NAND Flash
關(guān)注創(chuàng)建者：jiupo5563 創(chuàng)建時間：2019-01-03
NAND Flash的實例教程
從2017年供不應求的榮景，NAND Flash市況在2018年進入風云變色的調(diào)整期，生產(chǎn)業(yè)者持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，新一代制程技術(shù)及更大容量規(guī)格正伺機而出，供過于求與終端市場買氣不足，導致2018年NAND Flash跌價幅度超過6成。
到2018年底，每GB價格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價，在跌價、擴產(chǎn)等多重因素影響下，2019年市況風云詭譎，供應鏈洗牌淘汰賽一觸即發(fā)，也為全球產(chǎn)業(yè)的競合局勢更加增添煙消四起的氛圍。
NAND位元產(chǎn)出連年成長 終端市場亂象橫生
DRAM與NAND Flash存儲器市場在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)跌宕，在供過于求壓力下，2015~2016年市價下滑，2017年再度風生水起、漲勢不止，然而產(chǎn)業(yè)榮景未如預期延續(xù)，各家大廠競相強化投資規(guī)模，3D NAND Flash新增產(chǎn)能開出，市場需求卻成長平緩，加速2018年全球NAND Flash價格一路走跌。
受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度并不如預期順利，因而導致次級品在外流通銷售，進而干擾市場價格，對應至終端應用，消費型SSD市場首當其沖。
從2017年12月中~2018年第3季跌價幅度已經(jīng)逾5成，120G SSD價格超跌下探0.2美元／GB關(guān)卡，質(zhì)量參差不齊的問題延續(xù)至第3季，至于240GB和480GB價格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。
展開 東芝存儲器自2017年2月開始興建6號晶圓廠，是3D NAND Flash快閃存儲器的專用生產(chǎn)廠區(qū)。東芝存儲器與西數(shù)已針對沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關(guān)鍵生產(chǎn)制程開始部署先進制造設備，新廠已經(jīng)在9月初開始量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash。
鑒于3D NAND Flash在企業(yè)服務器、資料中心及智能手機的需求不斷成長，未來幾年這些需求將持續(xù)擴大的情況下，為因應市場趨勢，未來可望進一步投資擴大產(chǎn)能。
此外，與6號晶圓廠相毗鄰的存儲器研發(fā)中心，也已經(jīng)于2018年3月開始營運，主要負責研發(fā)及推動3D NAND Flash的發(fā)展工作。
東芝存儲器進一步指出，將與西數(shù)持續(xù)推動并擴展雙方在存儲器事業(yè)的市場領導地位，積極開發(fā)各項計劃以強化競爭力，推動3D NAND Flash的共同開發(fā)，并根據(jù)市場趨勢規(guī)劃資本的投入。
對此，東芝存儲器社長暨執(zhí)行長成毛康雄表示，東芝存儲器很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場。而6號晶圓廠和存儲器研發(fā)中心能讓東芝存儲器在3D NAND Flash市場中維持領先地位，而且相信與西數(shù)的合資事業(yè)，將能協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)市場上最先進的存儲器。
西數(shù)的執(zhí)行長Steve Milligan也同時指出，很榮幸能與西數(shù)的重要合作伙伴──東芝存儲器一起為6號晶圓廠和存儲器研發(fā)中心揭開序幕。
近20年來，兩家公司合作無間，帶動了NAND Flash技術(shù)的成長和創(chuàng)新。此外，雙方也正積極提升96層3D NAND Flash的產(chǎn)能，以因應從消費性、移動應用到云端資料中心等終端市場的各式商機，且6號晶圓廠具備先進技術(shù)設備，將進一步提升東芝存儲與西數(shù)在業(yè)界技術(shù)領先和成本領導的地位。
展開 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導體設施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片價格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
Toshiba 于2017 年2 月開始興建6 號晶圓廠，作為生產(chǎn)3D NAND Flash ( 快閃記憶體) 的專用廠區(qū)。Toshiba 與Western Digital 已針對沉積(deposition) 與蝕刻(etching) 等關(guān)鍵生產(chǎn)制程部署先進制造設備。新晶圓廠在本月初已開始量產(chǎn)96 層3D NAND Flash。
與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發(fā)中心已于今年3 月開始營運，負責研發(fā)并推動3D NAND Flash 的發(fā)展工作。
東芝記憶體公司與Western Digital 將持續(xù)推動并擴展雙方在記憶體市場的領導地位，積極開發(fā)各項計劃以強化競爭力，推動3D NAND Flash 的共同開發(fā)，并根據(jù)市場趨勢規(guī)劃資本的投放。
東芝記憶體公司主席及行政總裁成毛康雄(Yasuo Naruke) 表示：「我們很高興有這個機會能為新一代的3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場。6 號晶圓廠和記憶體研發(fā)中心能讓我們在3D NAND Flash 市場中維持領先地位，而且我們相信與Western Digital 的合資事業(yè)，將協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)最先進的記憶體?！?Western Digital 行政總裁Steve Milligan 同時指出：「今天很榮幸能與我們的重要合作伙伴東芝記憶體公司一起為6 號晶圓廠和記憶體研發(fā)中心揭開序幕。近20 年來我們合作無間，帶動了NAND Flash 技術(shù)的成長和創(chuàng)新。
展開 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，盡管第三季為傳統(tǒng)旺季，但由于消費性電子產(chǎn)品需求成長力道偏弱，加上3D NAND Flash供給持續(xù)增加，預計NAND Flash均價在第三季及第四季都將呈現(xiàn)10%左右的跌幅。
DRAMeXchange指出，價格持續(xù)疲軟的主因仍為供過于求，問題來自于幾個層面：
第一、智能手機硬件規(guī)格已無太大差異，難以吸引換機需求，全年手機年成長較2017年持平；
第二、筆記本電腦由于上半年廠商積極出貨，在基期墊高的情形下, 使得下半年旺季效應并不明顯；
第三、服務器需求雖呈現(xiàn)穩(wěn)定成長，但由于毛利高，吸引各供貨商積極投入，導致服務器SSD供給大增；第四、64/72層3D NAND Flash的良率持續(xù)提升以及擴產(chǎn)，主要供貨商皆上修產(chǎn)出預測。
上述原因使得供過于求的狀況延續(xù)至下半年，以至于合約價仍難有支撐力道。
價格走跌有助于推升搭載容量，eMMC/UFS、SSD位元需求成長可期
然而價格走跌對于NAND Flash市場而言，并不盡然是負面影響，反而有助于推升平均搭載容量。智能手機市場隨著價格走跌，一方面促進旗艦機種搭載容量進一步往256/512GB提升，同時也促使中階以上機種自32/64GB轉(zhuǎn)采64/128GB容量，使得2018年位元消耗量仍有40%以上的成長。
在SSD方面，由于價格下跌，有助于筆記本電腦的搭載率預估年內(nèi)將突破50%，主流搭載容量也提升到256GB，而512GB的產(chǎn)品也有機會在未來2-3年內(nèi)成為主流。服務器SSD部份，供貨商也對高容量產(chǎn)品躍躍欲試，2019年起在3D QLC NAND架構(gòu)問市后，可望進一步推升容量成長。
展開 鎧俠指出，上季NAND Flash售價（以日元計算）較上上季（2023年4-6月）揚升5%-9%、為五季來（2022年4-6月當季以來）首度轉(zhuǎn)為上漲；上季NAND Flash出貨量季減約10%-14%。鎧俠表示，以美元計算的售價季增0-4%。
關(guān)于市場動向及今后展望，鎧俠指出，隨著各家NAND Flash廠商持續(xù)生產(chǎn)調(diào)整（減產(chǎn)）、客戶去化庫存，供需平衡持續(xù)改善，價格已止跌。
鎧俠表示，NAND Flash市場中長期呈現(xiàn)成長趨勢的市場見解未發(fā)生太大變化。
鎧俠指出，將持續(xù)配合需求動向進行減產(chǎn)以及管控營銷費用，且為了確實創(chuàng)造獲利，將進行縮減制造成本、評估產(chǎn)品研發(fā)組合以及加快重點產(chǎn)品研發(fā)等措施。
東芝（Toshiba）目前持有鎧俠約四成股權(quán)。
鎧俠原先計劃和美商威騰電子（Western Digital）的半導體事業(yè)進行合并，不過因合并案無法獲得對鎧俠間接出資的SK海力士的同意，因此鎧俠、WD已于10月中止合并協(xié)商。WD并于10月30日宣布，將切割旗下NAND快閃存儲器部門，成立新公司并獨立上市，預計2024年下半年啟動相關(guān)作業(yè)。
展開 
NAND Flash的相關(guān)專題、標簽、搜索
NAND Flash的最新內(nèi)容
存儲芯片市場以DRAM和NAND Flash為主，此前NAND Flash的價格從2023年下半年一路上漲，而DRAM報價漲幅較少，2023年12月DRAM報價僅微幅調(diào)漲2%-3%，明顯低于3D TLC NAND約10%的漲幅。
鎧俠指出，上季NAND Flash售價（以日元計算）較上上季（2023年4-6月）揚升5%-9%、為五季來（2022年4-6月當季以來）首度轉(zhuǎn)為上漲；上季NAND Flash出貨量季減約10%-14%。鎧俠表示，以美元計算的售價季增0-4%。
智能音箱雖然形態(tài)較小，但內(nèi)部結(jié)構(gòu)復雜，主要包括CPU處理器、DRAM芯片、NAND Flash芯片、音頻放大器（功放芯片）、藍牙模塊、電源管理芯片等是影響成本的關(guān)鍵，也是完成智能交互、智能控制、音頻播放等操作的重要電子元件。
（無版權(quán)圖庫）
目前AI智能音箱可以實現(xiàn)的功能主要有線有聲內(nèi)容點播，智能家居控制，語音工具助手以及傳統(tǒng)的藍牙、Wi-Fi音頻播放等幾個方向。
今天小編給大家推薦一款性價比高的國產(chǎn)存儲芯片，存儲芯片 - PTS11，PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術(shù)，搭配海康威視自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。在產(chǎn)品層面，PTS11系列SSD采用高質(zhì)量的3D NAND Flash，由自動化SMT產(chǎn)線生產(chǎn)，經(jīng)?？禂?shù)據(jù)存儲應用標準測試，確保提供穩(wěn)定服務。
推薦產(chǎn)品：固態(tài)硬盤PTS11系列
PTS11系列SSD采用先進的SSD主控和3D NAND Flash 技術(shù)，搭配自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全，經(jīng)海康數(shù)據(jù)存儲應用標準測試，確保提供穩(wěn)定服務；在保障高速性能的情況下，具有強散熱、低功耗的良好表現(xiàn)，輕松滿足用戶日常各類使用所需。
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術(shù)：
3D NAND 技術(shù)進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結(jié)構(gòu)，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
存儲芯片 - PTS11，PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術(shù)，搭配?？低曌灾餮邪l(fā)的NAND Flash管理軟件
M14從2015年開始投入運營，主要生產(chǎn)DRAM和NAND Flash。
正在考慮生產(chǎn)Micro OLED晶圓的生產(chǎn)線是M10生產(chǎn)線，緊鄰M14。M10 于 2000 年初投入使用，是利川園區(qū)最老的產(chǎn)線，最初只生產(chǎn) DRAM，但 2019 年之后，也生產(chǎn)一部分CIS 產(chǎn)品。
M10生產(chǎn)線以12吋晶圓為基準，每月可生產(chǎn)10萬張。
演講主題：《美國BIS新政下國產(chǎn)半導體設備商的發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)》
BIS新半導體出口限制政策，從半導體芯片行業(yè)來看，涉及18nm制程DRAM，128層NAND Flash存儲芯片，16/14nm 的邏輯芯片的中國本土制造企業(yè)
BIS這項新的半導體出口限制政策，涉及18nm制程DRAM、128層NAND Flash存儲芯片、16/14nm邏輯芯片的中國本土制造企業(yè)將受到影響，成熟制程28nm及以上的中國本土制造企業(yè)則暫無影響。
可是在美國聯(lián)合日本、荷蘭達成協(xié)議后，未來除了以上提到的先進制程設備材料（14nm以下邏輯芯片與18nm以下存儲芯片）外，很大可能會限制28nm以上成熟制程設備賣給中國大陸晶圓廠。
在 imec，我們設想從 2030 年開始在內(nèi)存路線圖中引入液態(tài)內(nèi)存，屆時 3D-NAND-Flash 的位密度縮放將開始飽和。
隨著進一步擴展的努力，我們預計通過這些方法，位存儲密度可以推向 1Tbit/mm 2范圍，與 3D-NAND-Flash 相比，每 mm 2的工藝成本更低。
