NAND的案例
你真的懂3D NAND閃存？
嵌入式 NOR Flash 在這方面目前似乎無解，幸好過去幾年，ㄧ些新的存儲(chǔ)器元件技術(shù)已被開發(fā)出來，嵌入式 NOR Flash 被取代應(yīng)該只是時(shí)間早晚的問題，相反的，NAND Flash 業(yè)者卻早已找到ㄧ些因應(yīng)之道。
為了打破 ”閃存的縮放限制” 枷鎖，確保能持續(xù)提供高容量、低成本的 NAND Flash，相關(guān)業(yè)者多年前就開始研發(fā)解決之道。主要的方向有:
3D NAND Flash : 把存儲(chǔ)單元立體化
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多層單元 (Multi-Level Cell) : 讓每個(gè)存儲(chǔ)單元不只存儲(chǔ)ㄧ個(gè) bit
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硅穿孔技術(shù) (TSV，Through Silicon Via) : 讓多顆閃存晶粒可以直接堆疊封裝
?
很多文章將第ㄧ項(xiàng)及第三項(xiàng)混淆在ㄧ起，下面我們將ㄧㄧ介紹，協(xié)助大家了解。
3D NAND Flash
那到底什么是 3D NAND ? 它指的是 NAND 閃存的存儲(chǔ)單元是 3D 的。我們之前使用的閃存多屬于平面閃存 (Planar NAND)，而 3D NAND，顧名思義，就是它是立體的。Intel 用高樓大廈為例演釋 3D NAND，如果平面閃存是平房，那 3D NAND 就是高樓大廈。把存儲(chǔ)單元立體化，這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元的單位面積可以大幅下降。下圖為 Samsung Planar NAND 發(fā)展至 3D NAND (V-NAND) 的示意圖。
展開 ISSCC 2021：3D NAND閃存的最新進(jìn)展
例如每年的會(huì)議中，都包含有關(guān)非易失性存儲(chǔ)器的會(huì)議，大多數(shù)NAND閃存制造商都會(huì)分享其最新發(fā)展的技術(shù)細(xì)節(jié)。在會(huì)議上，我們能獲得的信息超出了這些公司通常在新聞發(fā)布會(huì)上愿意分享的信息，并且演講通常涉及來年即將上市的技術(shù)。
在本周的ISSCC 2021上，六家主要的3D NAND閃存制造商中的四家將展示他們最新的3D NAND技術(shù)。三星，SK hynix和Kioxia（+ Western Digital）正在共享其最新的3D TLC NAND設(shè)計(jì)，而英特爾將展示其144層3D QLC NAND。美光公司（去年年底宣布推出176L 3D NAND）和中國存儲(chǔ)新兵長江存儲(chǔ)今年都不參加。
3D TLC（每個(gè)cell有3位）更新
三星，SK hynix和Kioxia / WD介紹了有關(guān)其下一代3D TLC的信息。
展開 2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)大洗牌
從2017年供不應(yīng)求的榮景，NAND Flash市況在2018年進(jìn)入風(fēng)云變色的調(diào)整期，生產(chǎn)業(yè)者持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，新一代制程技術(shù)及更大容量規(guī)格正伺機(jī)而出，供過于求與終端市場(chǎng)買氣不足，導(dǎo)致2018年NAND Flash跌價(jià)幅度超過6成。
到2018年底，每GB價(jià)格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價(jià)，在跌價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)等多重因素影響下，2019年市況風(fēng)云詭譎，供應(yīng)鏈洗牌淘汰賽一觸即發(fā)，也為全球產(chǎn)業(yè)的競(jìng)合局勢(shì)更加增添煙消四起的氛圍。
NAND位元產(chǎn)出連年成長 終端市場(chǎng)亂象橫生
DRAM與NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)跌宕，在供過于求壓力下，2015~2016年市價(jià)下滑，2017年再度風(fēng)生水起、漲勢(shì)不止，然而產(chǎn)業(yè)榮景未如預(yù)期延續(xù)，各家大廠競(jìng)相強(qiáng)化投資規(guī)模，3D NAND Flash新增產(chǎn)能開出，市場(chǎng)需求卻成長平緩，加速2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。
受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度并不如預(yù)期順利，因而導(dǎo)致次級(jí)品在外流通銷售，進(jìn)而干擾市場(chǎng)價(jià)格，對(duì)應(yīng)至終端應(yīng)用，消費(fèi)型SSD市場(chǎng)首當(dāng)其沖。
從2017年12月中~2018年第3季跌價(jià)幅度已經(jīng)逾5成，120G SSD價(jià)格超跌下探0.2美元／GB關(guān)卡，質(zhì)量參差不齊的問題延續(xù)至第3季，至于240GB和480GB價(jià)格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。
展開 SK海力士與英特爾已完成收購交易的第一階段：NAND閃存市場(chǎng)會(huì)有什么變化？
NAND閃存實(shí)質(zhì)上還是以三星一家獨(dú)秀，其余五家相互競(jìng)爭(zhēng)的“一超多強(qiáng)”局面。
SK海力士與其他五家國際原
廠相比
，
其NAND Flash技術(shù)和工藝競(jìng)爭(zhēng)力也相對(duì)處于劣勢(shì)地位
，
在去年各大原廠紛紛擴(kuò)張9X層3D NAND產(chǎn)能之際，SK海力士的進(jìn)度一直相對(duì)遲緩。
財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示2020年Q2，DRAM業(yè)務(wù)占SK海力士總營收的73%，NAND閃存業(yè)務(wù)僅占24%。
SK海力士的NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)產(chǎn)品兩項(xiàng)業(yè)務(wù)收入極度失衡。
SK海力士的強(qiáng)項(xiàng)一直在于DRAM，而NAND的市場(chǎng)占比不高，與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星有很大的差距，英特爾將工廠出售給SK海力士可以平衡三星和鎧俠，改變市場(chǎng)格局。
英特爾在NAND閃存業(yè)務(wù)上有更多技術(shù)和IP，一旦完成收購SK海力士的NAND閃存業(yè)務(wù)躍升至全球領(lǐng)先水平（Global Top Tier）帶來突破性機(jī)遇，將讓其在技術(shù)層面長期處于領(lǐng)先地位。SK海力士方面認(rèn)為，將結(jié)合英特爾的存儲(chǔ)解決方案相關(guān)技術(shù)及生產(chǎn)能力，打造包括企業(yè)級(jí)SSD在內(nèi)的具有高附加值的一系列3D NAND解決方案，這是該公司購買英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的主要原因。
通過合并業(yè)務(wù)組合的協(xié)同效應(yīng)，SK海力士將有機(jī)會(huì)將其NAND閃存業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力大幅提升至比肩DRAM業(yè)務(wù)的全球領(lǐng)先水平。SK海力士在移動(dòng)終端NAND閃存方面表現(xiàn)出色，而Solidigm則在企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）方面更有優(yōu)勢(shì)。SK海力士將充分利用合并業(yè)務(wù)組合的協(xié)同效應(yīng)，并開啟NAND Flash產(chǎn)業(yè)整并序幕。
另外，本次收購案中還包括英特爾在中國大連的工廠，約占全球NAND產(chǎn)量的6到7％，這一點(diǎn)對(duì)于SK海力士來說非常重要。
展開 
西數(shù)談中國NAND競(jìng)爭(zhēng)：2020年前不會(huì)帶來改變
在NAND閃存市場(chǎng)上，三星、東芝、西數(shù)、美光、SK Hynix及英特爾這六家公司占據(jù)了絕大多數(shù)份額，不過NAND閃存也是中國近年來發(fā)力追趕的重要領(lǐng)域，尤其是紫光旗下的長江存儲(chǔ)，他們?cè)谖錆h投資240億美元建設(shè)中國最大的存儲(chǔ)芯片基地，今年底量產(chǎn)32層堆棧的64Gb核心閃存。
面對(duì)中國廠商在NAND市場(chǎng)上的威脅，這些公司是怎么看的呢?西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們?cè)谶@方面依然有優(yōu)勢(shì)，中國的NAND廠商在2020年之前不會(huì)帶來什么有意義的改變。
西數(shù)已經(jīng)量產(chǎn)了96層堆棧的3D NAND閃存
西數(shù)公司CFO Mark Long上周也出席了花旗銀行2018全球技術(shù)大會(huì)，并回答了分析師提問，其中就涉及到了西數(shù)如何看待中國廠商進(jìn)入NAND領(lǐng)域的問題。對(duì)于這個(gè)問題，Mark Long表示他們非常關(guān)注所有的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但有一點(diǎn)很清楚，NAND對(duì)技術(shù)的要求比人們想象中的更難，新進(jìn)入市場(chǎng)的廠商需要很長時(shí)間才能獲得這種能力，他們需要通過回報(bào)及工藝進(jìn)展來證明這項(xiàng)投資的正確。
當(dāng)中國廠商有能力進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)時(shí)，Mark Long認(rèn)為他們依然是落后的，即便中國廠商有能力提供不斷增長的NAND芯片，西數(shù)在技術(shù)上依然會(huì)保持優(yōu)勢(shì)，同時(shí)會(huì)通過這個(gè)技術(shù)優(yōu)勢(shì)生產(chǎn)商有優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。
Mark Long提到上述這些都是西數(shù)關(guān)注的領(lǐng)域，而中國廠商在2020年之前不太可能的對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生什么有意義的變化。
根據(jù)長江存儲(chǔ)公司的規(guī)劃，今年底他們將量產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，核心容量64GB，明年將量產(chǎn)64層堆棧的128Gb核心的3D NAND閃存，同時(shí)還會(huì)研發(fā)128層堆棧的3D NAND閃存。
展開 東芝將量產(chǎn)96層3D NAND Flash
日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價(jià)格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
Toshiba 于2017 年2 月開始興建6 號(hào)晶圓廠，作為生產(chǎn)3D NAND Flash ( 快閃記憶體) 的專用廠區(qū)。Toshiba 與Western Digital 已針對(duì)沉積(deposition) 與蝕刻(etching) 等關(guān)鍵生產(chǎn)制程部署先進(jìn)制造設(shè)備。新晶圓廠在本月初已開始量產(chǎn)96 層3D NAND Flash。
與6號(hào)晶圓廠相毗鄰的記憶體研發(fā)中心已于今年3 月開始營運(yùn)，負(fù)責(zé)研發(fā)并推動(dòng)3D NAND Flash 的發(fā)展工作。
東芝記憶體公司與Western Digital 將持續(xù)推動(dòng)并擴(kuò)展雙方在記憶體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位，積極開發(fā)各項(xiàng)計(jì)劃以強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)3D NAND Flash 的共同開發(fā)，并根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)規(guī)劃資本的投放。
東芝記憶體公司主席及行政總裁成毛康雄(Yasuo Naruke) 表示：「我們很高興有這個(gè)機(jī)會(huì)能為新一代的3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場(chǎng)。6 號(hào)晶圓廠和記憶體研發(fā)中心能讓我們?cè)?D NAND Flash 市場(chǎng)中維持領(lǐng)先地位，而且我們相信與Western Digital 的合資事業(yè)，將協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)最先進(jìn)的記憶體。」
Western Digital 行政總裁Steve Milligan 同時(shí)指出：「今天很榮幸能與我們的重要合作伙伴東芝記憶體公司一起為6 號(hào)晶圓廠和記憶體研發(fā)中心揭開序幕。近20 年來我們合作無間，帶動(dòng)了NAND Flash 技術(shù)的成長和創(chuàng)新。
展開 長江存儲(chǔ)入場(chǎng)，3D NAND大戰(zhàn)開啟
在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。
隨著新玩家進(jìn)入3D NAND市場(chǎng) - 中國的長江存儲(chǔ)（以下簡稱：YMTC），競(jìng)爭(zhēng)正在加劇。 在中國政府撥款數(shù)十億美元的支持下，YMTC最近推出了其首款3D NAND技術(shù)。 此舉加劇了對(duì)新進(jìn)入者可能影響市場(chǎng)惡化的擔(dān)憂。 3D NAND業(yè)務(wù)正在走向長期供過于求和價(jià)格下跌的局面。
3D NAND是當(dāng)今平面NAND閃存的后續(xù)產(chǎn)品，用于存儲(chǔ)應(yīng)用，如智能手機(jī)和固態(tài)存儲(chǔ)（SSD）。 與平面NAND（2D結(jié)構(gòu)）不同，3D NAND類似于垂直摩天大樓，其中水平層的存儲(chǔ)器單元被堆疊，然后使用微小的垂直通道連接。
圖1：2D NAND架構(gòu)。資料來源：Western Digital。
圖2：3D NAND架構(gòu)。資料來源：Western Digital
3D NAND通過設(shè)備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備，盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù)，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應(yīng)商正在競(jìng)相開發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
在研發(fā)方面，供應(yīng)商也在開發(fā)下一代技術(shù)，分別為256層和512層。 “這是一場(chǎng)比賽，”TechInsights的分析師Jeongdong Choe說。 “這是最高籌碼量的競(jìng)賽。”
有些人偏離了路線圖。在一種情況下，供應(yīng)商最終會(huì)轉(zhuǎn)移到半個(gè)節(jié)點(diǎn)以保持領(lǐng)先于游戲。然后，競(jìng)爭(zhēng)背后的YMTC計(jì)劃在2019年中期之前發(fā)布一個(gè)64層設(shè)備，但它將跳過96層直接移動(dòng)到128層。 “他們的任務(wù)是追趕三星和其他公司。也許在2020年或2021年，他們將做128，“Choe說。
現(xiàn)有的3D NAND供應(yīng)商 - 英特爾，美光，三星，SK海力士和東芝 - 并沒有停滯不前，他們將在競(jìng)爭(zhēng)中保持領(lǐng)先地位。
展開 半導(dǎo)體 | SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)已獲韓國批準(zhǔn)
來源 ：TechWeb
5月30日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，在獲得美國和歐盟的批準(zhǔn)之后，SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易，也已獲得了韓國監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)。
SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易獲得韓國監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)，是由韓國媒體報(bào)道的。
韓國媒體的報(bào)道顯示，SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易，已獲得韓國公平貿(mào)易委員會(huì)的批準(zhǔn)。
從韓國媒體的報(bào)道來看，韓國公平貿(mào)易委員會(huì)較快批準(zhǔn)這一收購交易，是因?yàn)樗麄冋J(rèn)為交易在反壟斷方面的擔(dān)憂并不高。
根據(jù)韓國公平貿(mào)易委員會(huì)的數(shù)據(jù)，收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)之后，SK海力士在NAND閃存市場(chǎng)的份額，將由13%提升至27%，份額翻番，但并不會(huì)成為第一大廠商，目前已有廠商在這一領(lǐng)域的份額超過30%。
SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，是在去年10月份宣布的，SK海力士將以90億美元的價(jià)格，收購英特爾NAND固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶圓業(yè)務(wù)、在大連的NAND閃存制造工廠，還包括英特爾設(shè)計(jì)和制造NAND晶圓相關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)、研發(fā)人員等，英特爾將保留擁有先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的傲騰業(yè)務(wù)。
展開 長江存儲(chǔ)推出全新3D NAND架構(gòu)：Xtacking?
作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱：長江存儲(chǔ)）公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
圖片來源：長江存儲(chǔ)官網(wǎng)
采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。
當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
業(yè)內(nèi)知名人士Gregory Wong認(rèn)為：“隨著3D NAND更新?lián)Q代，在單顆NAND芯片存儲(chǔ)容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會(huì)越來越困難。若要推動(dòng)SSD性能繼續(xù)提升，更快的NAND輸入輸出速度及多plane并行操作功能將是必須的。”
長江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND輸入輸出速度的目標(biāo)值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking?技術(shù)我們有望大幅提升NAND 輸入輸出速度到3.0Gpbs，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這對(duì)NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。”
傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。
展開 4D NAND搶了長江存儲(chǔ)Xtacking的風(fēng)頭？比一比就知道了
昨天，關(guān)于此次峰會(huì)，行業(yè)主要關(guān)注的焦點(diǎn)就是我國的長江存儲(chǔ)在會(huì)上正式發(fā)布了全新的3D NAND架構(gòu)：Xtacking。
今天，SK海力士成為了另一家備受關(guān)注的企業(yè)，因?yàn)樵摴驹诜鍟?huì)上宣布推出全球首款4D NAND閃存。
當(dāng)下，3D NAND發(fā)展的如火如荼，而且相應(yīng)技術(shù)仍處于前沿地帶，而SK海力士的宣傳更加吸引眼球，直接推4D產(chǎn)品。
4D閃存技術(shù)并不是SK海力士發(fā)明的。據(jù)悉，該技術(shù)最早是由APlus Flash Technology公司提出的，其技術(shù)原理是NAND+類DRAM的混合型存儲(chǔ)器，采用了“一時(shí)多工”的平行架構(gòu)，而3D-NAND只能執(zhí)行“一時(shí)一工”。若一到十工同時(shí)在4D閃存系統(tǒng)執(zhí)行時(shí)，其速度會(huì)比3D-NAND快一到十倍。
打個(gè)比方，按照愛因斯坦的“相對(duì)論”， 時(shí)間已不是常數(shù)，因此，可以認(rèn)為時(shí)間在4D閃存系統(tǒng)中變長了，從而能夠處理更多的事情。反之，時(shí)間在3D-NAND系統(tǒng)中可以認(rèn)為變短了，則處理的事情也就少了。
總的來說，4D閃存的設(shè)計(jì)理念是集前端高速易失性DRAM和后端低成本、非易失性的3D-NAND于一身，巧妙地克服了3D-NAND的缺點(diǎn)。4D閃存是“統(tǒng)一型設(shè)計(jì)”架構(gòu)，在制程工藝不變的情況下，可直接應(yīng)用到各種3D-NAND上。
4D NAND究竟如何？
實(shí)際上，SK海力士在今年5月25日就正式發(fā)布了4D NAND產(chǎn)品：96層堆疊的512Gb TLC。本次峰會(huì)上，該公司更具體地介紹了該款產(chǎn)品。
展開 英特爾大連二期工廠投產(chǎn)：主攻96層3D NAND
英特爾的閃存業(yè)務(wù)是跟美光合資的，也就是IMFT公司，不過IMFT現(xiàn)在是美光為主，在第四代3D NAND閃存及第二代XPoint閃存之后，英特爾將與美光公司和平分手，雙方各自研發(fā)、生產(chǎn)自家的閃存芯片。
英特爾公司三年前宣布將中國大連的Fab 68晶圓廠改造為NAND工廠，總投資55億美元，現(xiàn)在，二期工廠已經(jīng)投產(chǎn)了，主要生存96層堆棧的3D NAND閃存。
根據(jù)統(tǒng)計(jì)，在全球NAND Flash快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)上，韓國三星的市占率高達(dá)到37%，東芝、西部數(shù)據(jù)則分別有20%、15%左右的市占率。再來才是美光、SK Hynix，英特爾是全球6大廠商中市占率最少的，不足10%，這也導(dǎo)致英特爾過去在NAND Flash快閃存儲(chǔ)器，以及SSD固態(tài)硬盤市場(chǎng)上主打企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，消費(fèi)等級(jí)SSD市場(chǎng)就放置在重點(diǎn)之外，造成影響力遠(yuǎn)不如三星、東芝、美光等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。而出現(xiàn)這種情況的原因，就在于英特爾沒有自己獨(dú)立的NAND Flash快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)能。
2015年英特爾宣布將在中國大連的Fab 68工廠建設(shè)二期工程，主要生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器，也就是NAND閃存，項(xiàng)目總投資不超過55億美元。如今經(jīng)過三年的建設(shè)，F(xiàn)ab 68二期工廠正式投產(chǎn)，主要生產(chǎn)96層3D NAND閃存，這也意味著英特爾未來的3D NAND閃存產(chǎn)能將會(huì)大增。
據(jù)了解，英特爾2006年與大連市政府達(dá)成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測(cè)試，2010年大連晶圓廠正式落成。至于現(xiàn)在宣布量產(chǎn)的大連Fab 68第2期工廠，未來將成為英特爾最重要的NAND快閃存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地。預(yù)計(jì)，英特爾70%的3D NAND快閃存儲(chǔ)器將產(chǎn)自這里。
展開 
東芝/西數(shù)新晶圓廠啟用 量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash
東芝存儲(chǔ)器自2017年2月開始興建6號(hào)晶圓廠，是3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的專用生產(chǎn)廠區(qū)。東芝存儲(chǔ)器與西數(shù)已針對(duì)沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關(guān)鍵生產(chǎn)制程開始部署先進(jìn)制造設(shè)備，新廠已經(jīng)在9月初開始量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash。
鑒于3D NAND Flash在企業(yè)服務(wù)器、資料中心及智能手機(jī)的需求不斷成長，未來幾年這些需求將持續(xù)擴(kuò)大的情況下，為因應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)，未來可望進(jìn)一步投資擴(kuò)大產(chǎn)能。
此外，與6號(hào)晶圓廠相毗鄰的存儲(chǔ)器研發(fā)中心，也已經(jīng)于2018年3月開始營運(yùn)，主要負(fù)責(zé)研發(fā)及推動(dòng)3D NAND Flash的發(fā)展工作。
東芝存儲(chǔ)器進(jìn)一步指出，將與西數(shù)持續(xù)推動(dòng)并擴(kuò)展雙方在存儲(chǔ)器事業(yè)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，積極開發(fā)各項(xiàng)計(jì)劃以強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，推動(dòng)3D NAND Flash的共同開發(fā)，并根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)規(guī)劃資本的投入。
對(duì)此，東芝存儲(chǔ)器社長暨執(zhí)行長成毛康雄表示，東芝存儲(chǔ)器很高興有這個(gè)機(jī)會(huì)能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場(chǎng)。而6號(hào)晶圓廠和存儲(chǔ)器研發(fā)中心能讓東芝存儲(chǔ)器在3D NAND Flash市場(chǎng)中維持領(lǐng)先地位，而且相信與西數(shù)的合資事業(yè)，將能協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)市場(chǎng)上最先進(jìn)的存儲(chǔ)器。
西數(shù)的執(zhí)行長Steve Milligan也同時(shí)指出，很榮幸能與西數(shù)的重要合作伙伴──東芝存儲(chǔ)器一起為6號(hào)晶圓廠和存儲(chǔ)器研發(fā)中心揭開序幕。
近20年來，兩家公司合作無間，帶動(dòng)了NAND Flash技術(shù)的成長和創(chuàng)新。此外，雙方也正積極提升96層3D NAND Flash的產(chǎn)能，以因應(yīng)從消費(fèi)性、移動(dòng)應(yīng)用到云端資料中心等終端市場(chǎng)的各式商機(jī)，且6號(hào)晶圓廠具備先進(jìn)技術(shù)設(shè)備，將進(jìn)一步提升東芝存儲(chǔ)與西數(shù)在業(yè)界技術(shù)領(lǐng)先和成本領(lǐng)導(dǎo)的地位。
展開 三星閃存芯片最新進(jìn)展：200層以上第八代V-NAND要來了
Jaihyuk Song透露，三星正積極推動(dòng)第七代V-NAND閃存芯片（176層）的應(yīng)用，并計(jì)劃在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND閃存芯片的消費(fèi)類SSD。
據(jù)悉，三星第七代V-NAND閃存芯片擁有業(yè)界迄今為止最小的單元尺寸，三星還計(jì)劃將第七代V-NAND閃存芯片的應(yīng)用擴(kuò)展至數(shù)據(jù)中心SSD領(lǐng)域。
除此之外，Jaihyuk Song還表示，三星已經(jīng)獲得了具有200層以上的第八代V-NAND解決方案的工作芯片，并計(jì)劃根據(jù)消費(fèi)者的需求將其推向市場(chǎng)。
媒體透露，三星目前正在平澤的新工廠（2號(hào)廠）測(cè)試第七代176層V-NAND閃存的生產(chǎn)線。生產(chǎn)量為每月10,000張12英寸晶圓。預(yù)計(jì)在2021年下半年這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后，將立即開始為第八代V-NAND閃存的大規(guī)模生產(chǎn)做準(zhǔn)備。（文：全球閃存市場(chǎng)）
展開 NAND Flash的最新競(jìng)爭(zhēng)格局，長江存儲(chǔ)成為黑馬
在本周于美國加州舉行的快閃記憶體高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，全球幾家主要的記憶體制造商紛紛表示看好3D NAND快閃記憶體(flash)的未來發(fā)展，并透露了一部份的開發(fā)藍(lán)圖。而其最近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——長江存儲(chǔ)科技公司(Yangtze Memory Technology Corp.；YMTC)更積極接觸媒體，深入介紹其最新3D NAND技術(shù)架構(gòu)與發(fā)展前景。
海力士(SK Hynix)也十分樂于提供其96層(96-layer)元件的詳細(xì)資訊。東芝(Toshiba)宣布推出一款低延遲芯片，正面挑戰(zhàn)三星(Samsung)的Z-NAND和英特爾(Intel)的Optane。美光(Micron)僅簡要介紹其下一代計(jì)劃，而Western Digital (WD)則推出了全新軟體，作為其資料中心策略的一部份。
事實(shí)上，這些消息的發(fā)布，正值硬碟仍主導(dǎo)目前的電腦儲(chǔ)存之際。然而，根據(jù)一些市場(chǎng)預(yù)測(cè)，NAND flash正在市場(chǎng)上刮起一陣旋風(fēng)，預(yù)計(jì)到2025年將占據(jù)市場(chǎng)的半壁江山。
海力士Tbit級(jí)芯片明年出樣
海力士宣布將在今年年底前針對(duì)行動(dòng)系統(tǒng)出樣其512-Gbit 96層芯片，采用11.3 x 13-mm 2封裝。明年6月之前，該公司還將出樣一款以16 x 20-mm 2封裝的Tbit級(jí)版本，即所謂的V5系列。這兩款芯片均采用電荷儲(chǔ)存架構(gòu)，支援高達(dá)1.2-Gbits/s/pin的資料速率。
V5系列元件的尺寸比其現(xiàn)有72層NAND芯片更小30%，但讀取速度提高了25%，寫入性能也提升了30%。相較于現(xiàn)有的產(chǎn)品，整體功率效率大幅提高150%。
海力士目前已經(jīng)開始研發(fā)128層的下一代產(chǎn)品了。
展開 長江存儲(chǔ)64層 3D Xtacking NAND的秘密
長江存儲(chǔ) CEO 楊士寧：“目前，世界上最高的3D NAND I/O速度目標(biāo)是每秒1.4 Gbps，而大多數(shù)行業(yè)提供的NAND I/O速度為每秒1.0Gbps或更低。我們的Xtacking?技術(shù)可以讓NAND I/O速度可以達(dá)到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。這將改變NAND行業(yè)的游戲規(guī)則。”
圖4，裸片頂視圖
圖4中的裸片圖片取自一份產(chǎn)品簡介，可以通過3月12日發(fā)布的TechInsights博客獲得。
裸片尺寸沒有提供，但是其比特密度為4.41 Gb/mm2，對(duì)于256 Gb的芯片，我們可以得到面積~58 mm2，由此我們可以得到裸片~12.0x 4.8 mm的尺寸。比特密度與微米/英特爾64L CuA( CMOS under array ) 256gb TLC (4.40 Gb/ mm2)相當(dāng)，明顯比三星64L 256gb (3.42 Gb/ mm2)更密集。其比特密度大概比傳統(tǒng)的三星布局（外圍電路在陣列旁邊）高30%。
圖5，背面頂視圖
圖5展示了從芯片背部拍攝的圖片。我們可以看到有8個(gè)32-Gb的區(qū)塊，如果我們使用我們估計(jì)的12 mm的裸片長度作為校準(zhǔn)，每個(gè)塊的尺寸約為1.5x 1.7 mm (2.55 mm2)，或者一個(gè)陣列塊的尺寸約為12.55 Gb/ mm2，而16-Gb的子塊尺寸約為0.95 mm2。存儲(chǔ)器陣列效率大于90%。
圖6，截面圖
在3D堆疊中，我們?cè)谪Q直的NAND單元串中看到73個(gè)柵極層(字線)，可能其中有64個(gè)有效柵極，加上5個(gè)偽柵極和4個(gè)選擇柵極(1個(gè)源SG和3個(gè)源SGs)。圖6中的SEM橫截面圖也是來自產(chǎn)品簡介，添加了一些注釋。這幅圖與前面的示意圖相反，下面是CMOS芯片。
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