGO納米復合紙的面內導熱系數達到16.92 W/m?K。該復合材料具有優異的電絕緣性能、較高的熱穩定性和良好的熱管理性能，是先進領域大功率集成器件電子封裝的候選材料。

pcb設計方面具有16年的SI/PI仿真經驗，負責包括PI/SI/EMI/熱仿真在內的仿真團隊，并負責Sanechips ZTE的芯片設計的性能和可靠性。

然而，在多Dies互聯配置下，信號完整性（SI）、電源完整性（PI）以及系統級封裝（SiP）的簽核成為確保3DIC封裝性能和可靠性的關鍵挑戰。本課題旨在提出一種針對3DIC封裝多Dies互聯配置下的SIPI簽核方案，針對對3DIC封裝中的多Dies互聯結構進行詳細的信號和電源完整性分析，確保在整個設計周期內對SI和PI性能進行持續優化和驗證。

聚合物種類有光敏聚酰亞胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、聚苯并惡唑（PBO）。 2、重布線層（RDL）是對芯片的鋁/銅焊區位置重新布局，使新焊區滿足對焊料球最小間距的要求，并使新焊區按照陣列排布。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規劃RDL的線路圖形，最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。

隨著 CoWos、2.5D/3D 集成等先進封裝技術的快速發展，Multi-Die設計已成為業界的核心解決方案。但異構芯片集成與復雜互連架構，催生了電源完整性（PI）、信號完整性（SI）、熱學、力學應力等多物理場的強耦合效應，傳統單物理域仿真方法已難以滿足多芯片系統驗證的精度與效率要求。

隨著 CoWos、2.5D/3D 集成等先進封裝技術的快速發展，Multi-Die設計已成為業界的核心解決方案。但異構芯片集成與復雜互連架構，催生了電源完整性（PI）、信號完整性（SI）、熱學、力學應力等多物理場的強耦合效應，傳統單物理域仿真方法已難以滿足多芯片系統驗證的精度與效率要求。

4月27日，Ansys將推出主題網絡研討會『5nm InFO設計中的PI簽核方法介紹』， 本次活動特別邀請到中興微電子Sanechips高級物理設計工程師丁萍做相關介紹，歡迎預約本場活動，了解更多詳情。

）等模型作為交互基礎，將芯片、封裝、PCB及系統在同一平臺，通過模型互連的方式進行對2.5D/3D 芯片的SI/PI/熱等指標進行準確分析。

4.在芯片封裝方面，SIwave CPA支持多Die，多參考回路VRM，以及全新的芯片后端封裝電磁模型流程。

仿真服務內容1) SI仿真2) PI仿真3) Thermal仿真4) EMC仿真5) 2.5D/3D先進封裝仿真四. 主要仿真平臺 掃描二維碼下載白皮書

與普通的剛性OLED相比，柔性OLED對面板的柔韌性有更高要求，因此采用聚酰亞胺（PI）基板替代傳統的玻璃基板，通過層層堆疊無機膜和有機薄膜來實現薄膜封裝。這種結構不僅賦予了面板彎曲的能力，還增強了其耐用性和靈活性。現有的無機膜使用了通過CVD方法形成的前驅體。前驅體是指在顯示屏和半導體工藝中用于堆疊薄膜的沉積過程中的基礎材料。

1. 3電磁干擾SiP 作為高度集成的封裝技術，存在高速、高密度、高功耗、低電壓和大電流的發展趨勢，產品的抗電磁干擾能力對新產品的成敗起到關鍵性的作用，其中電源分布網絡( PDN) 設計和電源完整性( PI) 研究的挑戰日益嚴峻。理想的電源供給系統提供的電壓是一個恒定值，但是，實際的供電系統并不是穩定的。

②半導體封裝用光刻膠受益于柔性顯示及先進封裝發展，國產替代空間廣闊，國產化趨勢明顯，帶動公司產業化布局。鼎龍運用在新型顯示PI材料領域的豐富經驗，實現了半導體封裝PI關鍵樹脂的自主研發生產，產品全面覆蓋非光敏PI、正性PSPI和負性 PSPI，滿足前道IGBT功率模塊封裝和后道半導體先進封裝需求。目前，多款型號產品已經在多家晶圓制造客戶端同時驗證，客戶反饋結果良好。

三大核心挑戰： 信號完整性（SI） ：2.5D/3D封裝下，高密度互連帶來信號串擾、傳輸延遲 電源完整性（PI） ：芯片堆疊導致電源噪聲激增，影響系統穩定性 熱管理：高功耗芯片需要精密散熱設計，熱-電-磁-結構多重耦合NO.1 征服先進封裝信號與電源挑戰——Ansys SIPI一站式解決方案 核心價值：在先進封裝（如2.5D/3D-IC

翻譯：上海安世亞太 電源分配網絡(PDN)時域噪聲分析是SI/PI/EMI分析的一個重要部分，SIwave可以利用CPM的電流PWL文件作為瞬態分析的電流負載，結合C4bump的RLC寄生參數，給出更真實和準確的噪聲值。傳統的電源分配網絡（PDN）PI分析只致力于系統的頻域和直流性能分析。