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采用孤立線條、版密集線條和密集接觸孔的OPC和HSMO仿真參數 采用孤立線條、版密集線條和密集接觸孔的OPC和HSMO仿真結果05/PW擴展效果損失函數收斂：HSMO在30~35次迭代內可有效降低損失函數，可見下圖。

OPC軟件以邊緣放置誤差（EPE）為核心評價指標，反復對比當前掩模版曝光仿真結果與目標設計圖形的EPE差異，通過不斷調整各短柵格的位置來縮小誤差，直至EPE達到預設的容差范圍，完成基礎修正。第四步是多因素綜合補償。

然而，不同非線性CS-SMO技術的適配場景與性能表現尚未形成系統對比，仿真條件的差異也導致技術優劣難以客觀評判。基于此，本文以非線性壓縮感知光源-掩模優化的數學模型為核心，搭建標準化仿真環境，選取水平條塊圖形、豎直線條圖形及復雜電路圖形作為典型測試對象，從成像精度、計算效率、工藝窗口兼容性等維度，系統開展不同SMO技術的性能對比研究。

光源掩模聯合優化（SMO）作為另一項核心技術，聚焦于通過協同優化光源與掩模圖形，降低工藝因子并突破單次曝光的分辨率極限。與傳統“先確定光源再優化掩模”的順向思路不同，SMO采用逆向計算邏輯：以芯片需要成型的目標圖像為出發點，通過精確的成像模型反推計算，得出最佳的掩膜版圖形與光源配置方案。

此腳本的設計用于讀取舊版*.dat文件（僅輻照度）以及當前FRED網格數據*.fgd文件格式，后者包含輻照度或復數標量場數據。運行時，用戶首先從列表中選擇一個光源，并指定該光源是否為相干的。接下來，文件以對話框呈現，允許選擇*.fgd或*.dat文件。如果選擇了*.dat文件，腳本將創建并保存數據為*.fgd文件。然后，腳本為選定的光源填充振幅/相位掩模并設置數據類型。

在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示： 掩模的基板被具有兩個開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個開口的下方，位于相移區域。 由于這個例子是所謂的一維掩模(線/空間模式)，在xy平面中有一個2D仿真域。

此腳本的設計用于讀取舊版*.dat文件（僅輻照度）以及當前FRED網格數據*.fgd文件格式，后者包含輻照度或復數標量場數據。運行時，用戶首先從列表中選擇一個光源，并指定該光源是否為相干的。接下來，文件以對話框呈現，允許選擇*.fgd或*.dat文件。如果選擇了*.dat文件，腳本將創建并保存數據為*.fgd文件。然后，腳本為選定的光源填充振幅/相位掩模并設置數據類型。

圖4 （a）入射耦合光柵結構示意圖；（b）入射耦合光柵衍射耦合效率Zemax精準驗證隨機掩模光柵的成像性能在隨機掩模光柵的設計中，掩模的隨機分布是否會影響成像質量，是方案可行性的關鍵驗證點。該團隊采用Zemax搭建仿真模型，對隨機掩模光柵的成像性能進行了系統驗證，為方案的可行性提供了精準的仿真數據支撐。

在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示： 掩模的基板被具有兩個開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個開口的下方，位于相移區域。 由于這個例子是所謂的一維掩模(線/空間模式)，在xy平面中有一個2D仿真域。在源文件中設置3DTo2D = yes標簽，以執行用戶自定義傳入方向的自動轉換。

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圓錐形相位掩模的Talbot圖像 在VirtualLab Fusion中對帶有圓錐體的相位掩模版進行了建模。檢測到不同的Talbot圖像，以使柱形圖案位于主像平面中，而孔圖案出現在次像平面中。

JCMsuite案例展示衰減相移掩膜的仿真分析在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示： 掩模的基板被具有兩個開口的吸收材料所覆蓋。在其中一個開口的下方，位于相移區域。掩模的布局是由一個描述襯底吸收層和上層的多層膜組成的。兩個平行四邊形用于定義包括移相器的開口。

特殊場景的模型差異在某些仿真條件下（如特定偏振與掩模組合），兩模型差異可低至10-5量級（最大絕對差值1.7x10-4、平均絕對值差5.3x10-5、差值均方根7.9x10-5），但此類場景不影響“含像差時三維模型更精確”的核心結論。仿真條件：采用L&S 掩模，中心點光源偏振照明。物鏡 F1視場點的波像差和偏振像差，仿真像面y=0的相對強度分布。

02/仿真條件密集線條（CD=45nm，占空比1:1）、193nm波長、NA=1.2浸沒式光刻、Y偏振照明，所有掩模尺寸為4020nm4020nm，掩模上的像素尺寸為20nm20nm。迭代總次數為150次。

? AI賦能仿真建模，通過深度學習優化光源-成像的非線性映射關系，實現仿真參數自適應調優，降低極端制程建模誤差；? 多物理場耦合升級，融入EUV光刻偏振、掩模、三維衍射及熱變形等因素，提升仿真與實際制程的契合度；? 跨流程協同仿真，聯動掩模制造、刻蝕工藝構建全鏈路模型，預判光源優化對后續工序的影響；? 極端場景突破，針對1nm及以下節點研發量子化光學仿真模型，突破現有精度瓶頸，為技術迭代提供前瞻性支撐

2013版ADAMS與Matlab聯合仿真(絕對正確版).pdf

仿真通過調整WP和GWP的加權系數權衡成像誤差和掩模復雜度這兩個相互制約的因素。因此，仿真對WP和GWP采用相同的加權系數、從而能夠更加公平地比較兩種罰函數方法。

對于入射方向的定義，使用光瞳面的典型西格瑪坐標:由于這個例子是所謂的一維掩模(線/空間模式)，在xy平面中有一個2D仿真域。在源文件中設置3DTo2D = yes標簽，以執行用戶自定義傳入方向的自動轉換。啟用此標記后，就可以描述傳入區域，就好像光軸與Z軸重合一樣。這允許統一設置2D和3D的掩模模擬項目。由于光線從基板下方進入，光線的傳輸方向為+Z方向。

下載地址：Simufact.welding 6.0 更新說明中文版

仿真計算：建立光刻仿真條件（機臺信息、照明方式、薄膜堆棧等），開展SMO計算。</p><p>3. 優化與驗證：以重疊工藝窗口（DOF、EL、MEEF、ILS等指標）為評價標準；若滿足需求，進行掩模優化驗證（OPC模擬+晶圓數據比對）；若發現新弱點，迭代優化直至符合要求。