具有三維結(jié)構(gòu)的高導(dǎo)熱絕緣PI/BNNS@rGO復(fù)合薄膜
來(lái)源 | Applied Surface Science
背景介紹
微電子器件的發(fā)展加快了網(wǎng)絡(luò)信息傳輸?shù)乃俣取H欢部赡軐?dǎo)致電子設(shè)備的功耗和加熱能力要求顯著增加。為了保證設(shè)備的可靠性和延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命,高頻電路板產(chǎn)生的熱量必須通過(guò)熱接口材料(TIMs)進(jìn)行散熱。理想的TIMs應(yīng)具有高導(dǎo)熱性、優(yōu)異的電絕緣性、柔韌性和輕量化,并適應(yīng)柔性電子等新興技術(shù)。
六方氮化硼(hBN)是石墨烯類似物,具有良好的力學(xué)性能、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,以及超高的導(dǎo)熱系數(shù)(200-600 W/mK),因此在聚合物基復(fù)合材料研究領(lǐng)域備受關(guān)注。研究結(jié)果表明,由于原h(huán)BN的聚集性和相容性較差,界面聲子振動(dòng)失配,導(dǎo)熱途徑不有效,因此hBN基復(fù)合材料的導(dǎo)熱系數(shù)通常較低,不能滿足高導(dǎo)熱界面材料的要求。
由于具有較大的比表面積和豐富的邊基,氮化硼納米片BNNS在聚合物基質(zhì)中的分散性和相容性方面往往比未剝離的hBN具有前所未有的優(yōu)勢(shì)。然而,剝離后的BNNS橫向尺寸僅為100 nm,厚度達(dá)到10 nm。因此,制備厚度均勻、產(chǎn)率高的高質(zhì)量BNNS對(duì)于制備具有高導(dǎo)熱性能的柔性復(fù)合膜具有重要意義。
近年來(lái),高性能PI納米纖維薄膜在導(dǎo)熱領(lǐng)域得到了廣泛的研究。以及利用氧化石墨烯/膨脹石墨復(fù)合制備了具有高導(dǎo)熱性的多層電磁干擾屏蔽柔性薄膜。根據(jù)其他研究結(jié)果表明,通過(guò)在BNNS之間建立橋梁來(lái)提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱性仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。
02
成果掠影
圖6.PI納米復(fù)合膜, PI/50BNNS納米復(fù)合膜,PI/50BNNS@2.5rGO納米復(fù)合膜的模擬與計(jì)算示意圖。
END

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