芯片制造工藝的案例
晶圓幾何量測系統支持半導體制造工藝量測，保障晶圓制造工藝質量
晶圓面型參數厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數。其中TTV、BOW、Warp三個參數反映了半導體晶圓的平面度和厚度均勻性，對于芯片制造過程中的多個關鍵工藝質量有直接影響。
TTV、BOW、WARP對晶圓制造工藝的影響
1.對化學機械拋光工藝的影響：拋光不均勻，可能會導致CMP過程中的不均勻拋光，從而造成表面粗糙和殘留應力。
2.對薄膜沉積工藝的影響：凸凹不平的晶圓在沉積過程中會導致沉積薄膜厚度的不均勻，影響隨后的光刻和蝕刻過程中創建電路圖案的精度。
3.對光刻工藝的影響：影響聚焦；不平整的晶圓，在光刻過程中，會導致光刻焦點深度變化，從而影響光刻圖案的質量。
4.對晶圓裝載工藝的影響：在自動裝載過程中，凸凹的晶圓容易損壞。如碳化硅襯底加工過程中，一般還會在切割工藝時留有余量，以便在后續研磨拋光過程中減小TTV、BOW、Warp的數值。
TTV、BOW、Warp的區別
TTV描述晶圓的厚度變化，不量測晶圓的彎曲或翹曲；BOW度量晶圓彎曲程度，主要度量考慮中心點與邊緣的彎曲；Warp更全面，度量整個晶圓表面的彎曲和翹曲。盡管這三個參數都與晶圓的幾何特性有關，但量測的關注點各有不同，對半導體制程和晶圓處理的影響也有所區別。
WD4000系列晶圓幾何量測系統功能及應用方向
WD4000晶圓幾何量測系統可自動測量Wafer厚度、彎曲度、翹曲度、粗糙度、膜厚 、外延厚度等參數。該系統可用于測量不同大小、不同材料、不同厚度晶圓的幾何參數;晶圓材質如碳化硅、藍寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等。
展開 光刻技術如何一步步成了芯片制造的"卡脖子"？
摩爾定律使光刻技術成為王者
在芯片技術的三個發展階段中，光刻技術的原理是簡單明了的，始終保持不變，變化的是光刻線條更細，光刻精度更高。人們對芯片更小、更快和更好的需求，是推動光刻技術創新發展的唯一動力，而發展規律則是摩爾定律。
摩爾定律預示著每兩年不到的時間里，芯片集成度就要翻倍，在保證芯片面積不變的情況下，制造工藝的特征線寬就要減半或縮小。必然要求光刻精度不到兩年時間要提高一倍，對光刻技術和設備都提出了嚴苛的要求。
圖9.芯片制造工藝節點圖譜(資料來源：m.sohu.com)
從圖9芯片制造工藝節點圖譜，大致可以看到光刻機及光刻技術逐年進步的影子，也可以感受到正是摩爾定律把光刻技術一步一步推到越來越重要的地位。進入14nm工藝節點以后，光刻機技術難度陡然上升，ASML EUV光刻機的售價達到1.2億美元，光刻機設備成本占到所有制造設備成本的35%，光刻工序占到所有制造工時的40%左右。光刻技術成為芯片制造中真正的王者，因而成為芯片制造中最容易被“卡脖子”的技術。
結語：芯片產業沿著摩爾定律的規律一路走來，制造工藝特征線寬跨越當前的7nm、5nm、3nm的節點后，光刻技術將面臨著物理極限的挑戰，光刻技術成為了芯片產業中的技術王者。由于光刻技術和設備主要被外國公司壟斷，光刻成為我國芯片產業的卡脖子技術。如何解決這個卡脖子問題，需要國家大力扶持和科技人員的艱苦努力。同時，還必不可少地需要較長時間的技術積累。
展開 芯片制造的核心工藝：一文看懂薄膜沉積
芯片是由一系列有源和無源電路元件堆疊而成的3D結構，薄膜沉積是芯片前道制造的核心工藝之一。從芯片截取橫截面來看，芯片是由一層層納米級元件堆疊而成，所有有源電路元件（例如晶體管、存儲單元等）集中在芯片底部，另外的部分由上層的鋁/銅互連形成的金屬層及各層金屬之間的絕緣介質層組成。芯片前道制造工藝包括氧化擴散、薄膜沉積、涂膠顯影、光刻、離子注入、刻蝕、清洗、檢測等，薄膜沉積是其中的核心工藝之一，作用是在晶圓表面通過物理/化學方法交替堆疊SiO2、SiN等絕緣介質薄膜和Al、Cu等金屬導電膜等，在這些薄膜上可以進行掩膜版圖形轉移（光刻）、刻蝕等工藝，最終形成各層電路結構。由于制造工藝中需要薄膜沉積技術在晶圓上重復堆疊薄膜，因此薄膜沉積技術可視為前道制造中的“加法工藝”。
薄膜沉積是決定薄膜性能的關鍵，相關工藝和設備壁壘很高。芯片制造的關鍵在于將電路圖形轉移到薄膜上這一過程，薄膜的性能除了與沉積材料有關，最主要受到薄膜沉積工藝的影響。薄膜沉積工藝/設備壁壘很高，主要來自：第一，芯片由不同模塊工藝集成，薄膜沉積是大多數模塊工藝的關鍵步驟，薄膜本身在不同模塊/器件中的性能要求繁多且差異化明顯；第二，薄膜沉積工藝需要滿足不同薄膜性能要求，新材料出現或器件結構的改變要求不斷研發新的工藝或設備；第三，更嚴格的熱預算要求更低溫的生長工藝，薄膜性能不斷提升要求設備具備更好集成度，另外，沉積過程還要考慮沉積速率、環境污染等指標。下面幾節，我們從薄膜種類與應用、芯片制造模塊工藝、性能指標等角度來闡釋薄膜沉積行業的高壁壘。
展開 AMD VS 英特爾：芯片制造實力似乎正在發生逆轉
據國外媒體MarketWatch報道，芯片制造業似乎正在發生重大變化，AMD好像成為和對手英特爾競爭的贏家。
在這兩家芯片制造商本周公布季度財報之后，分析師表示，英特爾陷入產品延遲和管理上的不確定性，AMD在與英特爾的競爭中正在迅速獲得優勢。這可能預示著兩家公司之間的競爭將發生重大變化，長期以來，這一競爭一直被視為一名強者面對一個勇敢但通常是倒霉的挑戰者的衛冕戰。
英特爾于美國當地時間周四晚些時候發布了季度財報之后，該公司第二天股價大跌8.6%，報收于47.68美元，創下該股自2月底以來的最低收盤價，也創下該股自2016年1月15日以來單日最大跌幅。據道瓊斯數據顯示，2016年1月15日，英特爾股價下跌9.1%。
從這次公布的季度財報來看成，盡管季度業績高于華爾街預期，英特爾也上調了業績預期，但其數據中心營收增長沒有達到分析師的平均預期，并且英特爾似乎推遲了新產品的推出時間。
另一方面，AMD股價當地時間周五上漲了3.2%，報收于18.94美元，創下該股自2007年1月以來的最高價位。當地時間周三晚些時候，該公司公布了7年來最好的季度業績報告。AMD股價本周上漲近15%，而形成鮮明對比的是，英特爾股價本周下跌8.2%。
一年來，英特爾股價上漲了3.3%，而AMD股價上漲逾84%。AMD這一表現遠遠好于大盤指數，因為在同期，道瓊斯工業平均指數上漲了3%，標準普爾500指數上漲了5.4%，云集科技股的納斯達克綜合指數上漲了12.1%，費城半導體指數上漲了9.5%。
這兩家公司股價變動最大的催化劑之一是，越來越多的人認為，AMD的7納米芯片制造工藝目前正處于與英特爾10納米工藝相當的水平，甚至優于英特爾的10納米工藝。
“7納米”和“10納米”是指芯片制造商能夠在計算機芯片上制造出運行的晶體管的大小。
展開 
手機處理器的nm制造工藝到底是什么？
近幾年來，國內外企業都在大陸瘋狂建設晶圓廠（晶圓是制造半導體芯片的基本材料，半導體集成電路最主要的原料是硅，因此對應的就是硅晶圓。還記得紅極一時的美國硅谷么？），納米技術也是一路升級更新。去年9月份，全球頂尖的晶圓代工廠臺積電宣布計劃在臺灣建設3納米制程廠，雖然有人說5納米/3納米將會面臨很多技術難題，可是解決了難題之后技術才會成長。
那么制造工藝到底是什么呢？芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示。現在的CPU內集成了以億為單位的晶體管，這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成，電流從源極流入漏極，柵極則起到控制電流通斷的作用。
而所謂的多少nm其實指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。
柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管——Intel曾經宣稱將柵長從130nm減小到90nm時，晶體管所占得面積將減小一半；在芯片晶體管集成度相當的情況下，使用更先進的制造工藝，芯片的面積和功耗就越小，成本也越低。
柵長可以分為光刻柵長和實際柵長，光刻柵長則是由光刻技術所決定的。由于在光刻中光存在衍射現象以及芯片制造中還要經歷離子注入、蝕刻、等離子沖洗、熱處理等步驟，因此會導致光刻柵長和實際柵長不一致的情況。
另外，同樣的制程工藝下，實際柵長也會不一樣，比如雖然臺積電跟三星也推出了10nm制程工藝的芯片，但其芯片的實際柵長和Intel的10nm制程芯片的實際柵長依然有一定差距。并且差距還是不小的
歸根結底，未來會出現幾納米的制造工藝尚不確定，但是科技在發展，人類在進步是有目共睹的。
展開 新制造工藝：有望實現高速低功耗光電子芯片！
因此，長期目標就是利用CMOS制造技術和材料平臺，集成電子與光子元件，且不影響其性能。
在這項研究中，研究人員成功地將光子器件集成到塊狀硅CMOS芯片中。他們采用標準的CMOS制造技術，在制造工藝中引入少量變化，從而在塊狀硅中創造出光子器件區域。這些光子器件在晶體管處理期間集成。這包括，在塊狀硅中添加一個由絕緣體材料二氧化硅形成的“孤島”，并在其頂部沉積多晶硅薄膜，從而形成了絕緣襯底上的硅。光子器件會從這個絕緣襯底上的硅區域制造出來，而晶體管則會在CMOS芯片上標準的塊狀硅區域形成。
（圖片來源：Nature）
價值
這一新型平臺將光子器件帶入最先進的塊狀硅微電子芯片中，帶來更快更節能的通信，并將為光電子系統芯片的量產鋪平道路，極大地改善計算設備與移動設備。
除傳統數據通信之外，其應用還包括圖像和數據識別任務中的深度學習神經網絡的訓練，無人駕駛汽車中采用的低成本紅外激光雷達傳感器、智能手機人臉識別技術以及增強現實技術。
此外，光學使能的芯片將帶來新型的數據安全和硬件鑒權、應用于第五代（5G）無線通信網絡的更加強大的芯片、量子信息處理器件和量子計算器件。
關鍵字
半導體、芯片、電子、光子、工藝
展開 仿真研究推進納米光刻工藝的升級，助力計算機芯片制造
如今，納米技術的應用已經深入人們的日常生活，我們平時使用的計算機芯片以及各種電子產品的制造都離不開納米技術。
納米光刻技術
納米光刻技術是一種利用光刻手段在物體上制作納米量級圖形的加工方法，目前是集成電路制造領域的主流納米加工技術。雖然傳統的光刻工藝可以滿足一定的生產需求，但它卻存在著諸多局限性：首先，光學衍射效應會降低分辨率，在一定程度上影響產品的質量；其次，較低的生產效率和高昂的生產成本也是制約相關產業發展的重要因素。
清華大學摩擦學國家重點實驗室（以下簡稱“摩擦實驗室”）是清華大學首批建成的國家重點實驗室之一，主要從事摩擦學理論與技術、機械表面科學與性能控制、生物摩擦學與生物機械、微納制造理論與技術等方面的研究。目前，摩擦實驗室的研究人員正在借助仿真手段探索一種低成本、高效率的新型納米光刻工藝。
旋轉式近場光刻技術
在光學領域，由于衍射現象的存在，傳統的光學系統很難突破半波長的成像分辨率。近年來，為突破這一限制，研究人員利用表面等離子共振能夠產生場強熱點（hotspot）的現象，研發出了等離子體透鏡，以實現超高分辨率聚焦。然而，這種超高分辨率成像和聚焦方法的工作距離很短，僅適用于介質表面，因此在實際應用中很難控制。為了能夠穩定控制透鏡及聚焦點，摩擦實驗室的研究人員基于硬盤驅動器的飛行原理和近場光學理論，提出了一種名為旋轉式近場光刻技術的新型光刻工藝。
硬盤在運行時，磁頭滑塊會在盤片表面穩定飛行，其飛行高度的高低取決于盤片的旋轉速度和磁頭滑塊的形狀。通過將表面等離子體透鏡集成在磁頭滑塊表面、并將超高分辨率的光刻膠涂于盤片表面，當磁頭在盤片表面穩定飛行時，表面等離子體透鏡即可對光刻膠進行曝光。由于表面等離子體透鏡具有優異的聚光效應，因此能夠形成突破衍射極限的近場光斑，進而實現高分辨率、快速、無掩膜的納米光刻加工。
展開 IGBT的芯片結構、失效模式和生產工藝制造流程1.0
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美國確認撥款520億美元，扶持芯片制造研發
三星還在一份聲明中稱，其位于首爾南部平澤的第三條芯片生產線——25個足球場大小——將于2022年下半年完工。
另據一家韓國報紙報道，三星可能在今年第三季度開始建設一家擬投資170億美元的美國芯片工廠，將采用先進的5nm極紫外（EUV）光刻芯片制造工藝，目標是在2024年投入運營。
三星沒有立即置評。
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結語：加大投資
已成各國提振芯片產業的共識
美國參議院著力推進的法案是美國兩黨共同努力的一部分，以應對他國競爭。兩黨議員及美國總統拜登多次警告稱，新冠肺炎疫情導致許多產品供應短缺，凸顯美國對海外制造業的依賴。
舒默說，美國必須在許多方面應對來自中國日益增長的威脅，尤其是技術競賽。他說：“如果我們不大膽地采取行動，我們就可能失去一代高薪工作，成千上萬的高薪工作。”
上周四，在三星位于平澤的芯片工廠，韓國總統文在寅同樣談到：“世界各國通過重組本國的供應鏈，進入了激烈的競爭。”“我們需要先發制人的投資……加強國內產業生態系統建設，引領全球供應鏈，讓這一機遇成為我們的機遇。”
展開 精沖工藝與旋壓工藝，高技術含量的制造工藝
法因圖爾1965年和德國舒勒公司合作，將壓力機的制造工作交給后者，一直合作到現在，累積生產了2500多臺精沖機床，150噸機械式精沖機到1550噸液壓精沖機的全系列、不同噸位的生產線。
HFAplus增強型系列液壓精沖機主要適用于復雜零件的柔性化生產。它的主要特點是擴展功能強，可增添不同選項來滿足幾乎所有精沖零件的加工要求。噸位從320噸到1550噸之間，最高節拍能到85次每分鐘。XFTspeed伺服機械式精沖壓力機集合了液壓、伺服控制以及機械驅動的優點，具有極高頻沖次和極低的停機時間，噸位從150～250噸，最高節拍能到200次每分鐘。
X-TRAspeed系列具有針對特殊場合生產要求的柔性及可兼容性，使得該機型很具有吸引力，伺服驅動集合了液壓和機械壓機的優點，噸位在320噸到700噸之間，最高節拍能到90次每分鐘。
精沖技術的核心，不是壓力機，而是模具設計和制造技術，法因圖爾生產的多工位的級進模能使成形和去毛刺在同一個模具內完成。
除了法因圖爾之外，日本的森鐵工株式會社是僅次前者的精沖設備和技術提供商，和法因圖爾搶占中端市場，在中國也有很多客戶。國內有北京機電所、天津億眾機械制造、上海交通大學模具CAD國家工程研究中心以及十幾所高校從事精沖設備和模具的制造或軟件研發工作。
歐美日在精沖鋼的研究和制造技術較為領先，因此精沖鋼的原材料標準主要集中在歐標EN10081-10084，日標JISG4051-4053和美標SAE，國標GB/T699和GB/T3077等。材料供應商有一勝百、寶鋼旗下的合資公司常熟寶升精沖材料有限公司等。
近年，隨著伺服壓力機的工藝豐富，一些沖壓廠商采用伺服壓力機能模擬液壓機工作曲線的特性，配合更加精密的模具技術，用不是嚴格意義上的精沖工藝，也得到一些精度比精沖件低，比普沖高的較高精度的零部件。
展開 那些與7nm工藝密不可分的處理器或芯片
近日，有媒體爆料，英特爾將在未來推出采用7nm工藝的EyeQ5芯片。據悉，這款芯片功耗為10W，采用雙路CPU系統，每顆TDP為5W。
AMD Zen 2處理器：作為一個老牌的芯片巨頭，AMD公司近日對外界公布，它們的Zen 2處理器已經設計完成，Zen 2處理器預計年底試樣，將采用最新的7nm工藝。Zen 2處理器相對于上一代產品在架構和工藝上均有改進，性能和功耗也更加優秀，最快可能在2020年實現量產。
這些7nm芯片用來干什么？
以應用為例，這些7nm芯片依次用在手機、礦機、電腦和無人車。之所以很多芯片廠商不愿意投入巨大的人力物力研究7nm的設計及工藝相關的技術，這是因為隨著工藝節點的特征尺寸減少，柵極和有源區間的絕緣層會越更薄，這層“薄膜”很容易被電壓擊穿。
對于一般的模擬電路而言，28nm、10nm可滿足其性能和功耗的要求。手機市場則不同，隨著5G時代的到來，低功耗高性能的處理器將成為市場香餑餑，它是提升手機品牌認可度最重要的參數之一，而提升芯片的設計制造工藝是解決這些問題的關鍵。
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【制造工藝】鋁材表面處理工藝大全，值得收藏
2)碳鋼，低合金鋼和鑄鐵制造的零件，在大氣中容易腐蝕，應加保護層。
3)銅和銅合金制造的零件，根據不同的使用條件，采用光亮酸洗，鈍化，電鍍或涂漆保護等。用磷青銅或鈹青銅制造的精密零件可以不進行表面處理。
4)鋁和鋁合金制造的零件，可以采用陽極氧化和封閉處理。不適于陽極氧化的小零件，可采用化學氧化處理。鑄造鋁合金可采用涂漆防護。
5)鋅合金制造的零件，可以采用磷化，鈍化，電鍍或涂漆防護。
第六節，鋁材的電泳處理
鋁材的彩色電泳涂裝是一種新穎的表面處理工藝。它采用電化學方法將有機樹脂的膠體粒子沉積在零件上，形成透明或各種顏色的有機涂覆層。根據電泳漆中的樹脂粒子電離后帶電狀況的不同，可分為陽極電泳（樹脂粒子電離后成負離子）及陰極電泳（樹脂粒子電離后成正離子）。
電泳涂覆層的耐腐蝕性能極其優良（能通過中性鹽霧試驗400小時以上），抗變色性強；與基體金屬的結合力好，可進行各種機械加工；涂覆層色彩鮮艷，根據用戶的要求可以配制成各種顏色，常見的有金色，咖啡色，q色，黑色等；與油漆比，施工性能好，對環境的污染和危害小。因此應用在汽車外殼及各種配件，自行車車把及配件，各種日用小五金配件，家具，工藝品等。由于陰極電泳比較先進，下面我們以陰極電泳作為我們介紹的主要課題；
陰極電泳涂裝是一復雜的電化學和膠體化學過程。電泳漆本身是一個膠體和懸浮體的多組分體系，存在著彌散相（樹脂，顏料微粒）和連續相（水）二種組分。陰極電泳的四種過程：
1、電泳帶正電的水溶性樹脂粒子及其吸附的顏料，向陰極移動。
2、電沉積帶正電的樹脂粒子到達零件（陰極）表面放電，形成不溶于水的沉積層，經烘烤后形成漆膜。
展開 制造一顆芯片就需要5000道工序
晶元加工廠包含前后兩道工藝，前道工藝分幾大模塊——光刻、薄膜、刻蝕、清洗、注入；后道工藝主要是封裝——互聯、打線、密封。其中，光刻是制造和設計的紐帶。
其中許多工藝都在獨立的工廠進行，而使用的設備也需要專門的設備廠制造；使用的材料包括幾百種特種氣體、液體、靶材，都需要專門的化工工業。另外，集成電路的生產都是在超凈間進行的，因此還需要排風和空氣凈化等系統。
有說法認為，集成電路是比航天還要高的高科技。該業內人士表示，這種說法也不無道理，“航天的可靠性估計也就4個9、5個9的樣子(X個9表示在軟件系統一年時間的使用過程中，系統可以正常使用時間與總時間之比)。現在硅晶圓材料的純度就要6個9以上。”
焦點
全球芯片
幾乎被美日歐壟斷
根據前瞻研究院的報告顯示，目前，全球芯片仍主要以美、日、歐企業產品為主，高端市場幾乎被這三大主力地區壟斷。在高端芯片領域，由于國內廠商尚未形成規模效應與集群效應，所以其生產仍以“代工”模式為主。
截至2015年年底的數據顯示，全球共有94家先進的晶元制造廠商，其中17家在美國，71家在亞洲(中國有9家)，6家在歐洲。日本在上世紀80年代處于領先地位，但自90年代開始其全球半導體市場份額顯著下降，至2015年僅有3家日本芯片制造商位列全球排名前二十——東芝、瑞薩電子和索尼。而與此同時，東亞其他國家已成為動態隨機存取存儲器市場的主要公司。韓國三星電子和海士力目前是世界第二和第三大半導體公司。
根據美國半導體產業協會(SIA)的最新統計數據顯示，2017年1月至2月，中國和美國的芯片市場規模份額擴大，分別為33.10%和19.73%；日本和歐洲的芯片市場份額有所下降，分別為9.29%和9.12%。中國芯片市場是全球最大、增長最快的市場，但是對外依存度過高。
展開 電線電纜制造工藝之絞線成纜工藝要求
三、絞合工藝要求
（1）絞合緊壓圓形線芯外徑公差：25～120㎜2電纜為± 0.1㎜，150～300㎜2電纜為± 0.15㎜。節距公差：按工藝附表設計規定± 10㎜。
（2）150～300㎜半成品線芯作為中心層，然后層絞。
（3）線盤張力應調節均勻，防止出現一松一緊現象。
（4）導體表面應光潔、無油污、無劃傷、線芯緊壓平整、無損傷屏蔽及絕緣的毛刺、銳邊以及凸起或斷裂的單線。
（5）絞合節徑比 絞合節徑比為絞合節距與絞線外徑之比，任一絞層的節徑比應不大于相鄰內層的節徑比。相鄰層得絞向應相反，最外層為右向。
（6）焊接 7股鋁絞線中的任何一根圓鋁線，均不允許焊接，7股以上鋁絞線中的圓鋁線允許焊接，但成品絞線上任何兩接頭間的距離，應不小于15m。電阻對焊的接頭應退火，退火長度每側至少為200㎜.接頭處應光滑圓整。接頭處的抗拉強度應不小于75Mpa。冷焊及冷鐓焊接頭的抗拉強度應不小于130
Mpa。
（7）裸單線接頭均采用對焊法。在同一層內，相鄰兩個接頭之間的距離應不小于300㎜。
（8）絞合緊壓導體不允許整根焊接。分頭處應有明顯標志，并注明準確長度。
（9）排線應平整、規矩，不準有相互雜亂、交叉壓線現象。
（10）計米器應計數準確。
（11）絞合緊壓導體下機后應掛工序卡片，經質檢員檢查合格后，允許下流。
四、成纜工藝要求
（1）繞包層包帶有：PVC帶、聚酯帶、無紡布帶、阻燃帶、耐火帶等。
（2）絕緣線芯排列規定：面對絞籠順時針排列，紅、黃、綠（PP膜帶色）。
（3）配模：按工藝規定或根據纜芯實際尺寸選模，確保不損傷銅帶屏蔽及包帶層。
（4）線盤張力應調節均勻，不要出現一松一緊現象。
展開 【制造工藝】一文全懂鑄造工藝，竟然還分這么多類型
鑄造的工藝流程：液體金屬→充型→凝固收縮→鑄件
鑄造的工藝特點：
1、可生產形狀任意復雜的制件，特別是內腔形狀復雜的制件。
2、適應性強，合金種類不受限制，鑄件大小幾乎不受限制。
3、材料來源廣，廢品可重熔，設備投資低。
4、廢品率高、表面質量較低、勞動條件差。
鑄造的分類 ：
（1）砂型鑄造（sand casting）
砂型鑄造：在砂型中生產鑄件的鑄造方法。鋼、鐵和大多數有色合金鑄件都可用砂型鑄造方法獲得。（我們推薦你關注“機械工程師”公眾號，第一時間掌握干貨知識、行業信息）
工藝流程：
砂型鑄造工藝流程
技術特點：
1、適合于制成形狀復雜，特別是具有復雜內腔的毛坯；
2、適應性廣，成本低；
3、對于某些塑性很差的材料，如鑄鐵等，砂型鑄造是制造其零件或，毛坯的唯一的成形工藝。
應用：汽車的發動機氣缸體、氣缸蓋、曲軸等鑄件
（2）熔模鑄造(investmentcasting)
熔模鑄造：通常是指在易熔材料制成模樣，在模樣表面包覆若干層耐火材料制成型殼，再將模樣熔化排出型殼，從而獲得無分型面的鑄型，經高溫焙燒后即可填砂澆注的鑄造方案。常稱為“失蠟鑄造”。
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