圖4 （a）結構示意圖；（b）群折射率 圖5 FDE求解器參數設置 除此之外，我們還知道MRR的耦合長度可以由對稱和反對稱耦合模式的有效折射率之差確定，可由下式表示： 因此，我們將FDE求解器放置在耦合區域處，如圖6（a）所示。

上面介紹了電光調制中四種常見的物理效應，這四種物理效應對對硅材料光學性質的影響可以總結如下： ①由于硅晶格的中心反演對稱性，泡克耳斯效應是零。

圖4 LP01-x/y、LP11a-x/y和LP11b-x/y光場傳輸圖 由于LP11b模場的垂直反對稱性，使得LP11b模之間的耦合變得不容易，故引入了一個基于垂直不對稱性的雙電平錐度模式旋轉器，如圖5（a）所示。利用這種雙層軸扭轉波導，可以有效地旋轉LP11模，這與扭轉波導類似。圖5（b）和（c）給出了入射LP11b模和LP01模的光場圖。 圖5 模式旋轉器。

Silicon-on-insulator上任意分束比的超寬帶片上功率分束器 10.2 基于一維光子晶體納米孔陣列的多波段全硅TM-pass起偏器 10.3 基于多模干涉的薄膜鈮酸鋰偏振旋轉分束器 11.案例實操 11.1 基于亞微米諧振器的超大自由光譜范圍的分插光學濾波器 11.2 利用逆向設計算法優化基于絕熱耦合器的超緊湊硅基模分（解）復用器 11.3 用于超寬帶高消光比偏振分束器的硅基多模反對稱切趾布拉格光柵

在四層對稱（0/90/90/0）層合板的分析中，單元計算的層間剪應力（τ_xz）與彈性力學解析解的誤差小于 4%，而基于一階剪切變形理論的殼單元誤差超過 20%。 復雜鋪層結構模擬 對于反對稱鋪層（如 0/90）或夾芯結構，單元能準確描述彎 - 拉耦合效應和界面應力連續性。

對稱 此模擬在 X 和 Z 維度上都具有對稱平面。為了將仿真時間和內存減少 4 倍，將 X min 邊界條件設置為對稱，將 Z min 邊界條件設置為反對稱。請注意，只有當粒子和源都具有必要的對稱性時，才能使用對稱性。 使用參數更新模型 對仿真文件進行參數化，以便更輕松地設置仿真。該模板目前使用球形粒子，但它可以與任意形狀的粒子或多個粒子一起使用。

整體對稱 局部對稱 不對稱 反對稱 8 結構是否有參考模型 是 不是 9 結構是否有劃分好的網格可以借用

https://img.jishulink.com/202604/imgs/2dfced43a98a413a814ea57ba84be8e3"></p><p class="ql-align-center">圖4 LP_01-x/y、LP_11a-x/y和LP_11b-x/y光場傳輸圖</p><p>由于LP_11b模場的垂直反對稱性

當使用反對稱或循環對稱并且電流垂直于反對稱或周期對稱平面時，通常是這種情況。當由于對稱性，線圈的橫截面積減少時，電流應減少相同的量。 3.2 電壓 與此相反，當施加電壓時，電壓降沿著線圈的長度發生。因此，當對線圈總長度的1/n進行建模時，也應施加電壓降的1/n。當由于對稱性，線圈的橫截面積減小時，電壓降將不會改變。

同時，傾轉旋翼機對稱型模態的回轉顫振邊界速度比反對稱型模態的回轉顫振邊界速度低，因此，本文選取半展長的機翼有限元模型進行動特性分析，在滿足機翼動力學的分析要求的基礎上既減少自由度的數量又提高了分析效率。