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版本路線清晰：Abaqus 在 3.x 被官方棄用，Marc 則是 3.x 文檔中明確支持與維護的 FEM 選項，減少“接口過期”的不確定性與維護成本。

JDI 利用其專有的背板技術，在其茂原工廠（千葉縣茂原市）的第 6 代量產線上成功成功實現了世界上第一個多晶氧化物半導體“Poly-OS”的實際應用。JDI 的 HMO（高遷移率氧化物）Poly-OS 實現了比傳統 OS-TFT 高 4 倍的場效應遷移率。并于 2022 年 3 月 30 日宣布了HMO這一專有技術的突破。

圖1 (a)不含具有一定厚度晶界的多晶模型; (b)晶界厚度為1μm的多晶組織模型; (c)晶界厚度為1.5μm的多晶組織模型具體建模思路如圖2所示(以線段AB、BC為例，其余線段計算方式相同): 1) 首先計算線段AB及BC的中點P和Q的坐標，并計算AB及BC的單位向量； 2) 計算向量vectAB及vectBC的斜率k1和k2; 3) 根據中點坐標及單位向量可以獲得到

圖2 擾動對模型的影響調整python代碼中x方向坐標分布梯度，即可建立具有不同梯度大小的多晶模型，如圖3所示。

簡言之：它把周期性邊界從“依賴網格結構的技巧”變成“適用于任意網格的通用約束能力”，讓多晶模擬在復雜微結構問題上更可擴展、更可復用。

在錐形繞射的情況下，入射光線不垂直於光柵，偏振特徵態定義如下:圖3.全像在Kogelnik的耦合波理論中，全像被認為足夠厚，每條入射光線要不是直接以0階通過，不然就是1階繞射，對於反射和透射的全像都是如此。假設和限制Kogelnik的耦合波理論與其他理論相比具有優勢，可以準確預測體積相位光柵的零階和一階效率的響應。

多晶模型模擬結果FCC壓縮織構taylor模型結果多晶模型模擬結果FCC軋制織構taylor模型結果多晶模型模擬結果多晶拉伸變形結果如下50個晶粒5%應力應變分布500個晶粒10%變形應力應變響應在相同初始取向下，其變形過程中應力分布情況與damask的計算結果也保持了良好的一致性。

damask3.0新版本完全集成到Python語言，方便安裝和使用以及前后處理，非常適合晶體塑性入門人員的使用，新版本運行只需要三個文件，即用于定義邊界的load.yaml文件，單晶屬性和取向material.yaml，多晶幾何文件Polycrystal.vti文件，如果需要修改材料的數值收斂判據可以在加入numerics.yaml文件，然后即可直接運行，運行后的模型輸出格式為HDF5通用格式

四、培訓內容（1），abaqus調用damask實現FCC織構演化模擬------以多晶鐵鋁為例子（2），abaqus調用damask實現BCC織構演化模擬------以多晶鐵素體為例子（3），abaqus調用damask實現HCP織構演化模擬------以多晶鎂為例子（4）FCC，BCC，HCP多晶局部應力應變場模擬，狀態變量說明，初始取向賦予，后處理取向提取

圖 1 單軸拉伸多晶有限元模型不同晶粒的材料參數設置如下：圖 2 多晶材料不同取向的設置圖 3 計算完成的截圖單軸拉伸UMAT和VUMAT計算得到的力-位移響應如下。

圖7 多晶Cu拉伸變形后對應的位錯密度和孿晶體積分布圖8 多晶Cu拉伸變形過程中不同應變對應的孿晶體積分布 相關研究成果以“孿生誘發軟化與強化效應的Cu晶體塑性行為模擬”為題發表在金屬學報上（第58卷第3期2022年3月）,論文第一作者為郭祥如，通訊作者是申俊杰。

四、培訓內容（1），abaqus調用damask實現FCC織構演化模擬------以多晶鐵鋁為例子（2），abaqus調用damask實現BCC織構演化模擬------以多晶鐵素體為例子（3），abaqus調用damask實現HCP織構演化模擬------以多晶鎂為例子（4）FCC，BCC，HCP多晶局部應力應變場模擬，狀態變量說明，初始取向賦予

在當前CPFE模擬中，參考應變速率為10?3 s?1。圖9為Al0.1FeCoCrNi MPEA在不同應變速率下的應力應變響應。 圖 9 ：預測了不同應變速率下多晶的應變-應力曲線。

基于黃永剛umat的FCC多晶在簡單剪切變形下的有限元分析1，使用neper軟件生成包含500個晶粒的幾何模型2，賦予相應的材料參數（基于腳本完成材料的批量賦值）3，施加相應的邊界條件（X0方向完全固定，X1方向施加Z1方向0.15mm的位移）4，結果與后處理5，模型文件見附錄6，提供材料屬性賦予腳本

圖1：(a)三維多晶RVE和(b)嵌入不同大小微孔的RVE模型的橫斷面視圖。 圖2：3種不同的多晶RVE模型，140個隨機取向晶粒相對于主要加載方向(即y軸)的反極圖。 圖3：不同尺寸微孔r0 = {3l, 4l, 5l}在{T = 1, L =?1}處的生長結果(a) Ori-1， (b) Ori-2和(c) Ori-3。

本案例介紹在ABAQUS內基于Voronoi建立多晶體材料晶粒及晶界模型，并進行多晶材料的斷裂模擬。 多晶材料晶粒及晶界模型采用CAD Voronoi V3 多圖層版生成，插件可將不同組分的晶粒在CAD內進行分圖層繪制，可控制晶粒占比參數，以精確建立多晶體模型。

對于HCP密排六方結構，四指數Miller-Bravais 坐標系{a1, a2, a3, c}最為方便。a1、a2和 a3三條軸線之間的夾角為 120，即 a1 + a2 + a3 = 0，c 軸與它們垂直。純鎂的晶格參數為 a = 0.3209，c = 0.5211，其軸比 c/a = 1.624 與理想 HCP 結構的軸比 1.633 十分接近。

對于HCP密排六方結構，四指數Miller-Bravais 坐標系{a1, a2, a3, c}最為方便。a1、a2和 a3三條軸線之間的夾角為 120，即 a1 + a2 + a3 = 0，c 軸與它們垂直。純鎂的晶格參數為 a = 0.3209，c = 0.5211，其軸比 c/a = 1.624 與理想 HCP 結構的軸比 1.633 十分接近。

3. 在鋰電池正極材料開發中的應用為了更好的提升鋰離子的傳輸通道，通常也會采用單晶和多晶NCM混合來制備極片，因為單晶和多晶NCM顆粒的顆粒尺寸差異明顯，以及導電添加劑CNT等混合物的形態，通過T2探測很容易識別，另外，單晶NCM顆粒與多晶NCM顆粒之間的導電網絡通道也呈現的非常清楚。多晶與單晶三元NCM混合極片表面

? 基于黃umat梯度結構晶粒變形模擬 案例實操 1，建立包含896個晶粒的梯度多晶模型 2，對多晶模型賦予對應的材料屬性 3，X0方向固定，施加X1方向50%工程應變的拉伸載荷 4，保留晶界形狀，使用CPE3單元 5，提交與后處理材料數據 梯度晶粒幾何模型 模型載荷示意圖 不同時刻材料的對數應變分布