工藝技術(shù)
關(guān)注創(chuàng)建者：周禮鑫 創(chuàng)建時(shí)間：2021-03-24
工藝技術(shù)的視頻教程
Ansys RedHawk-SC-Electrothermal 2021 R1新功能介紹
近年來AI/HPC等芯片設(shè)計(jì)的蓬勃發(fā)展，伴隨這些設(shè)計(jì)除了最先進(jìn)工藝技術(shù)的應(yīng)用，2.5D/3D IC設(shè)計(jì)也逐漸成為主流。但采用最先進(jìn)工藝及設(shè)計(jì)技術(shù)的芯片，往往伴隨著諸多挑戰(zhàn)，其中散熱成為該類型芯片設(shè)計(jì)亟需考慮的問題。使用Ansys RedHawk-SC-Electrothermal，設(shè)計(jì)者可以輕松應(yīng)對3D IC的熱及熱應(yīng)力分析。本次會議將帶來3D IC熱可靠性分析的最新功能更新及案例分享。
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工藝技術(shù)的實(shí)例教程
這也要求著當(dāng)前汽車市場需改變發(fā)展戰(zhàn)略，改變市場方向，并利用工藝制造技術(shù)及輕量化材料來打造符合客戶群需求的汽車市場，以此提高汽車市場的整體發(fā)展速度。
汽車車身輕量化的關(guān)鍵工藝制造技術(shù)控制及研究
輕量化關(guān)鍵工藝制造技術(shù)
輕量化工藝制造技術(shù)主要分為熱成形技術(shù)與激光拼焊技術(shù)。
首先，熱成形技術(shù)是利用熱沖壓高強(qiáng)鋼板材加熱于奧氏體在接近溫度上，然后進(jìn)行一段時(shí)間的保溫工作，使其均勻奧氏體化，再將其快速轉(zhuǎn)移至具備冷卻系統(tǒng)的模具當(dāng)中進(jìn)行沖壓，再對其開展保壓與冷卻工作，使該奧氏體能夠轉(zhuǎn)化為板條狀馬氏體，提高該材料的整體強(qiáng)熱成形的主要工藝技術(shù)如下圖所示。
熱成形技術(shù)原理
按照原理來說，高強(qiáng)度鋼在常溫環(huán)境下其形狀塑造范圍十分狹窄，并且成形較差，容易使材質(zhì)出現(xiàn)開裂現(xiàn)象，材質(zhì)回彈機(jī)率大，無法應(yīng)對當(dāng)前汽車碰撞所需的安全系數(shù)。
而熱成形工藝制造技術(shù)則是根據(jù)鋼強(qiáng)度鋼制造技術(shù)所具備的種種缺陷而發(fā)展起來的更完善的一項(xiàng)新型制造技術(shù)，該技術(shù)能夠使高強(qiáng)度鋼經(jīng)過產(chǎn)熱沖壓后，將其材質(zhì)的抗拉強(qiáng)度提升至1700MPa以上，使汽車車身整體重量得到減輕的同時(shí)，提高了車身的強(qiáng)度與鋼度，使車身整體更耐撞擊，也具備更高的安全性。
當(dāng)前，熱成形工藝主要分為兩大類型：
（1）第一是直接成形工藝制造技術(shù)。該工藝制造技術(shù)是指對板材進(jìn)行直接沖壓，較為廣泛應(yīng)用于汽車結(jié)構(gòu)簡單的零件。
（2）第二是間接成形工藝制造技術(shù)，該技術(shù)在板材加熱前對其進(jìn)行預(yù)先成形制造，再將其放于模具當(dāng)中進(jìn)行快速沖壓，較為廣泛應(yīng)用于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的汽車零件。
展開 Ansys為臺積電最高級的3nm工藝技術(shù)提供了多物理場設(shè)計(jì)解決方案，這幫助我們雙方客戶應(yīng)對設(shè)計(jì)難題和技術(shù)挑戰(zhàn)。本次合作將Ansys的前沿解決方案與臺積電的高級工藝完美結(jié)合，幫助我們的客戶推進(jìn)新一代3nm芯片組的技術(shù)創(chuàng)新，該技術(shù)將為眾多應(yīng)用提供支持。”
Ansys副總裁兼總經(jīng)理John Lee指出：“此次新增認(rèn)證進(jìn)一步加強(qiáng)了Ansys與臺積電的緊密合作，為我們雙方客戶探索解決方案。Ansys廣泛的多物理場仿真與分析技術(shù)（從芯片級到系統(tǒng)級）讓我們有充足的能力在AI/ML、5G、HPC、網(wǎng)絡(luò)和圖像處理應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)規(guī)模更大、功耗更低的設(shè)計(jì)。”
展開 ANSYS(納斯達(dá)克市場代碼：anss)獲得了臺積電先進(jìn)的工藝技術(shù)下一代芯片上系統(tǒng)(Soc)電源噪聲信號轉(zhuǎn)換平臺的認(rèn)證。這有助于共同客戶驗(yàn)證世界上最大的用于人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、5G移動和高性能計(jì)算(Hpc)應(yīng)用的芯片的功率需求和可靠性。
使先進(jìn)的工藝技術(shù)能夠在熱熱點(diǎn)和高可變開關(guān)活動的存在下可靠地執(zhí)行，消除了對配電網(wǎng)絡(luò)的過度設(shè)計(jì)。但隨著技術(shù)限制的顯著增加，電網(wǎng)大幅增長，合并了數(shù)百億個需要大規(guī)模并行化和非常高容量的電力節(jié)點(diǎn)。
ANSYS與臺積電合作認(rèn)證ANSYS RedHawk-SC?對于臺積電行業(yè)領(lǐng)先的流程節(jié)點(diǎn)--包括N16、N12、N7、N6和N5--將與臺積電就其未來的工藝技術(shù)密切合作。該認(rèn)證包括提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移(EM)、熱可靠性分析和統(tǒng)計(jì)EM預(yù)算分析。RedHawk-SC提供了巨大的速度和容量，通過在ansys海景?-一個高度并行的數(shù)據(jù)庫，由大數(shù)據(jù)機(jī)器學(xué)習(xí)結(jié)構(gòu)衍生，并為電子設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。
臺積電(TSMC)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施管理司高級主管蘇克·李(Suk Lee)表示：“我們與Ansys的合作，已經(jīng)解決了5G、AI和HPC等應(yīng)用程序在硅設(shè)計(jì)方面的關(guān)鍵挑戰(zhàn)。”我們期待著與Ansys繼續(xù)合作，以幫助我們的共同客戶以高速和高容量的多物理σ設(shè)計(jì)解決方案來釋放他們對TSMC的工藝技術(shù)的創(chuàng)新，包括我們的5nm技術(shù)，這是目前世界上最先進(jìn)的鑄造解決方案。
下載地址：Ansys Redhawk-SC 中文介紹
展開 ANSYS仿真工具成功通過英特爾定制代工廠22nm FINFET低功耗工藝技術(shù)的認(rèn)證
http://www.ansys.com/zh-cn/about-ansys/news-center/09-19-17-intel-custom-foundry-certifies-ansys-simulation-tools-22-nanometer
認(rèn)證助力設(shè)計(jì)人員精心打造智能可靠的解決方案，滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)和入門級移動應(yīng)用的需求
2017年9月19日，匹茲堡訊——ANSYS (NASDAQ:ANSS)電遷移、電源和靜電放電解決方案通過英特爾22nm FinFET低功耗（22FFL）工藝技術(shù)認(rèn)證，可幫助英特爾定制代工廠的客戶推出功能強(qiáng)大、獨(dú)具創(chuàng)新的產(chǎn)品。ANSYS和英特爾定制代工廠緊密合作實(shí)現(xiàn)的技術(shù)支持工具，有助于雙方共同的客戶最小化設(shè)計(jì)成本和風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)加速向市場推出可靠的尖端產(chǎn)品。
物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和入門級移動產(chǎn)品的三大關(guān)鍵需求包括：更高性能、更低功耗以及更出色的可靠性。為了滿足上述要求，電子產(chǎn)品的多個子系統(tǒng)被整合到一個或更多的集成電路中，這也被稱為片上系統(tǒng)（SoC）。ANSYS仿真工具不僅可提供所需的精確度，減少周轉(zhuǎn)時(shí)間，還能滿足日益復(fù)雜的現(xiàn)代化產(chǎn)品設(shè)計(jì)所帶來的更高計(jì)算要求。ANSYS?RedHawk?、ANSYS? Totem?和ANSYS? PathFinder?中的高級技術(shù)支持（包括符合電遷移規(guī)則）能提供可靠性和可制造性，最小化風(fēng)險(xiǎn)并降低成本。
英特爾新的22FFL工藝技術(shù)獨(dú)具匠心地將高性能、超低功耗晶體管與簡化互聯(lián)、簡單設(shè)計(jì)規(guī)則整合在一起，從而提供面向低功耗移動產(chǎn)品的多功能型FinFET設(shè)計(jì)平臺。與前一代英特爾22GP（通用）技術(shù)相比，新技術(shù)的漏電量最多可以減少100倍。
展開 Ansys進(jìn)一步深化與臺積電的合作，為先進(jìn)應(yīng)用提供先進(jìn)電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點(diǎn)
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得臺積電行業(yè)領(lǐng)先的N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證
經(jīng)臺積電認(rèn)證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加速設(shè)計(jì)迭代
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得臺積電的先進(jìn)N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證。這有助于雙方客戶滿足高級人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)、5G、高性能計(jì)算（HPC）、網(wǎng)絡(luò)和自動駕駛汽車芯片對關(guān)鍵電源、熱和可靠性的標(biāo)準(zhǔn)。
臺積電N3和N4工藝技術(shù)對Ansys RedHawk-SC的認(rèn)證包括電源網(wǎng)絡(luò)提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統(tǒng)計(jì)的EM預(yù)算。
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工藝技術(shù)的最新內(nèi)容
ql-align-center"><img src="https://img.jishulink.com/202605/imgs/02e18d940a654728b8a6ef54f5fb45e8" width="200"></p><p class="ql-align-center"><strong>趙雨赫 | 國家信息光電子創(chuàng)新中心 高級光芯片研發(fā)工程師</strong></p><p>國家信息光電子創(chuàng)新中心硅光工藝技術(shù)負(fù)責(zé)人
化學(xué)鎳高光亮的配方是在傳統(tǒng)化學(xué)鍍鎳工藝的基礎(chǔ)上，通過優(yōu)化光亮劑組合和工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)的，如下成分和參數(shù)供大家參考:
一、基礎(chǔ)鍍液配方
主鹽與還原劑的摩爾比：鎳離子與次磷酸鈉需保持1:3-1:4，避免鍍液分解或鍍層粗糙。無光亮劑的鏡面反射率一般在30%-50%。
納米噴鍍技術(shù)是一種通過噴涂方式將還原劑和鏡化反應(yīng)劑等藥劑噴灑到工件表面，在催化劑作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成均勻的納米級金屬鍍層。這項(xiàng)技術(shù)雖然被稱為"噴鍍"，但實(shí)際上是通過化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)金屬沉積，而非真正的物理噴涂過程。
一、技術(shù)原理與機(jī)制
1、基本工作原理
利用氧化還原反應(yīng)在物體表面形成納米級金屬鍍層。整個過程主要包括兩個關(guān)鍵步驟：活化處理和化學(xué)還原。
1.1
通過將新思科技的認(rèn)證 EDA 解決方案和 IP 產(chǎn)品組合，與我們?nèi)碌闹瞥?em>工藝及封裝技術(shù)創(chuàng)新相結(jié)合，我們致力于幫助客戶不斷突破性能、集成度和能效的極限，打造面向下一代 AI 系統(tǒng)的領(lǐng)先芯片解決方案。
5.在圖層構(gòu)建器窗口中單擊“導(dǎo)入工藝文件”按鈕，找到OptoCompiler reference optical SOI工藝技術(shù)文件“referenceOpticalSOI.lbr”，即可導(dǎo)入工藝文件。
6.如有必要，請?jiān)贚ayer Builder窗口的Layers框中調(diào)整工藝技術(shù)屬性。
下面著重梳理了鋁合金從基礎(chǔ)的前處理到高端功能性處理的表面處理工藝分類、原理與特性，供大家參考分享:
主要表面工藝技術(shù)的國內(nèi)外化學(xué)品廠家匯總列舉如下：
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下表是基于通用工業(yè)環(huán)境（中性鹽霧測試 NSS）的耐腐蝕能力排序，從強(qiáng)到弱，供讀者參考：
注:表格中的鹽霧測試時(shí)間為參考值，實(shí)際結(jié)果會因具體工藝參數(shù)、膜厚、封閉質(zhì)量和測試標(biāo)準(zhǔn)而有很大差異。
結(jié)語：
◎ 追求極致，不計(jì)成本：可考慮微弧氧化。
◎ 工業(yè)量產(chǎn)，高性價(jià)比：陰極電泳和粉末噴涂是最佳選擇，尤其適合作為最終涂層或防護(hù)體系的核心。
◎ 兼顧外觀與一定耐蝕
表面處理工藝的技術(shù)升級，提升了平臺的耐腐蝕性和耐磨性。臺面采用林化+靜電噴塑雙重防銹處理，林化膜厚度≥8μm，噴塑層厚度≥60μm，可抵御車間油污、粉塵、潮濕環(huán)境的侵蝕，防銹等級達(dá)到GB/T10125-2021標(biāo)準(zhǔn)中的C3級，在潮濕車間環(huán)境中，連續(xù)使用5年以上無明顯銹蝕。
通過采用先進(jìn)設(shè)計(jì)技術(shù)和工藝技術(shù)，BK7238在超小型封裝中實(shí)現(xiàn)了高集成度與極低功耗，廣泛應(yīng)用于智能照明、智能家居、定位系統(tǒng)等物聯(lián)網(wǎng)高端領(lǐng)域。
