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關(guān)注創(chuàng)建者:王靖雯 創(chuàng)建時(shí)間:2023-03-07


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對(duì)稱(chēng)與反對(duì)稱(chēng)ansys的最新內(nèi)容
圖4 (a)結(jié)構(gòu)示意圖;(b)群折射率
圖5 FDE求解器參數(shù)設(shè)置
除此之外,我們還知道MRR的耦合長(zhǎng)度可以由對(duì)稱(chēng)和反對(duì)稱(chēng)耦合模式的有效折射率之差確定,可由下式表示:
因此,我們將FDE求解器放置在耦合區(qū)域處,如圖6(a)所示。
上面介紹了電光調(diào)制中四種常見(jiàn)的物理效應(yīng),這四種物理效應(yīng)對(duì)對(duì)硅材料光學(xué)性質(zhì)的影響可以總結(jié)如下:
①由于硅晶格的中心反演對(duì)稱(chēng)性,泡克耳斯效應(yīng)是零。
圖4 LP01-x/y、LP11a-x/y和LP11b-x/y光場(chǎng)傳輸圖
由于LP11b模場(chǎng)的垂直反對(duì)稱(chēng)性,使得LP11b模之間的耦合變得不容易,故引入了一個(gè)基于垂直不對(duì)稱(chēng)性的雙電平錐度模式旋轉(zhuǎn)器,如圖5(a)所示。利用這種雙層軸扭轉(zhuǎn)波導(dǎo),可以有效地旋轉(zhuǎn)LP11模,這與扭轉(zhuǎn)波導(dǎo)類(lèi)似。圖5(b)和(c)給出了入射LP11b模和LP01模的光場(chǎng)圖。
圖5 模式旋轉(zhuǎn)器。
Silicon-on-insulator上任意分束比的超寬帶片上功率分束器
10.2 基于一維光子晶體納米孔陣列的多波段全硅TM-pass起偏器
10.3 基于多模干涉的薄膜鈮酸鋰偏振旋轉(zhuǎn)分束器
11.案例實(shí)操
11.1 基于亞微米諧振器的超大自由光譜范圍的分插光學(xué)濾波器
11.2 利用逆向設(shè)計(jì)算法優(yōu)化基于絕熱耦合器的超緊湊硅基模分(解)復(fù)用器
11.3 用于超寬帶高消光比偏振分束器的硅基多模反對(duì)稱(chēng)切趾布拉格光柵
在四層對(duì)稱(chēng)(0/90/90/0)層合板的分析中,單元計(jì)算的層間剪應(yīng)力(τ_xz)與彈性力學(xué)解析解的誤差小于 4%,而基于一階剪切變形理論的殼單元誤差超過(guò) 20%。
復(fù)雜鋪層結(jié)構(gòu)模擬
對(duì)于反對(duì)稱(chēng)鋪層(如 0/90)或夾芯結(jié)構(gòu),單元能準(zhǔn)確描述彎 - 拉耦合效應(yīng)和界面應(yīng)力連續(xù)性。
Ansys Lumerical | 米氏散射 FDTD10個(gè)月前
對(duì)稱(chēng)
此模擬在 X 和 Z 維度上都具有對(duì)稱(chēng)平面。為了將仿真時(shí)間和內(nèi)存減少 4 倍,將 X min 邊界條件設(shè)置為對(duì)稱(chēng),將 Z min 邊界條件設(shè)置為反對(duì)稱(chēng)。請(qǐng)注意,只有當(dāng)粒子和源都具有必要的對(duì)稱(chēng)性時(shí),才能使用對(duì)稱(chēng)性。
使用參數(shù)更新模型
對(duì)仿真文件進(jìn)行參數(shù)化,以便更輕松地設(shè)置仿真。該模板目前使用球形粒子,但它可以與任意形狀的粒子或多個(gè)粒子一起使用。
整體對(duì)稱(chēng)
局部對(duì)稱(chēng)
不對(duì)稱(chēng)
反對(duì)稱(chēng)
8
結(jié)構(gòu)是否有參考模型
是
不是
9
結(jié)構(gòu)是否有劃分好的網(wǎng)格可以借用
https://img.jishulink.com/202604/imgs/2dfced43a98a413a814ea57ba84be8e3"></p><p class="ql-align-center">圖4 LP<sub>01-x/y</sub>、LP<sub>11a-x/y</sub>和LP<sub>11b-x/y</sub>光場(chǎng)傳輸圖</p><p>由于LP<sub>11b</sub>模場(chǎng)的垂直反對(duì)稱(chēng)性
當(dāng)使用反對(duì)稱(chēng)或循環(huán)對(duì)稱(chēng)并且電流垂直于反對(duì)稱(chēng)或周期對(duì)稱(chēng)平面時(shí),通常是這種情況。當(dāng)由于對(duì)稱(chēng)性,線(xiàn)圈的橫截面積減少時(shí),電流應(yīng)減少相同的量。
3.2 電壓
與此相反,當(dāng)施加電壓時(shí),電壓降沿著線(xiàn)圈的長(zhǎng)度發(fā)生。因此,當(dāng)對(duì)線(xiàn)圈總長(zhǎng)度的1/n進(jìn)行建模時(shí),也應(yīng)施加電壓降的1/n。當(dāng)由于對(duì)稱(chēng)性,線(xiàn)圈的橫截面積減小時(shí),電壓降將不會(huì)改變。
同時(shí),傾轉(zhuǎn)旋翼機(jī)對(duì)稱(chēng)型模態(tài)的回轉(zhuǎn)顫振邊界速度比反對(duì)稱(chēng)型模態(tài)的回轉(zhuǎn)顫振邊界速度低,因此,本文選取半展長(zhǎng)的機(jī)翼有限元模型進(jìn)行動(dòng)特性分析,在滿(mǎn)足機(jī)翼動(dòng)力學(xué)的分析要求的基礎(chǔ)上既減少自由度的數(shù)量又提高了分析效率。