來源：阿基米德半導體 IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，特點是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節能等。功率模塊是電動汽車逆變器的核心部件，其封裝技術對系統性能和可靠性有著至關重要的影響。 傳統的單面冷卻功率模塊一直是汽車應用中最常見的封裝結構之一。傳統的IGBT功率模塊主要由IGBT芯片，氧化鋁覆銅陶瓷基板，封裝互連材料，鍵合線，電連接端子等組成 圖1傳統單面冷卻IGBT封裝結構

來源 | 各公司官網，網絡 氮化鋁具有一系列優良特性，核心優勢特性為優良的熱導性、可靠的電絕緣性、以及與硅相匹配的熱膨脹系數等。它既是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料，也可用于熱交換器、壓電陶瓷及薄膜、導熱填料等，應用前景廣闊。 根據 Maxmize Market Research 數據，2021 年全球陶瓷基板市場規模達到 65.9 億美元，預計 2029 年全球規模將達到109.6 億美

來源 | Fagen Wasanni 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是許多現代電子設備的關鍵組件，從電動汽車到可再生能源系統。然而，隨著這些設備變得越來越強大和緊湊，管理它們產生的熱量已成為一項重大挑戰。這就是IGBT冷卻的最新進展，特別是針翅片散熱器的使用發揮作用的地方。 IGBT產生熱量是其操作的副產品。如果這種熱量沒有得到有效管理，可能會導致設備故障、效率降低和壽命縮短。傳統的冷卻方法，如強制

現在很多單片機都有ADC功能了，10位或者12位的，使用ADC測量電壓是很方便的，測量電阻阻值的話可以使用歐姆定律進行分壓然后測量分壓后的電壓即可計算出電阻阻值，最簡單的電阻測量電路如下圖： 這時候測量點的電壓計算公式為：Vo=R2 / (R1 + R2) * Uref。 這是最簡單的測量計算方法。但是因為簡單也會導致不少小問題，比如如果R1取值為2K，Uref為5V，而R2的阻值范圍在5到10歐

來 源：芯智云電子分銷 01 什么是MOSFET? 場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力，而且具備輸入電阻高、噪聲小、功耗低、驅動功率小、開關速度高、無二次擊穿、安全工作區寬等特點，MOSFET在組合邏輯電路、放大器、電源管理、測量儀器等領域應用廣泛。MOSFET按導電溝道可分為 P 溝道和 N 溝道，同時又有耗盡型和增強型之分，目前市場主要應用

電感元件上電流不能突變。(電感兩端電壓撤出后，電流不會立即消失，這樣就會產生反向電動勢) 電感是一種儲能元件，用在LC振蕩電路、中低頻的濾波電路，DC-DC能量轉換等等，其應用頻率范圍很少超過50MHz。 01 主要參數 ①電感值范圍：1-470uH ②直流電阻：有多種直流電阻可供選擇，電感值越大，對應的直流電阻也越大。一般信號用電感，其直流電阻比高頻信號用電感和電源用電感大一些，最小的直流電阻一

AEC-Q101標準是用于分立半導體器件的，標準全稱：Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete Semiconductors，基于分立半導體應力測試認證的失效機理，名字有點長，所以一般就叫“分立半導體的應力測試標準”。現在的Rev E版本是2021.03.01剛發布的最新版。 AEC-Q101認證包含了分立半導體元

來源 | Materials Today Physics 01 背景介紹 隨著科技的飛速發展，電子器件逐漸朝著微型化、集成化的方向發展，因此給電子器件帶來了高的功率密度，高功率密度導致了器件發熱嚴重，如果不采取有效的手段可能會導致熱失控的發生。因此熱管理材料以及技術逐漸開始成為人們重點關注的方向。 熱管理就是一個能量轉換的過程，因此固體材料之間的界面的熱傳遞引起了人們的極大興趣。納米結構器件的普及

電子管雖然能夠實現檢波和放大，但是存在很多缺點，例如體積大、故障率高、容易損壞（玻璃管子）、發熱大、能耗高等等。 正因為有這些缺點，專家們一直在思考，是不是有性能更好、缺點更少的元器件，可以取代電子管，支撐電子產業的長遠發展。 想著想著，他們將目光放到了礦石檢波器的身上。 █ 礦石檢波器——世界上最早的半導體器件 礦石檢波器比電子管歷史更加悠久。它利用的，是一些天然礦石（金屬硫化物）的電流單向導通

來源： 電子器件封裝及熱管理專刊 作者： 劉佳欣、 牟運、 彭洋、 陳明祥 摘要：為了解決大功率發光二極管(LED)散熱效率低、可靠性差等問題，提出將無壓燒結納米銀膏作為芯片固晶材料，應用于大功率發光二極管封裝．對納米銀膏的熱學行為及燒結后的晶體結構進行了表征，分析了燒結溫度對電阻率和孔隙率的影響．利用納米銀膏封裝大功率發光二極管，分析了不同固晶溫度下發光二極管器件熱阻及其結溫變化，并與傳統錫膏材

2023年4月20日，合肥頎中科技股份有限公司正式在上海證券交易所科創板掛牌上市，股票簡稱：頎中科技，股票代碼：688352。 合肥市委常委袁飛先生、合肥頎中科技股份有限公司董事、總經理楊宗銘先生、中信建投資本管理有限公司黨委書記兼董事長李鐵生先生等貴賓出席公司上市儀式并發表精彩致辭。 上市儀式上，公司董事、總經理楊宗銘表示，“此次科創板上市，是頎中科技發展史上的重要里程碑，也是新征程的開始。公司

電路板是電子元器件的支撐體。主要由焊盤、過孔、安裝孔、導線、元器件、接插件、填充、電氣邊界等組成，電路板使電路迷你化、直觀化，對于固定電路的批量生產和優化用電器布局起重要作用。 電路板(Printed Circuit Board，簡稱PCB)，又稱線路板、PCB板、鋁基板、高頻板、超薄線路板、超薄電路板、印刷(銅刻蝕技術)電路板等，是重要的電子部件，是電子元件的支撐體，是電子元器件線路連接的提供者

來源 | 中國電機工程學報，中國知網 作者 | 王磊1，魏曉光1*，唐新靈1，林仲康1，趙志斌2，李學寶2 單位 | 1. 北京智慧能源研究院；2. 華北電力大學新能源電力系統國家重點實驗室 原位 | DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.230136 摘要：半導體技術的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術的發展和進步，也由此產生了各種各樣的封裝 形式。當前功率器

IGBT全球缺貨成香餑餑，對從業者來說是紅利期到了嗎？ IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種廣泛應用于電動汽車、太陽能光伏、高速鐵路等領域的高壓功率半導體器件，近期出現了嚴重的供不應求的現象，不僅價格上漲，而且難以采購。據報道，IGBT陷入大缺貨，缺貨問題至少在2024年中前難以解決。此前有消息稱，部分廠商IGBT產線代工價上漲10%。這究竟是什么原因導致的呢？ 一、IGBT是什么？ 首先，我們先

IGBT 專欄 IGBT 當前的新能源車的模塊系統由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發展比較成熟的產品，國內外的模塊廠商已經開發了很多，但是有一個模塊需要引起行業內的重視，那就是電機驅動部分，則是電機驅動部分最核心的元件IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片）。 想要從零了解 汽車電控IGBT模塊 看這一篇就夠了

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引言 IGBT是綜合MOS管和雙極型晶體管優勢特征的一種半導體復合器件，作為功率半導體分離器件的代表，廣泛應用于新能源汽車、消費電子、工業控制領域，所涉及領域幾乎涵蓋社會的各個方面，市場需求增長空間巨大。近幾年中國IGBT產業在國家政策推動及市場牽引下得到迅速發展，但技術方面與國際大廠仍有較大差距，國際大廠中以英飛凌為代表，技術已發展到微溝槽性IGBT，并達到量產水平。 從1980年至今，IGBT

來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）編譯自IEEE，謝謝。 在晶體管發明 75 周年之際，我想回答兩個問題：世界需要更好的晶體管嗎？如果是這樣，他們會是什么樣子？ 我會爭辯說，是的，我們將需要新的晶體管，而且我認為我們今天已經有了一些關于它們會是什么樣子的暗示。問題在于我們是否有意愿和經濟能力去制造它們。 我相信晶體管現在是并將繼續是應對全球變暖影響的關鍵。氣候變化可能會給社會、經濟和

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