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在IC封裝的程序中，金線間的距離會受制程影響而縮短，甚至有相互接觸現象。金線一旦相互接觸，便會造成短路。因此，掌握金線偏移的幅度，是IC封裝制程中的一大挑戰?，F在，透過Moldex3D模擬分析工具，可以輸出金線偏移的結果，讓使用者精準掌握偏移程度，以利優化金線布局。

在封裝制程中，填膠階段產生的拖曳力是造成金線偏移的主要原因，有可能會導致接觸短路。Moldex3D芯片封裝 (IC Packaging) 模塊提供拖曳力分析，能將施加在金在線的流動拖曳力可視化，以利清楚了解金線偏移現象。此功能是由金線偏移分析的求解器計算，因此歸在金線偏移結果項目下。

用設定翹曲放大倍率功能來觀察金線變形輸出金線偏移結果 (Export the Wire Sweep Result)1. 在工作區中，在金線偏移 (wire sweep) 的項目上點擊右鍵以輸出金線偏移結果。2. 選擇金線ID并輸出*.csv文件以設定位置。*.csv文件記錄金線、金線位移、金線偏移指數等數據數據。

常見的金線材料則包含金、銅、鋁等等，由于金線的管徑細小，因此金線缺陷往往是芯片封裝制程最重要的挑戰之一，而金線缺陷包括金線偏移、斷裂以及交叉。而為了確保良率及提升性能，封裝制程廣泛使用多種類的線料。以下將說明如何透過Moldex3D IC封裝模塊，進行多種金線材料定義的偏移分析。

常見的金線材料則包含金、銅、鋁等等，由于金線的管徑細小，因此金線缺陷往往是芯片封裝制程最重要的挑戰之一，而金線缺陷包括金線偏移、斷裂以及交叉。而為了確保良率及提升性能，封裝制程廣泛使用多種類的線料。以下將說明如何透過Moldex3D IC封裝模塊，進行多種金線材料定義的偏移分析。

注意：需要先有充填分析結果，才能進行金線偏移分析 驗證與結果分析 透過ANSYS和Moldex3D兩種非線性應力求解器分析結果發現，結果項中金線偏移量值與分布，無論使用哪一求解器，都具有良好且一致的偏移結果。這也意味著金線偏移在大變形影響下，主要受到幾何非線性影響較為明顯。

注:此功能與金線偏移結果不同，后者是檢測封裝模擬中的結果在Moldex3D Mesh建模 (Model Preparation in Moldex3D Mesh)實例化網格實例化網格金線設定金線位置將為 (1) 如果使用者已有金線點位置數據，可直接輸入自動產生，(2) 匯入金線檔案 ，或(3) 手動產生線段，并設定線段屬性為金線。

Moldex3D將在輸出封裝模型前檢查金線交叉問題。

設定金線打開金線精靈，選取藍色金線，設定金線的版型與直徑，Studio預設提供了4種金線樣板，若有需要也可用金線樣板增加其他樣板設計。此范例中選擇第二種(D_MDX_Square)版型，接著設定位置，這邊有三種參數需要設定：起點Z值、跨距與終點下偏移。

圖十 封裝頁簽選擇分析模型及指定雙向流固耦合數據交換步距Studio封裝分析模擬結果可視化呈現膠體充填/壓縮過程中的流動情況及氣泡產生位置(圖十一)、金線偏移(圖十二)、導線架偏移變形趨勢(圖十三)、底部充填毛細力流動行為(圖十四)等。使用者可藉此修改IC設計、制程參數來避免氣泡產生、金線重迭、導線架偏移量過大等缺陷產生，免去實驗試誤的過程，更有效率地提升IC封裝設計質量。

注:此功能與金線偏移結果不同，后者是檢測封裝模擬中的結果

注:此功能與金線偏移結果不同，后者是檢測封裝模擬中的結果

注:此功能與金線偏移結果不同，后者是檢測封裝模擬中的結果

完成前處理與后處理設定建立好金線后，按照流程依序建立芯片、環氧樹脂、流道、導線架等屬性對象，并生成網格，接著設定材料、成型條件、分析順序與計算參數，完成分析后便可在看到金線偏移的分析結果。

此外，由于各種組件 (環氧塑料、芯片、導線架等) 有不同的材料，且在模穴中的金線密度極高，因此常見的缺陷如空洞、金線偏移、導線架偏移、翹曲及縫合線等都是非常重要的問題。 轉注成型制程：首先，環氧塑料被加熱且注入模穴中。當模穴被充填完全時，硬化過程開始。

注:此功能與金線偏移結果不同，后者是檢測封裝模擬中的結果 在Moldex3D Mesh建模 (Model Preparation in Moldex3D Mesh)實例化網格 實例化網格金線設定金線位置將為 (1) 如果使用者已有金線點位置數據，可直接輸入自動產生，(2) 匯入金線檔案 ，或(3) 手動產生線段，并設定線段屬性為金線

例如，充填的流動波前時間(Melt Front Time)結果項顯示其流動行為以預測潛在產品缺陷，而金線的金線偏移量(Wire Sweep Index)結果項是用于評估充填環氧樹脂時的金線變形。

常見的IC封裝問題如：充填不完全、空孔、金線偏移、導線架偏移及翹曲變形等。Moldex3D 解決方案Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項目相當完善，以準確的材料量測為基礎，除了基本的流動充填與硬化過程模擬；并延伸到其他先進制造評估，例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應力分布與結構變形等。

此外，由于各種組件 (環氧塑料、芯片、導線架等) 有不同的材料，且在模穴中的金線密度極高，因此常見的缺陷如空洞、金線偏移、導線架偏移、翹曲及縫合線等都是非常重要的問題。轉注成型制程：首先，環氧塑料被加熱且注入模穴中。當模穴被充填完全時，硬化過程開始。

此網格模型包含了金線信息。一旦完成模擬，即會建立 wsi 檔案供金線偏移分析。