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ansys對稱反對稱視頻

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創(chuàng)建者:王靖雯 創(chuàng)建時間:2023-03-07
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ANSYS Workbench模塊中對于電場的計算現(xiàn)在只能計算電流傳導場。今天為大家貢獻一個自己制作的二維軸對稱結構的電場計算視頻,為大家提供參考。 模型也比較簡單,初入門的朋友們可以用來學習。希望大家可以提出寶貴的批評意見。(其實本人對于經(jīng)典模塊較為熟悉,但是由于本人只會APDL不用GUI,導致了無法錄制視頻。所以只能貼一個WB版本的了。) 1 模型: 模型為來自于靜電除塵中裝置中的帶電部分。結構上為內(nèi)外雙層金屬圓環(huán),內(nèi)層的環(huán)為1000V高電位,外層環(huán)為0V地電位。完整的三維模型圖見2樓”三維結構“ 由于模型軸對稱,載荷軸對稱,因此可以簡化為二維軸對稱問題的求解。一般三維問題嫩郭建華成二維問題,則瑩盡量簡化。三維計算中由于網(wǎng)格不一定嚴格規(guī)整,計算精度也許會降低。 模型是用AutoCAD建立,然后生成面域,輸出為SAT格式的文件。 然后打開workbench,把Electrica模塊拖拽過來,導入之前的sat文件。 在導入workbench中之后進行了簡單的處理。二維軸對稱計算的時候一定要注意,模型對稱軸必須是Y軸,而且模型必須全部在X的正半軸才可以。同時,由于金屬是等電位的,內(nèi)部沒有電流流過,所以可以不建立實體模型,有外輪廓就可以了。所以最后的二維模型其實就只有空氣了。 見2樓”二維模型“ 視頻里我的空氣建立的有些大了,當初隨手畫的。電場計算的時候空氣域一定要建立的足夠大才可以保證電場的精度的,本人一般建立為5-8倍的最大外徑,當然,這個具體的尺寸有興趣的朋友們可以去驗證一下的。 2 材料參數(shù): 添加材料“air”,定義電阻率1e20。 3 網(wǎng)格 圓環(huán)的部分,尤其是內(nèi)層圓環(huán)的部分網(wǎng)格要平滑,因為高電位的尖角形狀會造成電場集中。
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原帖子鏈接見http://forums.caenet.cn/showtopic-538877.aspx
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ANSYS Workbench 中創(chuàng)建靜力結構系統(tǒng)。定義形狀記憶合金的材料屬性(表 1)。 表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對稱性,僅創(chuàng)建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對幾何體進行網(wǎng)格劃分。 圖 1.
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</span></p><p><br></p><p>導入模型,并抑制一半的對稱部分。抑制后半部分模型如圖 1 所示。
ANSYS Workbench 中創(chuàng)建靜力結構系統(tǒng)。定義形狀記憶合金的材料屬性(表 1)。 表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對稱性,僅創(chuàng)建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對幾何體進行網(wǎng)格劃分。 圖 1.
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圖4 (a)結構示意圖;(b)群折射率 圖5 FDE求解器參數(shù)設置 除此之外,我們還知道MRR的耦合長度可以由對稱反對稱耦合模式的有效折射率之差確定,可由下式表示: 因此,我們將FDE求解器放置在耦合區(qū)域處,如圖6(a)所示。
上面介紹了電光調制中四種常見的物理效應,這四種物理效應對對硅材料光學性質的影響可以總結如下: ①由于硅晶格的中心反演對稱性,泡克耳斯效應是零。
圖4 LP01-x/y、LP11a-x/y和LP11b-x/y光場傳輸圖 由于LP11b模場的垂直反對稱性,使得LP11b模之間的耦合變得不容易,故引入了一個基于垂直不對稱性的雙電平錐度模式旋轉器,如圖5(a)所示。利用這種雙層軸扭轉波導,可以有效地旋轉LP11模,這與扭轉波導類似。圖5(b)和(c)給出了入射LP11b模和LP01模的光場圖。 圖5 模式旋轉器。
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Silicon-on-insulator上任意分束比的超寬帶片上功率分束器 10.2 基于一維光子晶體納米孔陣列的多波段全硅TM-pass起偏器 10.3 基于多模干涉的薄膜鈮酸鋰偏振旋轉分束器 11.案例實操 11.1 基于亞微米諧振器的超大自由光譜范圍的分插光學濾波器 11.2 利用逆向設計算法優(yōu)化基于絕熱耦合器的超緊湊硅基模分(解)復用器 11.3 用于超寬帶高消光比偏振分束器的硅基多模反對稱切趾布拉格光柵