TSV
關注創建者：skyme 創建時間：2016-02-25
TSV的實例教程
TSV軟件前后處理器TSV-Pre和TSV-Post，以最新的IT技術為基礎，專門設計了針對CAE模型的數據結構，采用先進的網格劃分算法和圖形處理技術，在各個核心技術領域處于領先地位。大量專家庫的導入，確保了網格生成的高速和高質量。全新的算法和獨特的數據結構， 使得用戶在常規的PC機上，使用TSV就可以對數百萬節點規模的有限元模型輕松自如地進行操作、自由地進行數據掃描、讀取、分類、分組與加工。這是目前別的CAE前后處理器所無法實現的。
司浩南
銷售經理
Technostar 北京代表處
電話: 86 10 62136933-84
傳真: 86 10 62132522
手機: 182 1019 5905
電子郵箱: haonan.si@e-technostar.com.cn
公司網址：http://www.e-technostar.com
MSN：sihaonan@hotmail.com
TSV軟件宣傳冊.pdf
展開 TSV
TSV（Through Silicon Via ）硅通孔，其主要功能是Z軸電氣延伸和互聯的作用。
TSV按照集成類型的不同分為2.5D TSV和3D TSV，2.5D TSV是指的位于硅轉接板Inteposer上的TSV，3D TSV 是指貫穿芯片體之中，連接上下層芯片的TSV，如下圖所示。
下圖所示為貫穿芯片體的3D TSV 的立體示意圖。
TSV的制作可以集成到生產工藝的不同階段，通常放在晶元制造階段的叫 Via-first，放在封裝階段的叫Via-last。
將TSV在晶圓制造過程中完成，此類硅通孔被稱作Via-first。Via-first TSV又可分為兩種階段，一種是在Foundry廠前端金屬互連之前進行，實現core-to-core的連接。該方案目前在微處理器等高性能器件領域研究較多，主要作為SoC的替代方案。另外一種是在CMOS完成之后再進行TSV的制作，然后完成器件制造和后端的封裝。
將TSV放在封裝生產階段，通常被稱作Via-last，該方案可以不改變現有集成電路流程和設計。目前，業界已開始在高端的Flash和DRAM領域采用Via-last技術,即在芯片的周邊進行硅通孔TSV制作，然后進行芯片或晶圓的層疊。
TSV的尺寸范圍比較大，大的TSV直徑可以超過100um，小的TSV直徑小于1um。
隨著工藝水平的提升，TSV可以做的越來越小，密度也越來越大，目前最先進的TSV工藝，可以在芝麻粒大小的1平方毫米硅片上制作高達10萬~100萬個TSV。
和 Bump以及RDL類似，TSV的尺寸也會隨著工藝的提高變得越來越小，從而支撐更高密度的互聯。
展開 TSV
TSV（Through Silicon Via ）硅通孔，其主要功能是Z軸電氣延伸和互聯的作用。
TSV按照集成類型的不同分為2.5D TSV和3D TSV，2.5D TSV是指的位于硅轉接板Inteposer上的TSV，3D TSV 是指貫穿芯片體之中，連接上下層芯片的TSV，如下圖所示。
下圖所示為貫穿芯片體的3D TSV 的立體示意圖。
TSV的制作可以集成到生產工藝的不同階段，通常放在晶元制造階段的叫 Via-first，放在封裝階段的叫Via-last。
將TSV在晶圓制造過程中完成，此類硅通孔被稱作Via-first。Via-first TSV又可分為兩種階段，一種是在Foundry廠前端金屬互連之前進行，實現core-to-core的連接。該方案目前在微處理器等高性能器件領域研究較多，主要作為SoC的替代方案。另外一種是在CMOS完成之后再進行TSV的制作，然后完成器件制造和后端的封裝。
將TSV放在封裝生產階段，通常被稱作Via-last，該方案可以不改變現有集成電路流程和設計。目前，業界已開始在高端的Flash和DRAM領域采用Via-last技術,即在芯片的周邊進行硅通孔TSV制作，然后進行芯片或晶圓的層疊。
TSV的尺寸范圍比較大，大的TSV直徑可以超過100um，小的TSV直徑小于1um。
隨著工藝水平的提升，TSV可以做的越來越小，密度也越來越大，目前最先進的TSV工藝，可以在芝麻粒大小的1平方毫米硅片上制作高達10萬~100萬個TSV。
和 Bump以及RDL類似，TSV的尺寸也會隨著工藝的提高變得越來越小，從而支撐更高密度的互聯。
展開 基于Z軸延伸的 先進封裝技術
基于Z軸延伸的先進封裝技術主要是通過TSV進行信號延伸和互連，TSV可分為2.5D TSV和3D TSV，通過TSV技術，可以將多個芯片進行垂直堆疊并互連。
在3D TSV技術中，芯片相互靠得很近，所以延遲會更少，此外互連長度的縮短，能減少相關寄生效應，使器件以更高的頻率運行，從而轉化為性能改進，并更大程度的降低成本。
TSV技術是三維封裝的關鍵技術，包括半導體集成制造商、集成電路制造代工廠、封裝代工廠、新興技術開發商、大學與研究所以及技術聯盟等研究機構都對 TSV 的工藝進行了多方面的研發。
此外，需要讀者注意，雖然基于Z軸延伸的先進封裝技術主要是通過TSV進行信號延伸和互連，但RDL同樣是不可或缺的，例如，如果上下層芯片的TSV無法對齊時，就需要通過RDL進行局部互連。
5．CoWoS
CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）是臺積電推出的 2.5D封裝技術，CoWoS是把芯片封裝到硅轉接板（中介層）上，并使用硅轉接板上的高密度布線進行互連，然后再安裝在封裝基板上，如下圖所示。
CoWoS和前面講到的InFO都來自臺積電，CoWoS有硅轉接板Silicon Interposer，InFO則沒有。CoWoS針對高端市場，連線數量和封裝尺寸都比較大。InFO針對性價比市場，封裝尺寸較小，連線數量也比較少。
臺積電2012年就開始量產CoWoS，通過該技術把多顆芯片封裝到一起，通過Silicon Interposer高密度互連，達到了封裝體積小，性能高、功耗低，引腳少的效果。
展開 例如，AMD Radeon Vega GPU中使用的HBM2，由8個8Gb 芯片和一個邏輯芯片通過TSV和微凸點垂直互連， 每個芯片內包含5000個TSV，在一個HBM2中，超過40000個TSV通孔。
HBM堆疊沒有以物理方式與CPU或GPU集成，而是通過細節距高密度TSV轉接板互連，HBM具備的特性幾乎和芯片集成的RAM一樣，因此，具有更高速，更高帶寬。適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。
于大全博士評價：HBM與CPU/GPU通過2.5D TSV轉接板技術的完美結合，從芯片設計、制造、系統封裝呈現了迄今為止人類先進的電子產品系統。而我國在這個尖端領域全面落后，亟需協同創新。
于大全博士在報告分享中指出，當前，TSV開孔在約10μm，深寬比在約10：1，微凸點互連節距在40-50μm。在有源芯片中，由于TSV本身占據面積較大，且有應力影響區，因此，亟待進一步小型化，降低成本。從技術發展來看，TSV開口向著5μm以下，深寬比10以上方向發展，微凸點互連向著10μm節距、無凸點方向發展。
圖4 高性能3D TSV產品路線圖
圖4總結了近幾年高性能3D TSV產品路線圖，可以看到越來越多的CPU、GPU、存儲器開始應用TSV技術。一方面是TSV技術不斷成熟，另一方面，和高性能計算、人工智能的巨大需求牽引分不開。
1.3 各家3D IC技術
1.3.1 臺積電SoIC
根據2018年4月臺積電在美國加州 Santa Clara的24 屆年度技術研討會上的說明，SoIC是一種創新的多芯片堆疊技術，是一種將帶有TSV的芯片通過無凸點混合鍵合實現三維堆疊。
SoIC技術的出現表明未來的芯片能在接近相同的體積里，增加雙倍以上的性能。
展開 
TSV的相關專題、標簽、搜索
TSV的最新內容
電熱力多物理場分析
簡介：隨著摩爾定律逼近物理極限，TSV（硅通孔）技術已成為3D封裝與異構集成的關鍵互連方案。
這些芯粒之間依靠硅通孔（TSV）和硅中介實現互連。TSV是穿過硅中介的垂直導電通道，如同打通各層之間的“電梯”，能夠顯著縮短互連長度、降低寄生電容、提高信號帶寬，從而提升系統整體性能。
依托新思科技Multi-die解決方案，實現從可行性分析到簽核的統一流程，涵蓋3D堆疊、自動化 TSV 與微凸點規劃、互連路由及熱、功率、信號完整性驗證，助力打造高性能、低功耗的下一代系統。
Chiplet封裝驗證：針對2.5D/3D封裝設計，ERC可檢查硅中介層（Interposer）上的TSV（硅通孔）間距、微凸塊對齊度及熱應力分布。在某AI芯片項目中，該功能使封裝測試周期從6周壓縮至2周。
結合電子背散射衍射（EBSD）實驗與耦合熱–力的多晶相場模擬，揭示電鍍 TXV-Cu 在退火過程中的晶粒演化行為及其對可靠性的影響;基于相場方法的退火晶粒演化模型，將溫度依賴的界面遷移率、界面能及熱膨脹效應納入描述框架，從而在數值模擬中再現 TXV-Cu 的微觀組織演變過程。該模型不僅能夠為實驗觀察提供理論支撐，還可進一步用于預測不同工藝參數下 TXV-Cu 的組織演化規律，為優化工藝與提升器件可靠性提供指導
mvTV1lKvFMoq41sulG2bSidqQXX2YnefYyV5ilSI0u8rjWSaR5nXYto0rs/b3wCyxhhEGwpKqMKoOo0FhPbAYKrHLPgnh3JYrk8kKSUDYGQANVGAN7ajvEMRH/rY9MYx/2s4lj19PXOPX0/8+M4z6/r9/55GSwHxjyRxgecfH9fB84+taksR+Rz844z+Yz4+M/9fNy/QewF16n1TSV4wxfWbKMHV64bjLrGwbAwHOEzqzhAxLmviwpQspLAhDDNZFcOWZ4y43c
3DIC 封裝即三維集成電路封裝，是一種將多個芯片或芯片層垂直堆疊，并通過硅通孔（TSV）等技術實現互連的先進半導體封裝技術。在半導體技術持續進步的當下，先進封裝（3DIC）技術憑借將多個芯片垂直堆疊，并借助硅通孔（TSV）達成垂直互聯的方式，已然成為提升芯片集成度與性能的關鍵路徑。
<p><strong>3DIC</strong>（3D Integrated Circuit）是一種通過垂直堆疊多層芯片或晶圓，并利用先進互連技術（如硅通孔TSV）實現三維集成的半導體技術。其核心目標是突破傳統平面集成電路的物理限制，在更小的空間內實現更高性能、更低功耗和更強功能集成。
PnjyfjqV6u/eUhKi4R4HgnWvH4Gvb8b8+CfGz8JcfP6Y8DPPk+fnP/AJDpTnHB+ckk7uPsPGT+wHPweennEyF5ABUpSwASUghR7Rv7Rv8AKvIHt5/J+C4/xznGcZ/4c4HJ++fv0JP24B5855HHgY3D9v2IHT2j2loltM1iO+uAQFRpsEl6N6S9EB12OS5EkNk+nJjS240hp5tSVs9pQVjhh5HGP1znz9gPH7Y5
</p><p><strong>三、行業拓展，聚焦IC領域創新</strong></p><p><strong>1、豐富的</strong><strong style="color: rgb(9, 64, 142);">芯片封裝庫</strong></p><p>IC行業拓展方面，Simdroid-EC擁有芯片封裝庫，支持<span style="color: rgb(9, 64, 142);">TSV<
