3D NAND
關注創建者：zijiao8149 創建時間：2018-08-07
3D NAND的實例教程
這樣的方式有利于 I/O 及控制電路以及 3D NAND Flash 各自選擇其最合適的先進邏輯工藝，這 Xtacking 技術可以讓其 NAND I/O 速度得以提升到 3.0Gbps (目前世界上最快的 3D NAND I/O 速度的目標值是 1.4Gbps)， 與 DRAM DDR4 的 I/O 速度相當，這即將量產的國產 3D NAND 閃存值得期待。
來源：非凡創芯力
在價格和競爭壓力期間，3D NAND供應商正準備迎接新的戰斗，相互競爭下一代技術。
隨著新玩家進入3D NAND市場 - 中國的長江存儲（以下簡稱：YMTC），競爭正在加劇。 在中國政府撥款數十億美元的支持下，YMTC最近推出了其首款3D NAND技術。 此舉加劇了對新進入者可能影響市場惡化的擔憂。 3D NAND業務正在走向長期供過于求和價格下跌的局面。
3D NAND是當今平面NAND閃存的后續產品，用于存儲應用，如智能手機和固態存儲（SSD）。 與平面NAND（2D結構）不同，3D NAND類似于垂直摩天大樓，其中水平層的存儲器單元被堆疊，然后使用微小的垂直通道連接。
圖1：2D NAND架構。資料來源：Western Digital。
圖2：3D NAND架構。資料來源：Western Digital
3D NAND通過設備中堆疊的層數來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應商正在推出64層設備，盡管他們現在正在推進下一代技術，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應商正在競相開發和發布下一代128層產品。
在研發方面，供應商也在開發下一代技術，分別為256層和512層。 “這是一場比賽，”TechInsights的分析師Jeongdong Choe說。 “這是最高籌碼量的競賽。”
有些人偏離了路線圖。在一種情況下，供應商最終會轉移到半個節點以保持領先于游戲。然后，競爭背后的YMTC計劃在2019年中期之前發布一個64層設備，但它將跳過96層直接移動到128層。 “他們的任務是追趕三星和其他公司。也許在2020年或2021年，他們將做128，“Choe說。
現有的3D NAND供應商 - 英特爾，美光，三星，SK海力士和東芝 - 并沒有停滯不前，他們將在競爭中保持領先地位。
展開 例如每年的會議中，都包含有關非易失性存儲器的會議，大多數NAND閃存制造商都會分享其最新發展的技術細節。在會議上，我們能獲得的信息超出了這些公司通常在新聞發布會上愿意分享的信息，并且演講通常涉及來年即將上市的技術。
在本周的ISSCC 2021上，六家主要的3D NAND閃存制造商中的四家將展示他們最新的3D NAND技術。三星，SK hynix和Kioxia（+ Western Digital）正在共享其最新的3D TLC NAND設計，而英特爾將展示其144層3D QLC NAND。美光公司（去年年底宣布推出176L 3D NAND）和中國存儲新兵長江存儲今年都不參加。
3D TLC（每個cell有3位）更新
三星，SK hynix和Kioxia / WD介紹了有關其下一代3D TLC的信息。
展開 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數據為全新的半導體設施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產96層3D NAND快閃芯片。
Toshiba 于2017 年2 月開始興建6 號晶圓廠，作為生產3D NAND Flash ( 快閃記憶體) 的專用廠區。Toshiba 與Western Digital 已針對沉積(deposition) 與蝕刻(etching) 等關鍵生產制程部署先進制造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產96 層3D NAND Flash。
與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心已于今年3 月開始營運，負責研發并推動3D NAND Flash 的發展工作。
東芝記憶體公司與Western Digital 將持續推動并擴展雙方在記憶體市場的領導地位，積極開發各項計劃以強化競爭力，推動3D NAND Flash 的共同開發，并根據市場趨勢規劃資本的投放。
東芝記憶體公司主席及行政總裁成毛康雄(Yasuo Naruke) 表示：「我們很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場。6 號晶圓廠和記憶體研發中心能讓我們在3D NAND Flash 市場中維持領先地位，而且我們相信與Western Digital 的合資事業，將協助四日市的工廠繼續生產最先進的記憶體。」
Western Digital 行政總裁Steve Milligan 同時指出：「今天很榮幸能與我們的重要合作伙伴東芝記憶體公司一起為6 號晶圓廠和記憶體研發中心揭開序幕。近20 年來我們合作無間，帶動了NAND Flash 技術的成長和創新。
展開 作為NAND行業的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）公開發布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
圖片來源：長江存儲官網
采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨立加工負責數據輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。
當兩片晶圓各自完工后，創新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
業內知名人士Gregory Wong認為：“隨著3D NAND更新換代，在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續提升，更快的NAND輸入輸出速度及多plane并行操作功能將是必須的。”
長江存儲CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND輸入輸出速度的目標值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking?技術我們有望大幅提升NAND 輸入輸出速度到3.0Gpbs，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業來講將是顛覆性的。”
傳統3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。
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01/簡介
零波像差雙遠心物鏡以“視場全域波前畸變趨近于零、物像比例恒定”的特性，成為3D NAND、精密微納制造等場景的核心光學器件，但其對成像模型的維度適配性提出嚴苛要求。
二維矢量成像模型雖能滿足平面圖形的偏振態表征需求，卻因忽略深度方向光場耦合與厚掩模衍射效應，無法適配三維堆疊圖形的成像預測。
01/簡介
零波像差雙遠心物鏡以“視場全域波前畸變趨近于零、物像比例恒定”的特性，成為3D NAND、精密微納制造等場景的核心光學器件，但其對成像模型的維度適配性提出嚴苛要求。二維矢量成像模型雖能滿足平面圖形的偏振態表征需求，卻因忽略深度方向光場耦合與厚掩模衍射效應，無法適配三維堆疊圖形的成像預測。
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3D NAND、3D IC等立體集成電路的高密度堆疊需求，推動光刻圖形向三維立體化深度演進，傳統二維模型已難以適配厚掩模深度衍射及偏振態三維演化的復雜物理過程。
面對高密度、高速度（如3D NAND、HBM等先進架構）存儲產品的散熱挑戰，先進的仿真工具成為破解這一難題的關鍵。云道智造自主研發的伏圖-電子散熱模塊（Simdroid-EC），能夠精準模擬存儲芯片/模塊在不同工況下的溫度分布情況，有效監控產品關鍵位置的溫度，為工程師提供有針對性的散熱方案優化依據，確保存儲產品能夠穩定可靠地運行。
存儲芯片市場以DRAM和NAND Flash為主，此前NAND Flash的價格從2023年下半年一路上漲，而DRAM報價漲幅較少，2023年12月DRAM報價僅微幅調漲2%-3%，明顯低于3D TLC NAND約10%的漲幅。
因此，NAND開始向3D化演進，東芝對于NIL技術的應用也有了轉向。大約五六年前，東芝稱非易失性存儲器件的光刻需求，正從更高分辨率走向更低的成本，所以計劃在3D NAND時代應用NIL。
也大概是自此之后，一直有佳能將納米壓印技術用于量產存儲芯片的新聞。
但是自BSI開始后的套刻精度要求就到達了1.5微米的水平，而對于3D NAND和高端BSI的應用，更是達到了300納米以下甚至150納米的要求！
今天小編給大家推薦一款性價比高的國產存儲芯片，存儲芯片 - PTS11，PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術，搭配海康威視自主研發的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數據安全。在產品層面，PTS11系列SSD采用高質量的3D NAND Flash，由自動化SMT產線生產，經海康數據存儲應用標準測試，確保提供穩定服務。
推薦產品：固態硬盤PTS11系列
PTS11系列SSD采用先進的SSD主控和3D NAND Flash 技術，搭配自主研發的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數據安全，經海康數據存儲應用標準測試，確保提供穩定服務；在保障高速性能的情況下，具有強散熱、低功耗的良好表現，輕松滿足用戶日常各類使用所需。
在技術方面，存儲芯片 - HS-SSD-E3000采用SSD控制器和3D NAND閃存，并與海康威視自主設計的NAND閃存管理固件配合使用，確保讀寫速度和數據安全。
在生產端，HS-SSD-E3000采用優質的3D NAND閃存和BGA，由自動化生產線制造。它已根據視頻監控服務器的標準進行了測試，因此提供了更好的穩定性。
