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創(chuàng)建者:匿名 創(chuàng)建時(shí)間:2026-01-05

微電子的視頻教程

航空航天與微電子領(lǐng)域關(guān)鍵材料加工技術(shù)新突破
航空航天與電子領(lǐng)域關(guān)鍵材料加工技術(shù)新突破

以航空航天領(lǐng)域?yàn)槔谌嚮勰└邷睾辖?FGH97 因在 650℃—750℃ 高溫下仍保持優(yōu)異的持久強(qiáng)度和蠕變性能,成為渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)葉片、燃燒室等核心部件的首選材料;而微電子封裝領(lǐng)域中,氮化鋁(AlN)高溫共燒陶瓷(HTCC)基板憑借 170—230 W/(m·K) 的高導(dǎo)熱率和優(yōu)異熱穩(wěn)定性,成為高密度封裝的關(guān)鍵載體,其內(nèi)部嵌入的流道結(jié)構(gòu)可使散熱能力提升 40% 以上并減小封裝厚度。

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汽車電子——32位車規(guī)微控制器 AUTOSAR MCAL軟件講解
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精密加工創(chuàng)新技術(shù):擠壓切削、階梯型前角刀具與OME切削的性能突破與未來展望
精密加工創(chuàng)新技術(shù):擠壓切削、階梯型前角刀具與OME切削的性能突破與未來展望

精密加工技術(shù)作為航空航天、微電子等高端制造領(lǐng)域的核心支撐,其工藝水平直接決定了關(guān)鍵零部件的性能邊界。當(dāng)前韌性金屬加工面臨兩大核心矛盾:一是材料強(qiáng)度與延展性的平衡難題,傳統(tǒng)工藝難以在提升表層硬度的同時(shí)保持心部韌性;二是加工效率與表面質(zhì)量的權(quán)衡困境,高效切削往往伴隨表面完整性退化。

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微電子圖1

微電子的實(shí)例教程

作者:李天笑 本文由知識(shí)自動(dòng)化(zhishipai)授權(quán)轉(zhuǎn)載 德國工業(yè)是世界一流的,德國在微電子行業(yè)的發(fā)展也是獨(dú)具特色。德國聯(lián)邦教育與研究部于2018年7月發(fā)布的《德國微電子:驅(qū)動(dòng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)的創(chuàng)新——德國聯(lián)邦政府研究與創(chuàng)新框架計(jì)劃2016-2020》,是一份關(guān)于德國微電子的五年規(guī)劃報(bào)告,非常值得一讀,對(duì)我們?nèi)绾慰创袊酒a(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有很高的參考價(jià)值。特別是“中興事件”之后,國人對(duì)我國高科技產(chǎn)業(yè)的狀況有了比較清醒的認(rèn)識(shí),意識(shí)到我們和美國、日本、韓國及歐洲國家之間的差距,特別是在芯片相關(guān)產(chǎn)業(yè)的差距,落后了起碼兩代。在政府大基金的支持下,從這幾年開始,我國在微電子產(chǎn)業(yè)的投入已經(jīng)有了很大的提高。但是,僅僅靠投資的拉動(dòng)就夠了嗎? 眾所周知,隨著科技的快速發(fā)展,科技領(lǐng)先的國家和地區(qū)在科技人才的聚集、企業(yè)的領(lǐng)先地位、國家層面的戰(zhàn)略部署等,都有著相當(dāng)大的優(yōu)勢(shì),造成了強(qiáng)者更強(qiáng)、弱者恒弱的局面。這里我們暫且不論美國、日本和韓國的微電子產(chǎn)業(yè),仔細(xì)審閱德國的微電子產(chǎn)業(yè)規(guī)劃,或許反倒可以得到更多的啟發(fā)。 五大戰(zhàn)略研究重點(diǎn) 這份報(bào)告《德國微電子:驅(qū)動(dòng)數(shù)字經(jīng)濟(jì)的創(chuàng)新》是在今年七月正式發(fā)布的,規(guī)劃中有很多亮點(diǎn),主要側(cè)重在研究和創(chuàng)新的具體方向和目標(biāo)的頂層設(shè)計(jì),以及實(shí)施過程中的措施和指導(dǎo)性建議。德國占整個(gè)歐洲三分之一的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),在很多領(lǐng)域有世界領(lǐng)先的技術(shù)和企業(yè),在這個(gè)基礎(chǔ)上,規(guī)劃選出了五大戰(zhàn)略研究重點(diǎn):多功能的電子系統(tǒng)、電子節(jié)能技術(shù)、設(shè)計(jì)芯片的創(chuàng)新工具、安全芯片、未來電子產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)。
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在此背景下,2017年12月,中航(重慶)微電子更名為華潤微電子(重慶)有限公司在西永微電園正式掛牌成立,華潤微電子、市經(jīng)信委、西永微電園簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,三方將致力于將華潤微電子(重慶)有限公司打造為全國最大的功率半導(dǎo)體基地。 根據(jù)此前簽約,華潤微電子(重慶)成立后,將在西永微電園設(shè)立國家級(jí)功率半導(dǎo)體研發(fā)中心、建設(shè)國內(nèi)最大的功率半導(dǎo)體制造中心,同時(shí)完善上下游產(chǎn)業(yè)鏈等。而這次12英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目簽約,表明華潤微電子將在原有8英寸生產(chǎn)線基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)大重慶產(chǎn)業(yè)布局、搶占功率半導(dǎo)體市場(chǎng)份額。 對(duì)整個(gè)中國集成電路產(chǎn)業(yè)而言,隨著華潤微電子12英寸晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目的簽約落地,不斷擴(kuò)大的12英寸晶圓廠版圖上將再添一筆,功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化率有望進(jìn)一步提升。 來源:全球半導(dǎo)體觀察
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繼今年3月深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“重投集團(tuán)”)聯(lián)合中芯國際開展28納米及以上的集成電路制造項(xiàng)目后,深圳市屬國資在半導(dǎo)體領(lǐng)域再下一城,重投集團(tuán)所屬企業(yè)深圳市深超科技投資有限公司(以下簡(jiǎn)稱“深超科技”)作為投資聯(lián)合體之一參與北大方正集團(tuán)重整,單獨(dú)并購北大方正集團(tuán)持有的深圳方正微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“方正微電子”)全部權(quán)益。 公開資料顯示,深超科技成立于2001年,系深圳國資100%持股,公司以微電子加工業(yè)和電路設(shè)計(jì)業(yè)為投資重點(diǎn),投資了一系列以“深星”打頭的子公司,如深星暉科技、深星瀚科技、深星帆科技等。深超科技持股70%的深圳市智多興投控科技有限公司,也是中國汽車電子智能化應(yīng)用與服務(wù)的領(lǐng)先企業(yè)。公司還參股了國家集成電路產(chǎn)業(yè)大基金。在資本市場(chǎng),深超科技也有涉獵,系深交所主板公司深紡織A的第二大股東,持股比例達(dá)3.17%,深紡織近年來因轉(zhuǎn)型偏光片等高科技領(lǐng)域而聞名。 近日,中國平安發(fā)布的關(guān)于攜手珠海華發(fā)、深圳市屬國資重整北大方正集團(tuán)公告引發(fā)外界關(guān)注。其中,重投集團(tuán)下屬全資子公司深超科技是并購北大方正集團(tuán)持有的方正微電子全部權(quán)益的唯一投資主體。 北大方正集團(tuán)諸多資產(chǎn)中,方正微電子科技含量甚高,被不少業(yè)內(nèi)人士看好。方正微電子成立于2003年12月,位于深圳寶龍科技城,是一家從事集成電路芯片制造的國家高新技術(shù)企業(yè)。其在國內(nèi)第一個(gè)實(shí)現(xiàn)了6英寸碳化硅器件制造,所開發(fā)的13個(gè)系列碳化硅產(chǎn)品已進(jìn)入商業(yè)化應(yīng)用,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。截至2020年底,方正微電子已申請(qǐng)國家專利867項(xiàng),已授權(quán)專利475項(xiàng),其中含美國授權(quán)發(fā)明專利7項(xiàng)、中國軟件著作權(quán)登記6項(xiàng)。 天眼查數(shù)據(jù)顯示,方正集團(tuán)為方正微電子的控股股東,持股達(dá)63.68%。
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自那以后,華潤集團(tuán)向國資委申請(qǐng)將華潤微電子列為集團(tuán)的主營業(yè)務(wù)并獲得批準(zhǔn)、支持華潤微電子到歐洲并購恩智浦公司射頻業(yè)務(wù)、支持華潤微電子到美國并購全球集成電路的先驅(qū)仙童半導(dǎo)體公司、組建華潤微電子新管理團(tuán)隊(duì)、支持華潤微電子并購中航工業(yè)集團(tuán)下屬的原重慶中航微電子公司、支持設(shè)立華潤集團(tuán)的微電子產(chǎn)業(yè)基金等,這一系列舉措就是希望在集團(tuán)十三五“雙擎兩翼”整體戰(zhàn)略規(guī)劃下,為華潤微電子的健康發(fā)展走出一條新路,也是在探索民族微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的成功之路。 中興通訊事件發(fā)生后,我?guī)ш?duì)前往華潤微電子重慶公司調(diào)研,再次和管理層、一線技術(shù)人員座談交流,聽取他們對(duì)這一問題的看法,來一起謀劃華潤的下一步行動(dòng)。座談中,大家對(duì)我國民族微電子產(chǎn)業(yè)和華潤微電子既充滿信心又有些困惑,我們的優(yōu)勢(shì)在哪?我們是否能夠趕超?我們的下一步行動(dòng)怎么辦等等。我這里有幾點(diǎn)思考,和大家探討。 (一) 遵循產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律、認(rèn)清差距 在集成電路產(chǎn)業(yè)誕生60周年(1958-2018)的發(fā)展過程中,摩爾定律揭示了集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)的迭代速度。根據(jù)摩爾定律:芯片密度每隔兩年要提高一倍!對(duì)于電子整機(jī)的消費(fèi)者而言,摩爾定律變成了“如果功能性能不變,電子整機(jī)產(chǎn)品兩年后價(jià)格降低一半”。集成電路作為工業(yè)中間品的B2B產(chǎn)業(yè),與傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)尤其是B2C產(chǎn)業(yè)相比具有非常明顯的差異,它追求集成電路產(chǎn)品的“高性價(jià)比”、而性能的提升與價(jià)格的降低均是通過高速的技術(shù)迭代與創(chuàng)新來實(shí)現(xiàn)、技術(shù)領(lǐng)先者形成“贏者通吃”的市場(chǎng)格局。也就是在這樣的高速發(fā)展中,各國集成電路技術(shù)的差距越拉越大。
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魏崢穎指出,配備在無人駕駛領(lǐng)域的圖形傳感器已從原來的消費(fèi)型電子轉(zhuǎn)向車規(guī)型電子,現(xiàn)在已有大量攝像頭芯片用車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行驗(yàn)證,這也意味著產(chǎn)品面世的時(shí)間可能沒這么快,但后續(xù)將會(huì)迎來爆發(fā)式增長。 工業(yè)和醫(yī)療亦是魏崢穎十分看好的圖像傳感器細(xì)分領(lǐng)域。 據(jù)其分析,工業(yè)用CIS應(yīng)用范圍廣,要求高幀速率、高像素,主要增長點(diǎn)在于由智能識(shí)別、智能檢測(cè)、智能互聯(lián)三大核心能力構(gòu)建而成的機(jī)器視覺;醫(yī)用內(nèi)窺鏡圖像傳感器市場(chǎng)包括一次性藥品相機(jī)、一次性內(nèi)窺鏡和非一次性內(nèi)窺鏡,近幾年整體醫(yī)用市場(chǎng)攝像頭芯片出貨量約保持25%的增長率。 技術(shù)、產(chǎn)能等全方位備戰(zhàn) 從魏崢穎的分析中可見,華力微電子在智能時(shí)代圖像傳感器領(lǐng)域的目標(biāo)市場(chǎng)已十分清晰,那么在技術(shù)、產(chǎn)能等方面是否已做好準(zhǔn)備? 從魏崢穎公布的華力微電子技術(shù)路線圖中,我們可看到目前華力微電子65/55nm技術(shù)平臺(tái)可量產(chǎn)Logic、RF、HV、eFlash、ULP、CIS、NOR Flash;40nm方面已可量產(chǎn)Logic、RF,eFlash在研發(fā)中,ULP、CIS在計(jì)劃中;28nm方面已可量產(chǎn)Logic,RF、HV在研發(fā)中,eFlash、CIS在計(jì)劃中;22nm方面,Logic、RF、ULP、FD-SOI在研發(fā)中;14/12nm方面,Logic、RF在研發(fā)中。 65/55nm是華力微電子最成熟的技術(shù)平臺(tái),據(jù)魏崢穎所言,華力微電子55nm技術(shù)平臺(tái)圖像傳感器在應(yīng)用、功能、像素、PixelSize、架構(gòu)、工藝等方面均做了較全面布局,目前只有UTS貼片部分還在計(jì)劃中,其他都已可量產(chǎn)或在研發(fā)中。 魏崢穎表示,華力微電子近期在進(jìn)行小線寬超深結(jié)設(shè)計(jì)技術(shù)、小像素設(shè)計(jì)、全像素相位檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦以及3D垂直柵像素電路設(shè)計(jì)等技術(shù)開發(fā)。
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微電子圖2

微電子的最新內(nèi)容

氧化物-金屬電容器的優(yōu)勢(shì) 成本低 電容密度高 出色的射頻(RF)特性 出色的匹配特性 無需額外的掩膜層 對(duì)稱平面結(jié)構(gòu) 金屬-氧化物-金屬電容器的缺點(diǎn) 下極板寄生效應(yīng)適中 密度低 串聯(lián)電感和電阻較高 擊穿電壓低 金屬-氧化物-金屬電容器的應(yīng)用 高速集成電路(IC) 微電子
1.2全自動(dòng)微跌落試驗(yàn)機(jī) 核心優(yōu)勢(shì):5 工位獨(dú)立運(yùn)行,可同時(shí)測(cè)試 5 臺(tái)設(shè)備,每工位支持 6 面 4 角跌落;跌落高度 10-300mm 可調(diào),測(cè)試頻率 5-30 次 / 分,適配 TWS 耳機(jī)、小型電子配件摔測(cè)試。 場(chǎng)景價(jià)值:解決小型產(chǎn)品人工測(cè)試效率低、姿態(tài)難控制的問題,自動(dòng)識(shí)別失敗次數(shù),數(shù)據(jù) 100% 準(zhǔn)確。
講師: 倪勝 | 安似科技 主任應(yīng)用工程師 倪勝,畢業(yè)于華中師范大學(xué)微電子專業(yè),碩士學(xué)位。目前于Ansys電磁場(chǎng)技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)板級(jí)SI/PI/EMC解決方案。加入Ansys之前,陸續(xù)在華為、海思及中科院物理與數(shù)學(xué)研究所負(fù)責(zé)EMI\EMC等相關(guān)領(lǐng)域設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)。
一個(gè)光學(xué)工程的博士可能從未深入過半導(dǎo)體工藝,一個(gè)微電子的碩士可能對(duì)相位恢復(fù)算法一無所知。這種學(xué)科割裂導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)所需的“T型”人才(既在某一領(lǐng)域有深度,又能橫向貫通多個(gè)領(lǐng)域)長期稀缺,是制約從實(shí)驗(yàn)室原型到工程化產(chǎn)品轉(zhuǎn)化的根本性人才瓶頸。
金屬-氧化物-金屬電容器的優(yōu)勢(shì) 成本低 電容密度高 出色的射頻(RF)特性 出色的匹配特性 無需額外的掩膜層 對(duì)稱平面結(jié)構(gòu) 金屬-氧化物-金屬電容器的缺點(diǎn) 下極板寄生效應(yīng)適中 密度低 串聯(lián)電感和電阻較高 擊穿電壓低 金屬-氧化物-金屬電容器的應(yīng)用 高速集成電路(IC) 微電子 RF和模擬應(yīng)用
2022年3月4日,三伍微電子與福大微電子學(xué)院簽訂校企合作協(xié)議,雙方在技術(shù)研究、項(xiàng)目合作、人才培養(yǎng)等方面展開合作,共同推進(jìn)企業(yè)、產(chǎn)業(yè)、學(xué)科發(fā)展。同時(shí)在上海設(shè)立研發(fā)中心,通過與美國國家儀器有限公司(NI)合作,在晉江和上海建立完整實(shí)驗(yàn)室,對(duì)加速芯片研發(fā)起到了至關(guān)重要的作用,幫助三伍微Wi-Fi FEM后來居上。
本屆展區(qū)吸引了鑫研半導(dǎo)體、木林勝微電子、場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體、興華半導(dǎo)體、飛虹半導(dǎo)體、科信電子、朝陽電源、盛凌電子、中航光電、通茂電子、匯隆晶片、國芯晶源、中國兵器工業(yè)第二一四研究所、強(qiáng)達(dá)電路、優(yōu)利德科技等500余家電子元器件上下游企業(yè)齊聚,集中展示產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新的最新成果。 特展電子元器件展將緊扣新時(shí)代強(qiáng)軍目標(biāo)與新質(zhì)生產(chǎn)力戰(zhàn)略,聚焦特種電子在裝備現(xiàn)代化與作戰(zhàn)體系重塑中的關(guān)鍵支撐作用。
半導(dǎo)體與微電子制造:納米級(jí)精度不容絲毫偏差 半導(dǎo)體制造工藝極其復(fù)雜,涉及數(shù)百道工序,其中大量使用高純度特種氣體(如硅烷、氨氣、氟化物等),在化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)或刻蝕等關(guān)鍵步驟中,氣體流量的微小波動(dòng)都可能導(dǎo)致晶圓缺陷,直接影響芯片良率,因此該行業(yè)對(duì)質(zhì)量流量計(jì)的長期穩(wěn)定性、零點(diǎn)漂移控制及抗污染能力要求極高。
若您在實(shí)際應(yīng)用中確實(shí)需要同時(shí)監(jiān)控氣體流量與潔凈度(例如在制藥、微電子或高純氣體輸送系統(tǒng)中),Bronkhorst建議采用系統(tǒng)級(jí)集成方案: 搭配顆粒計(jì)數(shù)器:在MFC下游安裝在線式顆粒傳感器,實(shí)時(shí)檢測(cè)氣體中微粒數(shù)量與尺寸分布。 使用過濾與監(jiān)測(cè)聯(lián)動(dòng)系統(tǒng):將高效過濾器(HEPA/ULPA)與壓差傳感器結(jié)合,間接判斷過濾效率及潛在污染風(fēng)險(xiǎn)。
202602/attachment/e879fa67c07745b4bb34eeb4b3c8f22a.png"> </figure> </figure><p class="ql-align-center"><strong>作品名稱:2.5D/3D設(shè)計(jì)中的芯片電源網(wǎng)絡(luò)分析方案</strong></p><p class="ql-align-center"><strong>作者: 丁萍 | 深圳市中興微電子技術(shù)有限公司