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關注創建者：Ansys中國 創建時間：2020-03-05
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ANSYS SI/PI/EMI 2020 R1新功能介紹
適用人群：si工程師，layout工程師，EMC工程師，硬件設計工程師，硬件測試工程師 ANSYS SI/PI/EMI 2020 R1新功能介紹【已結束】? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?直播時間：2020-02-27 16:00 SI/PI/EMC仿真分析是電子設備電磁性能設計優化非常關鍵的工作內容，ANSYS 2020 R1版本針對該領域對各個軟件模塊進行了各項功能升級
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ANSYS SI/PI/EMI&TI 2019 R3 新功能介紹
適用人群：ANSYS SI/PI/EMI/EM-Thermal相關用戶群體 ANSYS SI/PI/EMI&TI 2019 R3 新功能介紹 【已結束】 直播時間：2019-10-17 20:00 添加微信客服jishulink555，免費加入微信交流群~ ANSYS 2019R3是ANSYS在2019年Q3季度發布的最新版本軟件
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SI的實例教程
影響Al-Mg-Si合金的彎曲性能因素有：1）織構；2）含Fe相的形貌、尺寸和數量；3）再結晶晶粒尺寸；4）晶界析出相。板材的再結晶織構、析出相、晶粒尺寸與合金成分以及熱加工工藝密切相關。目前，關于Al-Mg-Si合金板材的彎曲性能研究的不多，尤其是合金成分以及熱加工工藝對翻邊性能的影響。
重慶大學、中鋁科學院和加拿大英屬哥倫比亞大學等單位的研究人員設計了四組不同Mg/Si比的Al-Mg-Si合金，探討了Mg和Si元素含量對合金板材微觀組織、織構和彎曲性能的影響，通過SEM、TEM、EBSD和XRD等手段分析了鑄態、均勻化處理、熱軋和冷軋以及固溶處理后合金中析出相、織構的演變。通過VPSC模擬了Al-Mg-Si合金板材的應力應變行為以及塑性應變比r值，討論了板材在180°彎曲過程中的斷裂機理。相關論文以題為“The effect of Mg and Si content on the microstructure, texture and bendability of Al-Mg-Si alloys”發表在Materials Science & Engineering A。
展開 圖3.影響Si3N4陶瓷熱導率的微結構因素。
其中，O 固溶進入 Si3N4 晶格形成的 Si 空穴造成強烈的聲子散射(式(1))，是降低 Si3N4 陶瓷熱導率的主要外部因素。當前提升 Si3N4 陶瓷熱導率的手段主要有：(1)選用高純Si3N4 粉或更低氧含量的 Si 粉為原料； (2)選擇有效的非氧化物燒結助劑； (3)優化燒結工藝或在高溫下對樣品進行退火熱處理。然而，無論采用哪種方式，獲得熱導率＞ 100 W·m-1K-1的Si3N4 陶瓷往往需要在高溫下(如 1900 ℃)進行長時間的燒結， 異常長大的 β-Si3N4 晶粒雖可以提升熱導率， 但犧牲的力學性能會使 Si3N4 陶瓷喪失作為基板材料的優勢。鑒于此，通過優化組分配方和燒結工藝來制備兼顧熱學和力學性能的 Si3N4 陶瓷，成為研究者關注的重點。
Si3N4 陶瓷用作基板材料， 除熱學和力學性能外，其介電擊穿強度(Dielectric breakdown strength, DBS)和覆銅后的性能評價最近也得到廣泛研究。Si3N4 陶瓷基板的 DBS 受基板厚度、孔隙率和微結構等因素的影響；覆銅 Si3N4 基板的性能評價則包括測試 Si3N4 基板與銅片的結合強度，高溫熱循環后的界面結合情況以及基板的剩余強度等。作為功率模塊封裝材料的一部分，高強高熱導 Si3N4 陶瓷只有完成上述一系列性能評價，才能最終實現從實驗室制備到商業化應用的跨越。
展開 根據石油化工安全儀表系統設計規范：GB/T 50770-2013對SIS和BPCS是否可以共用的要求見表1所列。
從表1中可以看出，石油化工安全儀表系統設計規范：GB/T 50770-2013對于SIS和BPCS是否允許共用的前提條件只限定在SIL級別，沒有給出其他的前提條件。目前，過程工業領域安全儀表系統的功能安全第1部分正在修訂，筆者認為表1中的規定應該會做相應的修訂，以保持和SIS及獨立保護層的理念相協調。
按照過程工業領域安全儀表系統的功能安全的要求，當一個設備作為SIS的一部分時，則不應同時用于BPCS，這樣要求的目的是可以避免該設備失效時，導致BPCS和SIS同時失效。當SIS和BPCS有共用設備，并且共用設備的危險失效可能要求SIS執行安全功能時，就會引入新的風險，風險的大小與共用設備的危險失效率相關。因共用設備故障時會要求SIS執行安全功能，而SIS對此無法作出響應，即不能成功執行對應的安全功能，又無法實現風險降低的目的。因為風險大小和事故發生的頻率有關，只有當共用設備的失效概率足夠低，并經分析后確認其風險可接受，此時可認為SIS和BPCS可以共用設備。對于SIS和BPCS是否可以共用設備，需要進行分析以保證共用設備的危險失效率足夠低，確認其失效后的風險可接受。SIS和BPCS使用共用傳感器或者共用控制閥的前提條件是相關設備的失效率足夠低且SIS能在要求的時間內把過程置于安全狀態。實際的情況是，即使對于SIL1的應用場景，也很難做到這一點。
3 實際工程中的執行原則
3.1 基本原則
SIS和BPCS應獨立，包括測量儀表、最終執行元件和邏輯控制器，SIS和BPCS的獨立性示意如圖2所示。
展開 ⑤SIS不設操作站時，在BPCS操作站實現軟旁路，方便旁路開關的動作報警、記錄和操作人員對旁路的管理。
⑥BPCS與SIS通訊，BPCS畫面并不代替SIS畫面功能，SIS操作站或工程師站上畫面顯示SIS聯鎖邏輯圖、報警畫面、記錄畫面等，顯示測量值、報警值、聯鎖值、聯鎖動作信號。SIS畫面清晰、簡單，有利于對系統的管理。
化工企業在自動控制系統中，BPCS與SIS發揮著不同的作用，只有把BPCS與SIS統一管理，才能更好的發揮控制系統作用，提高生產裝置的本質安全水平。
展開 \ 1 \
SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高耐壓。要想提高Si-SBD的耐壓，只要增厚圖中的n-型層、降低載流子濃度即可，但這會帶來阻值上升、VF變高等損耗較大無法實際應用的問題。因此，Si-SBD的耐壓200V已經是極限。而SiC擁有超過硅10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。
SiC-SBD和Si-PN結二極管
通過Si二極管來應對SBD以上的耐壓的是PN結二極管（稱為“PND”）。下圖為Si-PN二極管的結構。SBD是僅電子移動，電流流動，而PN結二極管是通過電子和空穴（孔）使電流流動。通過在n-層積蓄少數載流子的空穴使阻值下降，從而同時實現高耐壓和低阻值，但關斷的速度會變慢。
盡管FRD（快速恢復二極管）利用PN結二極管提高了速度，但盡管如此，trr（反向恢復時間）特性等劣于SBD。因此，trr損耗是高耐壓Si PN結二極管的重大研究項目。
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單位
除非另有說明，所有量均以國際單位制（SI）單位返回。
支持材料
小結
這篇文章介紹了 Lumerical 中 RCWA 求解器，其中包括 RCWA 求解器的基本原理、使用方法、關鍵設置（如傳播方向、偏振、反向傳播選項）、適用場景（對比 FDTD 和 STACK），以及它對各向異性和有損材料的支持與限制。
此外，作者還比較了 Fe-3%Si 柱狀晶樣品中的晶格曲率，模型預測的晶界附近曲率峰值與實驗結果基本一致。
在小誤差假設下，建立z?與透鏡組偏心的線性關系，構建靈敏度矩陣：
式中：為各視場z?與理想焦移的差值，Si,j為一階靈敏度矩陣，ΔD為系統誤差量。基于z?參數定義損失函數，采用BFGS算法極小化損失，快速校正透鏡組偏心，初步消除場曲與像散，全程無需復雜波前測量，數據采集與標定僅需3分鐘。
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</p><p><strong>參考文獻</strong></p><p>[1] SI Zhanshan, SHI Guangfeng, TANG Ya, et al. Defocusing and compensation analysis of security lens under temperature load[J].
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目前于Ansys電磁場技術團隊負責板級SI/PI/EMC解決方案。加入Ansys之前，陸續在華為、海思及中科院物理與數學研究所負責EMI\EMC等相關領域設計業務。
