半導(dǎo)體制造
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2021-07-30
半導(dǎo)體制造的視頻教程
#SIMULIA增材制造工藝的逼真仿真使公司能夠優(yōu)化增材制造的零件設(shè)計(jì)和工藝參數(shù)
1、提高為增材制造設(shè)計(jì)的零件的尺寸精度 2、最大限度地減少打印時(shí)間和材料用量 3、消除不必要且昂貴的物理測(cè)試打印 4、在設(shè)計(jì)、仿真和制造之間實(shí)現(xiàn)無(wú)縫集成，以縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間
免費(fèi) 1分鐘 46播放
查看
航空航天行業(yè)增材制造的設(shè)計(jì)自由化、輕量化和供應(yīng)鏈革命-西門子端到端增材制造
增材制造在航空航天的應(yīng)用已經(jīng)被很多公司所接受，比如西門子正在研究使用增材制造打印燃?xì)廨啓C(jī)葉片、GE使用增材制造來(lái)打印LEAP的燃油噴嘴、中國(guó)正在測(cè)試在太空進(jìn)行3D打印以備以后空間站使用增材制造進(jìn)行備件制造。相信在不久的將來(lái)，增材制造將用一種全新的方式來(lái)重新定義飛行器制造。
免費(fèi) 57分鐘 1519播放
查看
CATIA允許使用批量生產(chǎn)的復(fù)合材料零件，創(chuàng)建可使用全自動(dòng)化制造流程制造的復(fù)合材料零件
允許使用批量生產(chǎn)的復(fù)合材料零件，創(chuàng)建可使用全自動(dòng)化制造流程制造的復(fù)合材料零件 1、實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料零件的工業(yè)化，以提高復(fù)合材料行業(yè)的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) 2、生成用于下游制造流程（包括編織和成型工具準(zhǔn)備）的一流復(fù)合材料輸出 3、使用先進(jìn)的自動(dòng)化制造流程，提高生產(chǎn)率并提升復(fù)合材料零件的質(zhì)量
免費(fèi) 2分鐘 59播放
查看
半導(dǎo)體制造的實(shí)例教程
半導(dǎo)體制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段，也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。自從1948年晶體管發(fā)明以來(lái)，半導(dǎo)體器件工藝技術(shù)的發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)主要階段：1950年采用合金法工藝，第一次生產(chǎn)出了實(shí)用化的合金結(jié)三極管；1955年擴(kuò)散技術(shù)的采用是半導(dǎo)體器件制造技術(shù)的重大發(fā)展，為制造高頻器件開(kāi)辟了新途徑；1960年平面工藝和外延技術(shù)的出現(xiàn)是半導(dǎo)體制造技術(shù)的重大變革，不但大幅度地提高了器件的頻率、功率特性，改善了器件的穩(wěn)定性和可靠性，而且也使半導(dǎo)體集成電路的工業(yè)化批量生產(chǎn)得以成為現(xiàn)實(shí)。目前平面工藝仍然是半導(dǎo)體器件和集成電路生產(chǎn)的主流工藝。
在半導(dǎo)體制造工藝發(fā)展的前35年，特征尺寸的縮小是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的一個(gè)標(biāo)志，有效等比縮小(Scaling-down)的努力重點(diǎn)集中在通過(guò)提高器件速度以及在成品率可接受的芯片上集成更多的器件和功能來(lái)提高性能。然而，當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)演進(jìn)到45nm節(jié)點(diǎn)或更小尺寸的時(shí)候，器件的等比縮小將引發(fā)巨大的技術(shù)挑戰(zhàn)。其中兩大挑戰(zhàn)是不斷增長(zhǎng)的靜態(tài)功耗和器件特性的不一致性。這些問(wèn)題來(lái)源于CMOS工藝快要到達(dá)原子理論和量子力學(xué)所決定的物理極限。
集成電路制造就是在硅片上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或者物理操作，簡(jiǎn)單講，這些操作可以分為四大基本類：薄膜制作(1ayer)、刻印(pattern)、刻蝕和摻雜。這些在單個(gè)芯片上制作晶體管和加工互連線的技術(shù)綜合起來(lái)就成為半導(dǎo)體制造工藝。
一、光刻工藝
光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后，晶圓表面會(huì)留下帶有微圖形結(jié)構(gòu)的薄膜。被除去的部分可能形狀是薄膜內(nèi)的孔或是殘留的島狀部分。光刻生產(chǎn)的目標(biāo)是根據(jù)電路設(shè)計(jì)的要求，生成尺寸精確的特征圖形，且在晶圓表面的位置要正確，而且與其他部件的關(guān)聯(lián)也正確。通過(guò)光刻過(guò)程，最終在晶圓片上保留特征圖形的部分。
展開(kāi) “CIM泛半導(dǎo)體系統(tǒng)解決方案可以為行業(yè)帶來(lái)什么優(yōu)勢(shì)？如何助力我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)智能制造？” 上海鎧鉑云信息科技有限公司（以下稱為“鎧鉑”）CTO 張智超Jones接受CINNO采訪時(shí)娓娓而談，他有著30年制造業(yè)經(jīng)驗(yàn)，嫻熟于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)自動(dòng)化流程，對(duì)MES生產(chǎn)系統(tǒng)、EAP、EDA工程分析、質(zhì)量管理系統(tǒng)（SPC）等經(jīng)驗(yàn)豐富，曾在YDI、MKS、IBM、SAS等知名企業(yè)擔(dān)任過(guò)顧問(wèn)。
半導(dǎo)體制造數(shù)字化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵
目前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈，中國(guó)在國(guó)家政策與資金等一系列措施的支持下，近年致力于實(shí)現(xiàn)自主可控，減少關(guān)鍵芯片的進(jìn)口，解決卡脖子的境況。中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加大在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)鏈布局、市場(chǎng)開(kāi)拓等方面的投入，然而要想實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的自主可控，僅僅依靠制造能力和技術(shù)水平是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，還需要在半導(dǎo)體制造的全流程中引入數(shù)字化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)流程的智能化控制和管理。
半導(dǎo)體制造急需真正的智能制造
半導(dǎo)體制造的晶圓從4英寸變?yōu)?英寸、8英寸、12英寸，尺寸越來(lái)越大，制造過(guò)程的人員卻越來(lái)越少，從人工產(chǎn)線變?yōu)榘胱詣?dòng)產(chǎn)線到全自動(dòng)產(chǎn)線。目前主流的12英寸晶圓廠基本都是全自動(dòng)，每一片晶圓要在幾百甚至上千臺(tái)設(shè)備間流轉(zhuǎn)往復(fù)，生產(chǎn)工序超過(guò)千道，任何一個(gè)環(huán)節(jié)出差錯(cuò)都會(huì)直接影響良率和效率。
展開(kāi) 此外，為了培養(yǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才，將擴(kuò)大半導(dǎo)體相關(guān)大學(xué)的人員名額，目標(biāo)未來(lái)10年內(nèi)能培育約3萬(wàn)6000名人才。為了防止優(yōu)秀的人才外流，對(duì)于擁有卓越的半導(dǎo)體制造技術(shù)者，政府將給予“名人”的稱號(hào)。
雖然韓國(guó)在存儲(chǔ)領(lǐng)域擁有全球領(lǐng)先地位，但在邏輯芯片方面相對(duì)較弱。根據(jù)韓國(guó)工業(yè)聯(lián)合會(huì)（FKI）5月11日發(fā)布的報(bào)告顯示，韓國(guó)芯片制造商去年銷售額超過(guò)1萬(wàn)億韓元，僅為中國(guó)臺(tái)灣的三分之一，中國(guó)大陸的一半左右。
FKI對(duì)韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸和美國(guó)的143家半導(dǎo)體公司（包括設(shè)備制造商）進(jìn)行調(diào)查，結(jié)果顯示，32家美國(guó)公司去年的營(yíng)收超過(guò)1萬(wàn)億韓元，其次是中國(guó)臺(tái)灣（21家）、中國(guó)大陸（17家）和韓國(guó)（7家）。該調(diào)查還顯示，韓國(guó)企業(yè)2020年的毛利潤(rùn)較上年增長(zhǎng)12.9%，但遠(yuǎn)低于大陸的44.9%和臺(tái)灣的36.8%的增長(zhǎng)率，僅高于美國(guó)的4.5%的增長(zhǎng)率。
研究結(jié)果表明，韓國(guó)芯片制造商的業(yè)務(wù)組合結(jié)構(gòu)疲弱，在占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)最大份額的非內(nèi)存領(lǐng)域落后。同時(shí)，韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有很多材料、零件、設(shè)備是依賴于國(guó)外企業(yè)，尤其是仰賴日本企業(yè)。此外，在代工高性能半導(dǎo)體方面，不論是市占率還是生產(chǎn)能力，韓國(guó)的廠商都落后于臺(tái)積電，韓國(guó)業(yè)者擔(dān)憂韓國(guó)經(jīng)濟(jì)將因此受影響。韓國(guó)政府此次提出的這項(xiàng)半導(dǎo)體戰(zhàn)略就是要解決這些問(wèn)題，同時(shí)將韓國(guó)打造為半導(dǎo)體原料、零組件、裝置等企業(yè)群聚的全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。
數(shù)據(jù)顯示，韓國(guó)2020年半導(dǎo)體出口總額992億美元。韓國(guó)政府期待透過(guò)這些對(duì)策，到了2030年能倍增至2000億美元，如此一來(lái)，約可創(chuàng)造27萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。
報(bào)導(dǎo)還表示， 韓國(guó)政府之所以致力于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的培育，主要是受到美國(guó)與中國(guó)對(duì)立，有關(guān)半導(dǎo)體的競(jìng)爭(zhēng)已從企業(yè)間的競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)變成國(guó)家間的競(jìng)爭(zhēng)，因此認(rèn)為有必要官民合作應(yīng)對(duì)。
展開(kāi) 現(xiàn)今我們生活中的許多劃時(shí)代的產(chǎn)品都離不開(kāi)半導(dǎo)體技術(shù)。芯片(集成電路)制造技術(shù)是當(dāng)今世界最高水平微細(xì)加工技術(shù)，是全球高科技國(guó)力競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略必爭(zhēng)制高點(diǎn)。
電影制作設(shè)備均含有精密的元件和芯片，芯片是平板顯示器、閃存、電腦等數(shù)碼產(chǎn)品必不可少的組成部分。正是因?yàn)橛辛诉@些設(shè)備，我們才能看到如此精彩的大片。除此之外，半導(dǎo)體芯片同樣被用于汽車控件、人工智能、新能源等諸多領(lǐng)域。
如此重要的芯片，制造過(guò)程非常復(fù)雜，包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓生產(chǎn)、封裝測(cè)試等多個(gè)工藝環(huán)節(jié)，每個(gè)環(huán)節(jié)都不能出現(xiàn)任何紕漏！
ASCO優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品 助力“芯”制造
晶圓制造作為半導(dǎo)體制造中極其重要的一環(huán)，是將經(jīng)過(guò)IC設(shè)計(jì)廠精密設(shè)計(jì)的電路，通過(guò)光刻、離子注入、拋光等一系列工藝步驟轉(zhuǎn)移到硅晶圓上來(lái)，從而制造出具備所需功能的IC芯片。
作為流體自動(dòng)化電磁閥領(lǐng)域的的領(lǐng)跑者，ASCO憑借著豐富的產(chǎn)品組合，助力晶圓制作和硅片切割技術(shù)，為半導(dǎo)體制造行業(yè)提供完整的解決方案。
ASCO適用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的專業(yè)而全面的產(chǎn)品線有著先進(jìn)的行業(yè)技術(shù)加持和過(guò)硬的產(chǎn)品品質(zhì)，產(chǎn)品適用以下工藝設(shè)備：擴(kuò)散、鍍膜、光刻、刻蝕、等離子注入、薄膜生長(zhǎng)、拋光、金屬化、清洗等。
展開(kāi) CHIPS法案撥款陷入僵局，
美國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)或進(jìn)一步下滑
美國(guó)半導(dǎo)體制造行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入衰退多年，在過(guò)去十多年里美國(guó)本土的先進(jìn)半導(dǎo)體制造行業(yè)紛紛移向海外，在美國(guó)本土的半導(dǎo)體制造巨頭僅剩Intel。而隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的研發(fā)需要海量資金，這使得先進(jìn)半導(dǎo)體制造行業(yè)越發(fā)向集中化的方向發(fā)展，即僅有幾家公司能繼續(xù)保持研發(fā)，其他無(wú)力投入海量資金的公司則不得不退出先進(jìn)半導(dǎo)體制造的競(jìng)爭(zhēng)賽道，而轉(zhuǎn)向去做其他投入較小的半導(dǎo)體制造賽道。
在全球半導(dǎo)體制造競(jìng)爭(zhēng)的格局中，我們看到亞洲正在主導(dǎo)整個(gè)行業(yè)：在目前尚在積極投入最先進(jìn)半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的公司中，亞洲有兩家（三星，臺(tái)積電），美國(guó)只有一家（Intel），而且Intel的整體技術(shù)處于落后的位置。
過(guò)去五年內(nèi)，隨著國(guó)際形勢(shì)的變化，美國(guó)政府也在試圖挽回其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的頹勢(shì)，其主要思路是通過(guò)財(cái)政補(bǔ)貼的辦法讓半導(dǎo)體行業(yè)重回美國(guó)本土。2021年一月，美國(guó)國(guó)會(huì)通過(guò)了CHIPS法案，原則上在為在美國(guó)本土的半導(dǎo)體行業(yè)提供520億美元的補(bǔ)貼。然而，CHIPS法案通過(guò)不代表補(bǔ)貼的資金能真正到位，具體從哪里撥款來(lái)補(bǔ)貼半導(dǎo)體行業(yè)還需要由今年的國(guó)會(huì)來(lái)決定，換句話說(shuō)國(guó)會(huì)對(duì)于CHIPS法案的撥款方案一日不通過(guò)，美國(guó)給半導(dǎo)體行業(yè)的補(bǔ)貼就不會(huì)真正開(kāi)始。
半導(dǎo)體行業(yè)一度對(duì)CHIPS法案的財(cái)政補(bǔ)貼較為樂(lè)觀，而且520億美元的補(bǔ)貼力度也確實(shí)吸引了不少半導(dǎo)體制造行業(yè)的巨頭在美國(guó)加大投資。美國(guó)本土半導(dǎo)體巨頭Intel首先響應(yīng)，宣布將在俄亥俄州建造大型先進(jìn)半導(dǎo)體加工廠，投入將達(dá)1000億美元，瞄準(zhǔn)的則是預(yù)計(jì)在2025年量產(chǎn)的最先進(jìn)的25A和18A工藝。三星在去年宣布將在德克薩斯州投入170億美元建造新的半導(dǎo)體制造設(shè)施，臺(tái)積電也在這些財(cái)政補(bǔ)貼的吸引下開(kāi)始在亞利桑那州建廠。
展開(kāi) 
半導(dǎo)體制造的相關(guān)專題、標(biāo)簽、搜索
半導(dǎo)體制造的最新內(nèi)容
在半導(dǎo)體制造、生物制藥、新能源研發(fā)等對(duì)工藝精度要求極高的領(lǐng)域，氣體流量的穩(wěn)定與精確控制是決定產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率的核心環(huán)節(jié)，很多工程師在選型時(shí)都會(huì)提出一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題：“氣體質(zhì)量流量控制器（MFC）是否具備自動(dòng)流量調(diào)節(jié)功能？”
此外在涉及高精度計(jì)量或動(dòng)態(tài)響應(yīng)要求嚴(yán)苛的應(yīng)用中（如半導(dǎo)體制造、生物反應(yīng)器供氣等），管道長(zhǎng)度還可能影響系統(tǒng)響應(yīng)時(shí)間，較長(zhǎng)的管道會(huì)增加氣體傳輸延遲，造成控制系統(tǒng)“滯后”，但這屬于系統(tǒng)級(jí)動(dòng)態(tài)特性問(wèn)題，并非流量計(jì)本體測(cè)量誤差。
這些先進(jìn)的衍射光學(xué)元件使用納米壓印和光刻等先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)建而成。當(dāng)今最重要的兩種先進(jìn)DOE是用于光子集成電路（PIC）的超透鏡和光柵耦合器。
超透鏡
超透鏡由分布在基板上的數(shù)百萬(wàn)個(gè)元原子（具有不同形狀和大小的納米級(jí)結(jié)構(gòu)）組成，以形成透鏡。表面上的元原子的大小和位置會(huì)改變光波的重定向方式。超透鏡和一縷頭發(fā)一樣纖薄，而且更緊湊，所以可替代笨重的傳統(tǒng)透鏡。
工業(yè)精制造對(duì)精度的要求高，而鑄鐵檢測(cè)平臺(tái)作為精檢測(cè)的核心基準(zhǔn)設(shè)備，是筑牢工業(yè)精制造的堅(jiān)實(shí)根基，其精度直接決定檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性，進(jìn)而影響產(chǎn)品的質(zhì)量和競(jìng)爭(zhēng)力。鑄鐵檢測(cè)平臺(tái)又稱鑄鐵檢測(cè)平板，主要用于工件的平面度、垂直度、平行度、直線度等精度檢測(cè)，以及檢具、量具的校準(zhǔn)、調(diào)試，廣泛應(yīng)用于航空航天、精機(jī)械、電子設(shè)備、汽車制造等精制造領(lǐng)域。與普通檢測(cè)平臺(tái)相比，鑄鐵檢測(cè)平臺(tái)采用高強(qiáng)度鑄鐵材質(zhì)，經(jīng)過(guò)時(shí)效處理和精加工
核心結(jié)構(gòu)與材料特性數(shù)字式溫度傳感器通常采用硅基半導(dǎo)體工藝制造，內(nèi)部集成敏感元件、A/D轉(zhuǎn)換單元、存儲(chǔ)器及數(shù)字接口。其核心測(cè)溫元件基于半導(dǎo)體材料的物理特性，如PTAT（與絕對(duì)溫度成正比）結(jié)構(gòu)或CMOS半導(dǎo)體PN節(jié)的帶隙電壓特性。
模擬信號(hào)生成：敏感元件將溫度變化轉(zhuǎn)換為微弱的電壓或電流信號(hào)（如10mV/K或1μA/K）。A/D轉(zhuǎn)換：內(nèi)置的模數(shù)轉(zhuǎn)換器將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。
半導(dǎo)體設(shè)備制造：封裝設(shè)備、擴(kuò)散設(shè)備、焊接設(shè)備、清洗設(shè)備、測(cè)試設(shè)備、制冷設(shè)備、氧化設(shè)備、貼片機(jī)、單晶爐、氧化爐、研磨機(jī)、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、拋光機(jī)、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備、涂膠/顯影機(jī)、回流焊、波峰焊、探針臺(tái)、潔凈室設(shè)備等。
在工業(yè)過(guò)程控制、實(shí)驗(yàn)室研發(fā)以及半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域，氣體的精準(zhǔn)計(jì)量是確保產(chǎn)品質(zhì)量與工藝穩(wěn)定性的核心環(huán)節(jié)，作為全球領(lǐng)先的氣體質(zhì)量流量計(jì)供應(yīng)商，布瑯軻鍶特（Bronkhorst） 經(jīng)常收到客戶這樣的疑問(wèn)：“氣體質(zhì)量流量計(jì)的工作壓力范圍究竟是多少？”
突破長(zhǎng)度極限，開(kāi)啟制造新紀(jì)元
在高端復(fù)合材料領(lǐng)域，長(zhǎng)度一直是衡量制造能力的核心標(biāo)尺。傳統(tǒng)CF/PEEK單向帶受限于工藝瓶頸，往往只能提供數(shù)十米至數(shù)百米的斷續(xù)產(chǎn)品，接頭頻繁、性能波動(dòng)、效率低下成為困擾行業(yè)的頑疾。
如今，江蘇君華特種高分子材料股份有限公司自豪地推出連續(xù)長(zhǎng)度1000米CF/PEEK預(yù)浸帶（LU-CF/PEEK）—這不是簡(jiǎn)單的數(shù)字疊加，而是熱塑性預(yù)浸料制造技術(shù)的革命性跨越。
在工業(yè)自動(dòng)化、半導(dǎo)體制造、實(shí)驗(yàn)室分析以及新能源研發(fā)等領(lǐng)域，氣體的精確控制是確保工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的核心環(huán)節(jié)，作為全球領(lǐng)先的氣體質(zhì)量流量計(jì)和控制器供應(yīng)商，布瑯軻鍶特（Bronkhorst） 經(jīng)常收到客戶這樣的疑問(wèn)：“氣體質(zhì)量流量計(jì)是否可以與其他設(shè)備進(jìn)行集成？”答案是肯定的，而且這種集成能力正是智能流量控制系統(tǒng)的基石。
全領(lǐng)域 CAE 技術(shù)服務(wù)，賦能制造研發(fā)
MVSC（Multidisciplinary Virtual Simulation Center）多學(xué)科虛擬仿真中心，是面向復(fù)雜工程系統(tǒng)研發(fā)的自主可控多學(xué)科仿真集成與優(yōu)化設(shè)計(jì)平臺(tái)。它集全領(lǐng)域 CAE 技術(shù)服務(wù)與仿真能力于一體，致力于為制造企業(yè)、科研院所及高校提供從單點(diǎn)問(wèn)題突破到系統(tǒng)級(jí)研發(fā)能力構(gòu)建的一站式解決方案。
MVSC
