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氣動阻尼計算/葉片周期性運動設置可導入并讀取葉片模態數據，基于模態數據文件指定葉片的單向震動模式，然后通過traveling wave method指定葉片的項目交叉以及葉片變形的旋轉方向，目前只支持瞬態仿真。.CSV格式文件處理Fluent可讀入.CSV格式文件，可自動讀入文件中單位系統并轉化為SI單位用于計算時使用。氣動仿真和氣膜冷卻模型也同樣支持。

3.應用范圍：常用材料為Si， Ansys Lumerical中的相關案例為：Traveling Wave Mach-Zehnder Modulator（相關鏈接：https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042328774-Traveling-Wave-Mach-Zehnder-Modulator） 圖8：行波馬赫-曾德爾調制器

CPS SI仿真流程 典型的SI仿真流程分析分為無源通道優化和有源鏈路仿真兩部分，有源鏈路遇到的主要問題包括： 預加重設置 均衡設置 無源鏈路需要考慮和優化的問題包括： 高頻衰減 信號串擾 趨膚效應 表面粗糙度

具體來說，該器件是在由400nm厚TFLN層、3μm厚埋氧化物層和525μm厚Si襯底層組成的x-cut絕緣上鈮酸鋰（LNOI）晶圓制造的。調制部分的TFLN波導具有200nm的脊高和1.5μm的寬度。該設備采用光柵耦合器（GCs）作為光纖與芯片的接口，并使用多模干涉耦合器作為3dB光束分離器和合束器。圖2c,e展示了調制部分的橫截面結構。

在許多情況下，散射到Si襯底中的光將是一個重要的損耗通道，應該加以考慮。對于EME仿真，有幾個因素會影響收斂： 使用的 cell數量 橫向網格分辨率 使用的模式數量理想情況下，我們希望達到這樣的程度：增加任何這些屬性對結果的影響都微不足道。可以使用腳本自動循環不同數量的模式、cell或橫向網格。此外，查看前向傳播模式的系數也很有用。

基于TFLN平臺的Traveling-wave Mach–Zehnder調制器（MZM）已經實現調制效率 達2.2Vcm，3dB調制帶寬達100GHz。此外，混合型TFLN-Si MZMs與相干TFLN MZMs的 值均達≈2.3Vcm。為降低微波損耗，采用容性加載慢波電極，同時保持石英基TFLN平臺的調制效率。據報道在1GHz信號頻率下 值約為2.3V·cm。

Zhu 等研究了金剛石含量對于復合材料熱導率的影響，利用原位反應放電等離子燒結技術(insitu reactive spark plasma sintering, SPS)制備了硅-金剛石-碳化硅復合材料(Si-diamond-SiC)，如圖 1 所示。