3D-IC設計的案例
科普時刻 | 3D-IC設計：芯片集成的創新方法
上述局限性，促使設計人員采用更具革命性的方法：3D-IC設計。與傳統的2D-IC設計相比，這種方法具有多種優勢，包括提高性能、降低功耗和縮小外形尺寸。此外，相較于2D-IC，3D-IC設計技術還可實現異構集成，更高效地利用空間并提高電氣性能。
3D-IC使用硅中介（silicon interposer）和TSV，以便在不同IP之間實現更好的連接。硅中介是一種用于2.5D和3D-IC設計的薄硅晶片，可以在單個封裝中連接多個裸片或芯片。它可作為放置芯片的基板，并使用較小間距垂直TSV和微突進行連接。與傳統的2D-IC相比，這可以實現更好的散熱、更低的功耗、更高的密度和更出色的電氣性能。
3D-IC的設計挑戰
3D-IC設計面臨一些多物理場挑戰，包括傳熱、電遷移、應力和應變以及熱膨脹。這些挑戰是由于3D-IC的復雜性和互聯性而產生的，其中多個芯片相互堆疊，并使用TSV和微突進行連接。
熱膨脹也是3D-IC設計中的一項挑戰。隨著IC溫度的變化，IC中使用的不同材料將以不同的速率膨脹，從而導致應力和翹曲，影響其性能和可靠性。傳熱會使3D-IC設計中的溫度分布進一步復雜化。由于晶體管和其他組件的高密度，3D-IC中的傳熱變得非常困難。大多數熱量都滯留在系統中，導致溫度升高。這種現象被稱為自熱。3D-IC由數十億個組件組成，這些組件通過較長的互連線連接。這些長連接產生的焦耳熱，是導致整體溫度升高的另一個主要因素。在設計3D-IC時，必須對這些熱源進行監控和分析，以確?？煽康男阅?。
Ansys Redhawk-SC Electrothermal提供了一種黃金標準技術，用于進行使用硅中介的3D-IC設計的熱行為仿真和檢查。您可以輕松地對3D-IC設計（包括硅中介）的幾何結構和材料屬性進行建模，并對設計中的傳熱進行仿真。
展開 客戶案例 | 臺積電通過集成AI技術加速3D-IC設計，進一步擴大與Ansys的合作
Ansys AI技術可提高3D-IC設計的生產力，而更廣泛的合作則推動了面向AI、HPC和高速數據通信半導體的創新3D-IC熱、機械應力和光子解決方案發展
主要亮點
在設計3D集成電路（IC）組件時，Ansys人工智能（AI）驅動的解決方案表現出更高的生產力，并為關鍵任務提供無縫自動化
Ansys多物理場平臺，可支持臺積電客戶對不斷發展的3D-IC設計的可靠性分析需求
Ansys與臺積電攜手合作，為臺積電用于光學數據通信的緊湊型通用光子引擎（COUPE）開發了綜合全面的多物理場分析工作流程
近期，Ansys與臺積電擴大合作范圍，利用AI推進3D-IC設計，并為更廣泛的先進半導體技術開發新一代多物理場解決方案。兩家公司共同開發了新的工作流程，用于分析3D-IC、光子、電磁（EM）和射頻（RF）設計，該流程可以實現更高的生產力。這些功能對于為高性能計算（HPC）、AI、數據中心連接和無線通信領域打造全球領先的半導體產品至關重要。
利用AI提高生產力
創建正確的3D-IC設計，以優化熱和電氣效應（例如通道剖面），需要大量耗時的設計流程。為了最大限度地減少這種限制，設計人員使用Ansys optiSLang?流程集成和優化軟件，通過自動化來快速確定最佳設計配置。通過將optiSLang和用于設計分析和建模的Ansys RaptorX?芯片優化電磁求解器盡早集成到計流程中，該解決方案減少了電磁仿真次數，并展示了協同優化的通道設計。這不僅節省了時間，還降低了設計成本并加快了產品上市進程。
此外，臺積電、Ansys和Synopsys繼續開展長期合作，確保為客戶提供卓越的技術解決方案。
展開 Ansys | 3D-IC設計：芯片集成的創新方法
正是這些瓶頸，促使設計人員轉向更具革命性的3D-IC設計。與傳統的2D-IC相比，3D-IC具有多重優勢：性能更高、功耗更低、外形更小，同時支持異構集成，空間利用率和電氣性能都得到提升。
3D-IC的實現依賴于硅中介和TSV。硅中介是一層薄硅片，作為多個裸片（芯片）的公共基板，通過微凸塊和垂直TSV實現芯片間的高密度互連。相比2D-IC，這種結構帶來了更好的散熱、更低的功耗、更高的集成密度和更優的電氣特性。
3D-IC設計面臨的多物理場挑戰
盡管3D-IC優勢突出，但其復雜的堆疊結構和密集的互連也引入了一系列多物理場挑戰——即多種物理現象相互交織、相互影響的問題，主要包括傳熱、電遷移、應力應變和熱膨脹。
熱膨脹與應力翹曲
3D-IC中使用了多種材料（硅、金屬、介質等），它們的熱膨脹系數不同。當溫度變化時，各層材料膨脹幅度不一，會產生機械應力和翹曲，影響芯片性能和可靠性。
多芯片3D-IC系統中的熱分布
傳熱與自熱效應
由于晶體管和其他元件密度極高，且多層堆疊，熱量難以散出，大量熱能滯留在系統內部，導致溫度升高，這種現象稱為自熱。此外，3D-IC中包含數十億個元件，通過長互連線相連，這些連線在電流通過時產生的焦耳熱進一步推高溫度。因此，設計時必須對熱源進行精確監控和分析，確保芯片可靠運行。
電遷移
電遷移是指電子在導體中運動時，與金屬原子發生動量交換，導致原子逐漸遷移，形成空洞或小丘，最終造成電路斷路或短路。由于3D-IC中電流密度高、結構緊湊，電遷移風險尤為突出，必須通過可靠性驗證來防范。
電源與信號完整性電源完整性（PI）和信號完整性（SI）始終是IC設計的核心問題。
展開 客戶案例 | 智原科技利用Ansys多物理場分析增強3D-IC設計服務
Ansys經過認證的半導體解決方案將幫助智原科技縮短2.5D/3D-IC的設計周期，并確保設計符合信號完整性和性能目標
主要亮點
智原科技將使用Ansys RaptorX?片上電磁（EM）建模解決方案來增強2.5D/3D集成電路（IC）的先進封裝設計開發
Ansys解決方案將幫助智原科技優化其硅中介和多芯片設計（Multi-die Design），從而支持更出色的內存帶寬、信號完整性和終端應用性能
近期，半導體行業領先企業智原科技（Faraday Technology Corporation）正在進一步擴大其應用Ansys技術的范圍，以增強其開發多芯片2.5D/3D-IC先進設計的能力，這對于人工智能（AI）、IoT和5G應用至關重要。在Ansys的支持下，智原科技將能夠幫助其客戶探索更可靠的設計選項，以實現更具創新性的產品。
作為一家領先的專用集成電路（ASIC）設計服務和IP提供商，智原科技致力于為客戶的芯片設計項目提供支持。近期，智原科技推出了2.5D/3D-IC先進封裝服務，以滿足行業對多芯片設計的爆發式需求，旨在實現性能更佳、功耗更低的產品。為滿足上述需求，工程師需要使用合適的多物理場分析工具，以在制造之前驗證芯片設計是否具備可靠的信號和結構完整性以及可靠的配電。另一方面，開發更易受EM問題影響的更高密度芯片的趨勢，又加劇了這一挑戰。
通過在設計流程中引入RaptorX，智原科技將能夠提高其開發流程的精度和效率。此外，還可實現先進3D-IC產品的預測準確性EM建模和分析，確保數據傳輸符合嚴格的現代標準。這將提高設計的保真度，提高性能和可靠性，并加速產品上市進程。
智原科技研發副總裁C.H. Chien表示：“我們廣泛的芯片IP能夠為我們的客戶開展設計奠定堅實的基礎，使他們能夠專注于創新，并在市場中脫穎而出。
展開 
Ansys榮獲兩項臺積電開放創新平臺年度最佳合作伙伴獎
Ansys榮獲 “聯合研發3nm設計基礎架構” 和 “聯合研發3D-IC設計生產力解決方案” 兩大獎項
主要亮點
憑借向臺積電3nm工藝技術提供晶圓代工廠認證的先進電源完整性與電遷移簽核認證工具，Ansys榮獲“聯合研發3nm設計基礎架構”獎項
憑借向臺積電3D-IC高級封裝技術提供晶圓代工廠認證的先進半導體設計，Ansys榮獲“聯合研發3D-IC設計生產力解決方案”獎項
臺積電授予Ansys兩項開放集成平臺（OIP）年度最佳合作伙伴獎。Ansys多物理場仿真解決方案助力推進臺積電世界領先的3nm工藝技術與高度精密的三維集成電路（3D-IC）先進封裝技術，支持雙方客戶加快智能手機、高性能計算、汽車和物聯網系統的設計。
臺積電制造商正在檢查12英寸晶圓掩模版
Ansys憑借Ansys? RedHawk-SC?與Ansys? Totem?產品獲得 “聯合研發3nm設計基礎架構” 獎項。這些晶圓代工廠認證的的先進電源完整性和電遷移簽核工具專為臺積電3nm工藝技術優化，幫助客戶滿足前沿應用的功耗、熱和可靠性等關鍵需求。
另外，Ansys? RedHawk?、Ansys? RedHawk-SC Electrothermal?與Ansys? RaptorH?也幫助Ansys斬獲了“聯合研發3D-IC設計生產力解決方案”獎項。上述高級半導體分析工具已經通過臺積電高速、業界領先的最新一代CoWoS?和InFO 3D-IC封裝技術的認證，助力客戶利用仿真技術來緩解功耗與熱可靠性問題，從而實現理想的電氣性能。
臺積電設計基礎架構管理事業部高級總監Suk Lee表示：“我們恭賀Ansys成為2020年臺積電OIP年度最佳合作伙伴獎得主。
展開 當芯片設計遭遇3D瓶頸...
三維集成電路（3D-IC）徹底變革了半導體行業的發展。3D-IC通過堆疊和互聯裸片制造，因此它們可以作為單個設備運行，通過提升性能和帶寬實現更多功能，同時還能降低功耗、封裝尺寸和成本。
然而，3D-IC給工程師帶來嚴峻的設計挑戰。因為顯著大于單芯片片上系統（SoC），3D-IC擁有更多組件、更多集成點和更長的互聯，這將造成高頻信號故障、可靠性和其他性能問題（比如熱積聚）等新風險。
隨著芯片和系統之間的界限不斷模糊，工程師必須開展并行的多變量分析，才能評估每種可能的故障模式——不僅在組件層面，而且在整個3D-IC總成上開展分析。對習慣以順序方式應用一系列單物理工程仿真工具的許多研發團隊來說，這形成了技術障礙。
3D-IC使用串行分析方法裝配在復雜的封裝內，該方法沒有充分考慮系統級交互以及可能發生故障的數千個凸塊連接點。相反，并行、多變量仿真與分析從設計的最初原型制作階段就同時考慮了所有物理因素。
大多數半導體研發團隊不僅缺乏開展這種復雜仿真與分析的技術工具，而且在進行系統級分析時，還面臨文化上的障礙。采用不同工具的多元化團隊根本無法從早期階段就在復雜的3D-IC設計上進行無縫交接和有效協作。相反，他們往往要在后期階段爭先解決系統級問題。此時很可能導致發布延遲，返工成本高，而且他們對設計的積極影響也變得微乎其微。
真正的多物理場、多變量方法的價值
隨著市場對3D-IC的需求日益增加，半導體研發團隊需要統一仿真平臺在整個總成上同時開展多物理場分析，包括電源完整性、可靠性、電磁（EM）、熱、計算流體動力學（CFD）和力學研究。
展開 當芯片設計遭遇3D瓶頸...
三維集成電路（3D-IC）徹底變革了半導體行業的發展。3D-IC通過堆疊和互聯裸片制造，因此它們可以作為單個設備運行，通過提升性能和帶寬實現更多功能，同時還能降低功耗、封裝尺寸和成本。
然而，3D-IC給工程師帶來嚴峻的設計挑戰。因為顯著大于單芯片片上系統（SoC），3D-IC擁有更多組件、更多集成點和更長的互聯，這將造成高頻信號故障、可靠性和其他性能問題（比如熱積聚）等新風險。
隨著芯片和系統之間的界限不斷模糊，工程師必須開展并行的多變量分析，才能評估每種可能的故障模式——不僅在組件層面，而且在整個3D-IC總成上開展分析。對習慣以順序方式應用一系列單物理工程仿真工具的許多研發團隊來說，這形成了技術障礙。
3D-IC使用串行分析方法裝配在復雜的封裝內，該方法沒有充分考慮系統級交互以及可能發生故障的數千個凸塊連接點。相反，并行、多變量仿真與分析從設計的最初原型制作階段就同時考慮了所有物理因素。
大多數半導體研發團隊不僅缺乏開展這種復雜仿真與分析的技術工具，而且在進行系統級分析時，還面臨文化上的障礙。采用不同工具的多元化團隊根本無法從早期階段就在復雜的3D-IC設計上進行無縫交接和有效協作。相反，他們往往要在后期階段爭先解決系統級問題。此時很可能導致發布延遲，返工成本高，而且他們對設計的積極影響也變得微乎其微。
真正的多物理場、多變量方法的價值
隨著市場對3D-IC的需求日益增加，半導體研發團隊需要統一仿真平臺在整個總成上同時開展多物理場分析，包括電源完整性、可靠性、電磁（EM）、熱、計算流體動力學（CFD）和力學研究。
展開 當芯片設計遭遇3D瓶頸...
本文原刊登于semi.org：《IC Design Crashes Into the 3D Wall: Multiphysics Platforms Ride to the Rescue》
作者：John Lee
三維集成電路（3D-IC）徹底變革了半導體行業的發展。3D-IC通過堆疊和互聯裸片制造，因此它們可以作為單個設備運行，通過提升性能和帶寬實現更多功能，同時還能降低功耗、封裝尺寸和成本。
然而，3D-IC給工程師帶來嚴峻的設計挑戰。因為顯著大于單芯片片上系統（SoC），3D-IC擁有更多組件、更多集成點和更長的互聯，這將造成高頻信號故障、可靠性和其他性能問題（比如熱積聚）等新風險。
隨著芯片和系統之間的界限不斷模糊，工程師必須開展并行的多變量分析，才能評估每種可能的故障模式——不僅在組件層面，而且在整個3D-IC總成上開展分析。對習慣以順序方式應用一系列單物理工程仿真工具的許多研發團隊來說，這形成了技術障礙。
3D-IC使用串行分析方法裝配在復雜的封裝內，該方法沒有充分考慮系統級交互以及可能發生故障的數千個凸塊連接點。相反，并行、多變量仿真與分析從設計的最初原型制作階段就同時考慮了所有物理因素。
大多數半導體研發團隊不僅缺乏開展這種復雜仿真與分析的技術工具，而且在進行系統級分析時，還面臨文化上的障礙。采用不同工具的多元化團隊根本無法從早期階段就在復雜的3D-IC設計上進行無縫交接和有效協作。相反，他們往往要在后期階段爭先解決系統級問題。此時很可能導致發布延遲，返工成本高，而且他們對設計的積極影響也變得微乎其微。
展開 當芯片設計遭遇3D瓶頸...
本文原刊登于semi.org：《IC Design Crashes Into the 3D Wall: Multiphysics Platforms Ride to the Rescue》
作者：John Lee
三維集成電路（3D-IC）徹底變革了半導體行業的發展。3D-IC通過堆疊和互聯裸片制造，因此它們可以作為單個設備運行，通過提升性能和帶寬實現更多功能，同時還能降低功耗、封裝尺寸和成本。
然而，3D-IC給工程師帶來嚴峻的設計挑戰。因為顯著大于單芯片片上系統（SoC），3D-IC擁有更多組件、更多集成點和更長的互聯，這將造成高頻信號故障、可靠性和其他性能問題（比如熱積聚）等新風險。
隨著芯片和系統之間的界限不斷模糊，工程師必須開展并行的多變量分析，才能評估每種可能的故障模式——不僅在組件層面，而且在整個3D-IC總成上開展分析。對習慣以順序方式應用一系列單物理工程仿真工具的許多研發團隊來說，這形成了技術障礙。
3D-IC使用串行分析方法裝配在復雜的封裝內，該方法沒有充分考慮系統級交互以及可能發生故障的數千個凸塊連接點。相反，并行、多變量仿真與分析從設計的最初原型制作階段就同時考慮了所有物理因素。
大多數半導體研發團隊不僅缺乏開展這種復雜仿真與分析的技術工具，而且在進行系統級分析時，還面臨文化上的障礙。采用不同工具的多元化團隊根本無法從早期階段就在復雜的3D-IC設計上進行無縫交接和有效協作。相反，他們往往要在后期階段爭先解決系統級問題。此時很可能導致發布延遲，返工成本高，而且他們對設計的積極影響也變得微乎其微。
展開 Ansys攜手臺積電推出面向3D-IC設計的熱分析解決方案
臺積電設計架構管理事業部副總裁Suk Lee表示：“我們與OIP生態系統合作伙伴密切合作，運用臺積電先進工藝和3DFabric技術在功耗、性能和面積方面實現的大幅改進，為新一代設計提供解決方案。此次與Ansys的合作為全芯片與封裝分析提供了熱解決方案流程，這對我們的客戶來說意義重大。”
Ansys Icepak是一款使用計算流體動力學（CFD）來仿真電子裝配的氣流、熱流、溫度和冷卻的仿真軟件產品。Ansys RedHawk-SC Electrothermal是一款用于求解2.5D/3D多芯片IC系統的多物理場電源完整性、信號完整性和熱方程的仿真軟件產品。Ansys RedHawk-SC是一款用于半導體設計的電源完整性和可靠性分析工具，經臺積電認證，可對所有FinFET工藝節點（包括最新的4nm和3nm）進行簽核。
Ansys副總裁兼電子與半導體事業部總經理John Lee指出：“Ansys認為，3D-IC技術的普及將為半導體行業以及我們的客戶帶來巨大利益。我們將一如既往地與臺積電攜手合作，提供與臺積電先進3DFabric技術緊密結合并由其驗證的多物理場仿真平臺?！?/span>
展開 5/26 Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享
簡介：
2.5D/3D IC相比較傳統IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢，由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
時間：
2020/05/26 16:00~17:00
報名方式：
點擊鏈接報名：http://event.31huiyi.com/1854380366/index?c=jishulink
展開 
Ansys攜手臺積電推出面向3D-IC設計的熱分析解決方案
臺積電設計架構管理事業部副總裁Suk Lee表示：“我們與OIP生態系統合作伙伴密切合作，運用臺積電先進工藝和3DFabric技術在功耗、性能和面積方面實現的大幅改進，為新一代設計提供解決方案。此次與Ansys的合作為全芯片與封裝分析提供了熱解決方案流程，這對我們的客戶來說意義重大?！?Ansys Icepak是一款使用計算流體動力學（CFD）來仿真電子裝配的氣流、熱流、溫度和冷卻的仿真軟件產品。Ansys RedHawk-SC Electrothermal是一款用于求解2.5D/3D多芯片IC系統的多物理場電源完整性、信號完整性和熱方程的仿真軟件產品。Ansys RedHawk-SC是一款用于半導體設計的電源完整性和可靠性分析工具，經臺積電認證，可對所有FinFET工藝節點（包括最新的4nm和3nm）進行簽核。
Ansys副總裁兼電子與半導體事業部總經理John Lee指出：“Ansys認為，3D-IC技術的普及將為半導體行業以及我們的客戶帶來巨大利益。我們將一如既往地與臺積電攜手合作，提供與臺積電先進3DFabric技術緊密結合并由其驗證的多物理場仿真平臺?！?/span>
展開 【ANSYS線上直播回看】2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享
『點擊觀看直播回放』
2.5D/3D IC通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢。由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
此次網絡直播吸引了眾多觀眾在線觀看，在會后我們也陸續收到在線觀眾以及其他用戶前來詢問，在此附上本場網絡直播錄屏內容，供大家回看學習。
越來越多的企業在整個產品生命周期中融入前沿的ANSYS仿真技術，加速企業創新與實現數字化轉型。近期發布的ANSYS 2020 R1帶來全新升級的功能，同時上線新一季為大家精心打造的“30天密集學習計劃”，進一步了解ANSYS前沿仿真技術和行業應用。
▼▼▼2020 ANSYS網絡研討會有獎反饋 - 參與者均可獲得千元培訓券及技術鄰金幣獎勵！
展開 【Ansys線上直播回看】Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享
『點擊觀看直播回放』
2.5D/3D IC相比較傳統IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術的組合，實現很高的功能密度，具有明顯的系統優勢，由于2.5D/3D IC設計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應，5月26日下午4點，【Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享】網絡研討會即將開播，本次網絡研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設計的全新解決方案。
此次網絡直播吸引了眾多觀眾在線觀看，在會后我們也陸續收到在線觀眾以及其他用戶前來詢問，在此附上本場網絡直播錄播內容，供大家回看學習。
▼▼▼2020 Ansys網絡研討會有獎反饋 - 可免費獲取本場錄播和講解資料，參與者均可獲得千元培訓券及技術鄰金幣獎勵！
關于Simulation World
Simulation World是一場面向全球觀眾且為免費的在線虛擬盛會，將于2020年6月10日-11日舉行，屆時，來自Ansys，客戶和合作伙伴多名演講者將在此發表主題演講。內容涵蓋自動駕駛、電氣化、工業物聯網以及后疫情時代的數字化轉型等前沿趨勢探討，Ansys合作伙伴也將在其冠名的虛擬展廳中展示相關解決方案。立即掃碼報名！
『或點擊此處進入報名通道』
展開 Ansys進入EDA廠商第一梯隊，這對3D-IC意味著什么？
這需要將傳統的單片設計分解成一組“小芯片（chiplet）”，以提供良率、尺度、靈活性、重復使用和異構工藝技術方面的優勢。但是為了獲得這些優勢，3D-IC設計人員必須解決伴隨多芯片共同設計及互聯高級封裝而來的復雜性顯著增加問題。與傳統單芯片設計相比，必須分析和控制更多的物理效應，這就需要廣泛的物理仿真分析工具，以應對多物理場帶來的爆發性復雜性。
Ansys運用其多年積累的豐富多物理場仿真經驗，結合最新的Redhawk-SC和Totem功能，以支持3D-IC電源完整性方面的進步，以行業領導者的姿態迎接這些挑戰。這包括專門用于解決3D-IC設計的熱完整性和高速完整性挑戰的全新功能，如RedHawk-SC Electrothermal。
在過去幾年里，Ansys因其在EDA設計流程中發揮的關鍵作用，獲得臺積電的官方認證。2020年，Ansys憑借其先進的半導體設計解決方案，成功通過臺積電高速CoWoS（晶圓基底芯片）和InFO（集成扇出型）2. 5D與3D封裝技術的早期認證。還與臺積電的持續成功合作，實現了面向3D-IC設計的層級熱分析解決方案。在最近的一次合作中，Ansys Redhawk-SC和Totem通過了臺積電最新N3E和N4P工藝技術的簽核認證。還有先進工藝、多裸片先進封裝和高速設計等領域的合作，也已獲得三星和GlobalFoundries的認證。Ansys甚至超越了代工廠簽核和認證范疇，定義了集成這些工具的參考流程，如臺積電N6射頻（RF）設計參考流程。
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