NAND
關(guān)注創(chuàng)建者：naitang9331 創(chuàng)建時間：2018-09-11
NAND的實例教程
嵌入式 NOR Flash 在這方面目前似乎無解，幸好過去幾年，ㄧ些新的存儲器元件技術(shù)已被開發(fā)出來，嵌入式 NOR Flash 被取代應(yīng)該只是時間早晚的問題，相反的，NAND Flash 業(yè)者卻早已找到ㄧ些因應(yīng)之道。
為了打破 ”閃存的縮放限制” 枷鎖，確保能持續(xù)提供高容量、低成本的 NAND Flash，相關(guān)業(yè)者多年前就開始研發(fā)解決之道。主要的方向有:
3D NAND Flash : 把存儲單元立體化
?
多層單元 (Multi-Level Cell) : 讓每個存儲單元不只存儲ㄧ個 bit
?
硅穿孔技術(shù) (TSV，Through Silicon Via) : 讓多顆閃存晶粒可以直接堆疊封裝
?
很多文章將第ㄧ項及第三項混淆在ㄧ起，下面我們將ㄧㄧ介紹，協(xié)助大家了解。
3D NAND Flash
那到底什么是 3D NAND ? 它指的是 NAND 閃存的存儲單元是 3D 的。我們之前使用的閃存多屬于平面閃存 (Planar NAND)，而 3D NAND，顧名思義，就是它是立體的。Intel 用高樓大廈為例演釋 3D NAND，如果平面閃存是平房，那 3D NAND 就是高樓大廈。把存儲單元立體化，這意味著每個存儲單元的單位面積可以大幅下降。下圖為 Samsung Planar NAND 發(fā)展至 3D NAND (V-NAND) 的示意圖。
展開 例如每年的會議中，都包含有關(guān)非易失性存儲器的會議，大多數(shù)NAND閃存制造商都會分享其最新發(fā)展的技術(shù)細節(jié)。在會議上，我們能獲得的信息超出了這些公司通常在新聞發(fā)布會上愿意分享的信息，并且演講通常涉及來年即將上市的技術(shù)。
在本周的ISSCC 2021上，六家主要的3D NAND閃存制造商中的四家將展示他們最新的3D NAND技術(shù)。三星，SK hynix和Kioxia（+ Western Digital）正在共享其最新的3D TLC NAND設(shè)計，而英特爾將展示其144層3D QLC NAND。美光公司（去年年底宣布推出176L 3D NAND）和中國存儲新兵長江存儲今年都不參加。
3D TLC（每個cell有3位）更新
三星，SK hynix和Kioxia / WD介紹了有關(guān)其下一代3D TLC的信息。
展開 從2017年供不應(yīng)求的榮景，NAND Flash市況在2018年進入風(fēng)云變色的調(diào)整期，生產(chǎn)業(yè)者持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，新一代制程技術(shù)及更大容量規(guī)格正伺機而出，供過于求與終端市場買氣不足，導(dǎo)致2018年NAND Flash跌價幅度超過6成。
到2018年底，每GB價格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價，在跌價、擴產(chǎn)等多重因素影響下，2019年市況風(fēng)云詭譎，供應(yīng)鏈洗牌淘汰賽一觸即發(fā)，也為全球產(chǎn)業(yè)的競合局勢更加增添煙消四起的氛圍。
NAND位元產(chǎn)出連年成長 終端市場亂象橫生
DRAM與NAND Flash存儲器市場在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)跌宕，在供過于求壓力下，2015~2016年市價下滑，2017年再度風(fēng)生水起、漲勢不止，然而產(chǎn)業(yè)榮景未如預(yù)期延續(xù)，各家大廠競相強化投資規(guī)模，3D NAND Flash新增產(chǎn)能開出，市場需求卻成長平緩，加速2018年全球NAND Flash價格一路走跌。
受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度并不如預(yù)期順利，因而導(dǎo)致次級品在外流通銷售，進而干擾市場價格，對應(yīng)至終端應(yīng)用，消費型SSD市場首當其沖。
從2017年12月中~2018年第3季跌價幅度已經(jīng)逾5成，120G SSD價格超跌下探0.2美元／GB關(guān)卡，質(zhì)量參差不齊的問題延續(xù)至第3季，至于240GB和480GB價格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。
展開 NAND閃存實質(zhì)上還是以三星一家獨秀，其余五家相互競爭的“一超多強”局面。
SK海力士與其他五家國際原
廠相比
，
其NAND Flash技術(shù)和工藝競爭力也相對處于劣勢地位
，
在去年各大原廠紛紛擴張9X層3D NAND產(chǎn)能之際，SK海力士的進度一直相對遲緩。
財報數(shù)據(jù)顯示2020年Q2，DRAM業(yè)務(wù)占SK海力士總營收的73%，NAND閃存業(yè)務(wù)僅占24%。
SK海力士的NAND閃存和DRAM存儲產(chǎn)品兩項業(yè)務(wù)收入極度失衡。
SK海力士的強項一直在于DRAM，而NAND的市場占比不高，與競爭對手三星有很大的差距，英特爾將工廠出售給SK海力士可以平衡三星和鎧俠，改變市場格局。
英特爾在NAND閃存業(yè)務(wù)上有更多技術(shù)和IP，一旦完成收購SK海力士的NAND閃存業(yè)務(wù)躍升至全球領(lǐng)先水平（Global Top Tier）帶來突破性機遇，將讓其在技術(shù)層面長期處于領(lǐng)先地位。SK海力士方面認為，將結(jié)合英特爾的存儲解決方案相關(guān)技術(shù)及生產(chǎn)能力，打造包括企業(yè)級SSD在內(nèi)的具有高附加值的一系列3D NAND解決方案，這是該公司購買英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的主要原因。
通過合并業(yè)務(wù)組合的協(xié)同效應(yīng)，SK海力士將有機會將其NAND閃存業(yè)務(wù)競爭力大幅提升至比肩DRAM業(yè)務(wù)的全球領(lǐng)先水平。SK海力士在移動終端NAND閃存方面表現(xiàn)出色，而Solidigm則在企業(yè)級SSD（eSSD）方面更有優(yōu)勢。SK海力士將充分利用合并業(yè)務(wù)組合的協(xié)同效應(yīng)，并開啟NAND Flash產(chǎn)業(yè)整并序幕。
另外，本次收購案中還包括英特爾在中國大連的工廠，約占全球NAND產(chǎn)量的6到7％，這一點對于SK海力士來說非常重要。
展開 在NAND閃存市場上，三星、東芝、西數(shù)、美光、SK Hynix及英特爾這六家公司占據(jù)了絕大多數(shù)份額，不過NAND閃存也是中國近年來發(fā)力追趕的重要領(lǐng)域，尤其是紫光旗下的長江存儲，他們在武漢投資240億美元建設(shè)中國最大的存儲芯片基地，今年底量產(chǎn)32層堆棧的64Gb核心閃存。
面對中國廠商在NAND市場上的威脅，這些公司是怎么看的呢?西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們在這方面依然有優(yōu)勢，中國的NAND廠商在2020年之前不會帶來什么有意義的改變。
西數(shù)已經(jīng)量產(chǎn)了96層堆棧的3D NAND閃存
西數(shù)公司CFO Mark Long上周也出席了花旗銀行2018全球技術(shù)大會，并回答了分析師提問，其中就涉及到了西數(shù)如何看待中國廠商進入NAND領(lǐng)域的問題。對于這個問題，Mark Long表示他們非常關(guān)注所有的競爭對手，但有一點很清楚，NAND對技術(shù)的要求比人們想象中的更難，新進入市場的廠商需要很長時間才能獲得這種能力，他們需要通過回報及工藝進展來證明這項投資的正確。
當中國廠商有能力進入這個市場時，Mark Long認為他們依然是落后的，即便中國廠商有能力提供不斷增長的NAND芯片，西數(shù)在技術(shù)上依然會保持優(yōu)勢，同時會通過這個技術(shù)優(yōu)勢生產(chǎn)商有優(yōu)勢的產(chǎn)品。
Mark Long提到上述這些都是西數(shù)關(guān)注的領(lǐng)域，而中國廠商在2020年之前不太可能的對市場產(chǎn)生什么有意義的變化。
根據(jù)長江存儲公司的規(guī)劃，今年底他們將量產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，核心容量64GB，明年將量產(chǎn)64層堆棧的128Gb核心的3D NAND閃存，同時還會研發(fā)128層堆棧的3D NAND閃存。
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NAND的相關(guān)專題、標簽、搜索
NAND的最新內(nèi)容
然后涵蓋邏輯門，包括與門（AND）、或門（OR）、非門（NOT）、與非門（NAND）、或非門（NOR）、異或門（XOR）和同或門（XNOR），它們是數(shù)字電路的基本構(gòu)建模塊。布爾代數(shù)和邏輯簡化技術(shù)（如卡諾圖）用于設(shè)計高效且優(yōu)化的電路。
此外，該學(xué)科還探討組合電路，如加法器、減法器、多路選擇器、多路分配器、編碼器和譯碼器，這些電路根據(jù)輸入組合執(zhí)行特定操作。
然后涵蓋邏輯門，包括與門（AND）、或門（OR）、非門（NOT）、與非門（NAND）、或非門（NOR）、異或門（XOR）和同或門（XNOR），它們是數(shù)字電路的基本構(gòu)建模塊。布爾代數(shù)和邏輯簡化技術(shù)（如卡諾圖）用于設(shè)計高效且優(yōu)化的電路。
此外，該學(xué)科還探討組合電路，如加法器、減法器、多路選擇器、多路分配器、編碼器和譯碼器，這些電路根據(jù)輸入組合執(zhí)行特定操作。
01/簡介
零波像差雙遠心物鏡以“視場全域波前畸變趨近于零、物像比例恒定”的特性，成為3D NAND、精密微納制造等場景的核心光學(xué)器件，但其對成像模型的維度適配性提出嚴苛要求。
二維矢量成像模型雖能滿足平面圖形的偏振態(tài)表征需求，卻因忽略深度方向光場耦合與厚掩模衍射效應(yīng)，無法適配三維堆疊圖形的成像預(yù)測。
01/簡介
零波像差雙遠心物鏡以“視場全域波前畸變趨近于零、物像比例恒定”的特性，成為3D NAND、精密微納制造等場景的核心光學(xué)器件，但其對成像模型的維度適配性提出嚴苛要求。二維矢量成像模型雖能滿足平面圖形的偏振態(tài)表征需求，卻因忽略深度方向光場耦合與厚掩模衍射效應(yīng)，無法適配三維堆疊圖形的成像預(yù)測。
01/簡介
3D NAND、3D IC等立體集成電路的高密度堆疊需求，推動光刻圖形向三維立體化深度演進，傳統(tǒng)二維模型已難以適配厚掩模深度衍射及偏振態(tài)三維演化的復(fù)雜物理過程。
面對高密度、高速度（如3D NAND、HBM等先進架構(gòu)）存儲產(chǎn)品的散熱挑戰(zhàn)，先進的仿真工具成為破解這一難題的關(guān)鍵。云道智造自主研發(fā)的伏圖-電子散熱模塊（Simdroid-EC），能夠精準模擬存儲芯片/模塊在不同工況下的溫度分布情況，有效監(jiān)控產(chǎn)品關(guān)鍵位置的溫度，為工程師提供有針對性的散熱方案優(yōu)化依據(jù)，確保存儲產(chǎn)品能夠穩(wěn)定可靠地運行。
存儲芯片市場以DRAM和NAND Flash為主，此前NAND Flash的價格從2023年下半年一路上漲，而DRAM報價漲幅較少，2023年12月DRAM報價僅微幅調(diào)漲2%-3%，明顯低于3D TLC NAND約10%的漲幅。
鎧俠指出，上季NAND Flash售價（以日元計算）較上上季（2023年4-6月）揚升5%-9%、為五季來（2022年4-6月當季以來）首度轉(zhuǎn)為上漲；上季NAND Flash出貨量季減約10%-14%。鎧俠表示，以美元計算的售價季增0-4%。
因此，這種方法被用于不需要快速操作的移動設(shè)備中使用的移動 DRAM 和 NAND 芯片。
倒裝芯片接合
倒裝芯片接合 克服了引線鍵合的缺點。其電氣路徑的長度是引線鍵合的十分之幾，使其適合高速操作。
可以用原子大小的厚度制作薄膜，用于制造先進的DRAM、NAND和邏輯半導(dǎo)體。與ALD設(shè)備相比，可以完善工藝速度，提高半導(dǎo)體生產(chǎn)效率。
ASM只在韓國生產(chǎn)PEALD設(shè)備。供應(yīng)全球市場的PEALD也在韓國生產(chǎn)。
ASM首席執(zhí)行官本杰明·羅說：“韓國在半導(dǎo)體市場扮演著非常重要的角色，ASM的主要客戶包括三星電子和SK海力士。
