工藝技術的案例
汽車車身輕量化的關鍵工藝制造技術
這也要求著當前汽車市場需改變發展戰略，改變市場方向，并利用工藝制造技術及輕量化材料來打造符合客戶群需求的汽車市場，以此提高汽車市場的整體發展速度。
汽車車身輕量化的關鍵工藝制造技術控制及研究
輕量化關鍵工藝制造技術
輕量化工藝制造技術主要分為熱成形技術與激光拼焊技術。
首先，熱成形技術是利用熱沖壓高強鋼板材加熱于奧氏體在接近溫度上，然后進行一段時間的保溫工作，使其均勻奧氏體化，再將其快速轉移至具備冷卻系統的模具當中進行沖壓，再對其開展保壓與冷卻工作，使該奧氏體能夠轉化為板條狀馬氏體，提高該材料的整體強熱成形的主要工藝技術如下圖所示。
熱成形技術原理
按照原理來說，高強度鋼在常溫環境下其形狀塑造范圍十分狹窄，并且成形較差，容易使材質出現開裂現象，材質回彈機率大，無法應對當前汽車碰撞所需的安全系數。
而熱成形工藝制造技術則是根據鋼強度鋼制造技術所具備的種種缺陷而發展起來的更完善的一項新型制造技術，該技術能夠使高強度鋼經過產熱沖壓后，將其材質的抗拉強度提升至1700MPa以上，使汽車車身整體重量得到減輕的同時，提高了車身的強度與鋼度，使車身整體更耐撞擊，也具備更高的安全性。
當前，熱成形工藝主要分為兩大類型：
（1）第一是直接成形工藝制造技術。該工藝制造技術是指對板材進行直接沖壓，較為廣泛應用于汽車結構簡單的零件。
（2）第二是間接成形工藝制造技術，該技術在板材加熱前對其進行預先成形制造，再將其放于模具當中進行快速沖壓，較為廣泛應用于結構復雜的汽車零件。
展開 Ansys多物理場解決方案通過臺積電3nm工藝技術認證
Ansys為臺積電最高級的3nm工藝技術提供了多物理場設計解決方案，這幫助我們雙方客戶應對設計難題和技術挑戰。本次合作將Ansys的前沿解決方案與臺積電的高級工藝完美結合，幫助我們的客戶推進新一代3nm芯片組的技術創新，該技術將為眾多應用提供支持。”
Ansys副總裁兼總經理John Lee指出：“此次新增認證進一步加強了Ansys與臺積電的緊密合作，為我們雙方客戶探索解決方案。Ansys廣泛的多物理場仿真與分析技術（從芯片級到系統級）讓我們有充足的能力在AI/ML、5G、HPC、網絡和圖像處理應用中實現規模更大、功耗更低的設計。”
展開 ANSYS RedHawk-SC多物理驗證解決方案獲得臺積電先進工藝技術認證 附Ansys Redh
ANSYS(納斯達克市場代碼：anss)獲得了臺積電先進的工藝技術下一代芯片上系統(Soc)電源噪聲信號轉換平臺的認證。這有助于共同客戶驗證世界上最大的用于人工智能、機器學習、5G移動和高性能計算(Hpc)應用的芯片的功率需求和可靠性。
使先進的工藝技術能夠在熱熱點和高可變開關活動的存在下可靠地執行，消除了對配電網絡的過度設計。但隨著技術限制的顯著增加，電網大幅增長，合并了數百億個需要大規模并行化和非常高容量的電力節點。
ANSYS與臺積電合作認證ANSYS RedHawk-SC?對于臺積電行業領先的流程節點--包括N16、N12、N7、N6和N5--將與臺積電就其未來的工藝技術密切合作。該認證包括提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移(EM)、熱可靠性分析和統計EM預算分析。RedHawk-SC提供了巨大的速度和容量，通過在ansys海景?-一個高度并行的數據庫，由大數據機器學習結構衍生，并為電子設計進行優化。
臺積電(TSMC)設計基礎設施管理司高級主管蘇克·李(Suk Lee)表示：“我們與Ansys的合作，已經解決了5G、AI和HPC等應用程序在硅設計方面的關鍵挑戰。”我們期待著與Ansys繼續合作，以幫助我們的共同客戶以高速和高容量的多物理σ設計解決方案來釋放他們對TSMC的工藝技術的創新，包括我們的5nm技術，這是目前世界上最先進的鑄造解決方案。
下載地址：Ansys Redhawk-SC 中文介紹
展開 ANSYS仿真工具成功通過英特爾定制代工廠22nm FINFET低功耗工藝技術的認證
ANSYS仿真工具成功通過英特爾定制代工廠22nm FINFET低功耗工藝技術的認證
http://www.ansys.com/zh-cn/about-ansys/news-center/09-19-17-intel-custom-foundry-certifies-ansys-simulation-tools-22-nanometer
認證助力設計人員精心打造智能可靠的解決方案，滿足新一代物聯網和入門級移動應用的需求
2017年9月19日，匹茲堡訊——ANSYS (NASDAQ:ANSS)電遷移、電源和靜電放電解決方案通過英特爾22nm FinFET低功耗（22FFL）工藝技術認證，可幫助英特爾定制代工廠的客戶推出功能強大、獨具創新的產品。ANSYS和英特爾定制代工廠緊密合作實現的技術支持工具，有助于雙方共同的客戶最小化設計成本和風險，同時加速向市場推出可靠的尖端產品。
物聯網（IoT）和入門級移動產品的三大關鍵需求包括：更高性能、更低功耗以及更出色的可靠性。為了滿足上述要求，電子產品的多個子系統被整合到一個或更多的集成電路中，這也被稱為片上系統（SoC）。ANSYS仿真工具不僅可提供所需的精確度，減少周轉時間，還能滿足日益復雜的現代化產品設計所帶來的更高計算要求。ANSYS?RedHawk?、ANSYS? Totem?和ANSYS? PathFinder?中的高級技術支持（包括符合電遷移規則）能提供可靠性和可制造性，最小化風險并降低成本。
英特爾新的22FFL工藝技術獨具匠心地將高性能、超低功耗晶體管與簡化互聯、簡單設計規則整合在一起，從而提供面向低功耗移動產品的多功能型FinFET設計平臺。與前一代英特爾22GP（通用）技術相比，新技術的漏電量最多可以減少100倍。
展開 
Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N3和N4工藝技術認證
Ansys進一步深化與臺積電的合作，為先進應用提供先進電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得臺積電行業領先的N3和N4工藝技術認證
經臺積電認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加速設計迭代
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得臺積電的先進N3和N4工藝技術認證。這有助于雙方客戶滿足高級人工智能/機器學習、5G、高性能計算（HPC）、網絡和自動駕駛汽車芯片對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
臺積電N3和N4工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計的EM預算。
展開 Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N3和N4工藝技術認證
Ansys進一步深化與臺積電的合作，為先進應用提供先進電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得臺積電行業領先的N3和N4工藝技術認證
經臺積電認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加速設計迭代
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得臺積電的先進N3和N4工藝技術認證。這有助于雙方客戶滿足高級人工智能/機器學習、5G、高性能計算（HPC）、網絡和自動駕駛汽車芯片對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
臺積電N3和N4工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計的EM預算。
展開 Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N3和N4工藝技術認證
Ansys進一步深化與臺積電的合作，為先進應用提供先進電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得臺積電行業領先的N3和N4工藝技術認證
經臺積電認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加速設計迭代
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得臺積電的先進N3和N4工藝技術認證。這有助于雙方客戶滿足高級人工智能/機器學習、5G、高性能計算（HPC）、網絡和自動駕駛汽車芯片對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
臺積電N3和N4工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計的EM預算。
展開 ANSYS解決方案獲得三星5LPE工藝技術認證
ANSYS多物理場解決方案采用三星最新FinFET技術
2019年5月13日，ANSYS宣布其多物理場解決方案獲得三星代工廠（Samsung Foundry）早期5nm低功耗(5LPE)工藝技術認證，這可幫助雙方客戶滿足新一代5G、人工智能(AI)、高性能計算(HPC)及汽車應用的低功耗高性能需求。
在更小的FinFET幾何結構中，由于功耗、散熱以及可靠性效應的復雜相關性，工程師面臨越來越多的多物理場挑戰。這些挑戰不僅會影響設計收斂和項目進度，而且還會阻礙性能。雙方共同的客戶可利用ANSYS多物理場解決方案實現5LPE工藝技術，從而克服這些挑戰并加速創新，與其7nm前身相比，5LPE工藝技術可實現更大范圍的縮放和超低功耗優勢。
三星為其最新5LPE工藝技術認證了ANSYS RedHawk產品系列和ANSYS Totem多物理場解決方案,認證包括寄生提取、電源完整性和可靠性、信號和電網電遷移(EM)等。為支持高級節點的多物理場需求，認證還包括熱分析以及自熱和統計EM預算(SEB)的簽核。
三星電子(Samsung Electronics)設計技術團隊副總裁Jung Yun Choi表示：“該認證有助于雙方客戶滿足5G、AI、HPC和汽車應用的嚴格功耗、性能及可靠性要求。使用ANSYS解決方案，我們的客戶可在高級FinFET設計中克服復雜的多物理場挑戰，從而保障了芯片成功設計。”
ANSYS戰略副總裁Vic Kulkarni表示：“隨著亞7nm工藝節點設計利潤率不斷縮小，如果不能對容易導致芯片失效的物理、電氣及熱效應準確建模，保護頻帶就將變得很難確定。作為多物理場仿真領域的領導者，我們可幫助我們共同的客戶利用業界一流的解決方案，戰勝最困難的功耗、散熱及可靠性挑戰，幫助他們實現芯片成功。”
展開 ANSYS解決方案獲得三星5LPE工藝技術認證
ANSYS多物理場解決方案采用三星最新FinFET技術
2019年5月13日，ANSYS宣布其多物理場解決方案獲得三星代工廠（Samsung Foundry）早期5nm低功耗(5LPE)工藝技術認證，這可幫助雙方客戶滿足新一代5G、人工智能(AI)、高性能計算(HPC)及汽車應用的低功耗高性能需求。
在更小的FinFET幾何結構中，由于功耗、散熱以及可靠性效應的復雜相關性，工程師面臨越來越多的多物理場挑戰。這些挑戰不僅會影響設計收斂和項目進度，而且還會阻礙性能。雙方共同的客戶可利用ANSYS多物理場解決方案實現5LPE工藝技術，從而克服這些挑戰并加速創新，與其7nm前身相比，5LPE工藝技術可實現更大范圍的縮放和超低功耗優勢。
三星為其最新5LPE工藝技術認證了ANSYS RedHawk產品系列和ANSYS Totem多物理場解決方案,認證包括寄生提取、電源完整性和可靠性、信號和電網電遷移(EM)等。為支持高級節點的多物理場需求，認證還包括熱分析以及自熱和統計EM預算(SEB)的簽核。
三星電子(Samsung Electronics)設計技術團隊副總裁Jung Yun Choi表示：“該認證有助于雙方客戶滿足5G、AI、HPC和汽車應用的嚴格功耗、性能及可靠性要求。使用ANSYS解決方案，我們的客戶可在高級FinFET設計中克服復雜的多物理場挑戰，從而保障了芯片成功設計。”
展開 ANSYS解決方案通過UMC的先進14nm工藝技術認證
ANSYS解決方案通過UMC的先進14nm工藝技術認證。6月25日， ANSYS宣布ANSYS? RedHawk?和ANSYS? Totem?通過了UMC的先進14nm FinFET工藝技術認證。通過工藝認證和一系列綜合半導體設計解決方案，ANSYS和UMC能夠支持雙方共同的客戶滿足新一代移動和高性能計算（HPC）應用領域日益增長的要求。
UMC對ANSYS技術的認證涵蓋提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（信號EM）和自發熱分析等方面。相對于28nm工藝技術而言，UMC的14nm FinFET技術可將性能提高55%，功耗降低50%，從而理想適用于需要更高功能、性能和低功耗的應用。
UMC的知識產權開發和設計支持部門總監T.H.Lin指出：“UMC不斷改進其設計支持組合，以幫助客戶縮短設計時間，并加速產品上市進程。通過與ANSYS攜手合作，雙方共同的客戶可利用ANSYS多物理場仿真技術的優勢來優化設計方案，從而改進性能，減少過度設計。”
ANSYS的總經理John Lee指出：“對于亞16nm工藝而言，功率、可靠性和熱問題等各種多物理場效應的相互影響對于設計收斂構成巨大挑戰。ANSYS的半導體解決方案專門適用于多物理場優化，而UMC的認證有助于雙方共同的客戶利用經過嚴格測試和準確性基準驗證的ANSYS解決方案，從而加速推動設計收斂。”
展開 Ansys RedHawk-SC多物理場簽核解決方案通過所有臺積電高級工藝技術認證
Ansys與臺積電進一步深化合作，將為跨16nm到5nm工藝的高速高容量電源完整性簽核提供設計解決方案
Ansys的新一代片上系統（SoC）電源噪聲簽核平臺獲得所有臺積電高級工藝技術的認證。這有助于雙方客戶驗證全球最大芯片的電源要求和可靠性，用于人工智能、機器學習、5G手機和高性能計算（HPC）等應用。
使高級工藝技術能夠在出現熱點和頻繁變化切換的情況下可靠運行，可以避免配電網絡的設計過度。但是，隨著技術約束的顯著增加，配電網絡大幅增長，包含了數百億個需要大規模并行化和極大容量的電氣節點。
Ansys與臺積電合作，為Ansys? RedHawk-SC?的認證提供臺積電行業領先的工藝節點（包括N16、N12、N7、N6和N5），同時也將與臺積電在未來工藝技術上開展密切合作。該認證包括提取、電源完整性及可靠性、信號電遷移（EM）和熱可靠性分析以及統計EM預算分析。RedHawk-SC不僅可以提供超高速度與容量，還能通過在Ansys? SeaScape?上實施簽核算法來分析大規模設計，后者是一種源于大數據機器學習架構并針對電子設計進行優化的高度并行化數據庫。
臺積電設計基礎架構管理事業部高級總監Suk Lee表示：“我們與Ansys的合作解決了5G、AI和高性能計算等應用中芯片設計的關鍵難點。
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天然氣制氫工藝與技術
反應式：CH4+H2O→CO+3H2-Q CO+H2O→CO2+H2+Q
主要技術指標。壓力：1.0-2.5MPa;天然氣單耗: 0.5-0.56Nm3/ Nm3氫氣;電耗: 0.8-1.5/ Nm3氫氣;規模: 1000 Nm3/h ~100000 Nm3/h;純度: 符合工業氫、純氫(GB/T7445-1995);年運行時間: 大于8000h。
3、天然氣水蒸汽重整制氫需解決的關鍵問題
天然氣水蒸汽重整制氫需吸收大量的熱，制氫過程能耗高，燃料成本占生產成本的50-70%。遼河油田在該領域進行了大量有成效的研究工作，在油氣集輸企業建有大批工業生產裝置，考慮到氫在煉廠和未來能源領域的應用，天然氣水蒸氣轉化工藝技術不能滿足未能滿足大規模制氫的要求。因此研究和開發更為先進的天然氣制氫新工藝技術是解決廉價氫源的重要保證，新工藝技術應在降低生產裝置投資和減少生產成本方面應有明顯的突破。
4、天然氣制氫新工藝和新技術分析
天然氣絕熱轉化制氫。該技術最突出的特色是大部分原料反應本質為部分氧化反應 ，控速步驟已成為快速部分氧化反應，較大幅度地提高了天然氣制氫裝置的生產能力。天然氣絕熱轉化制氫工藝采用廉價的空氣做氧源，設計的含有氧分布器的反應器可解決催化劑床層熱點問題及能量的合理分配，催化材料的反應穩定性也因床層熱點降低而得到較大提高，天然氣絕熱轉化制氫在加氫站小規模現場制氫更能體現其生產能力強的特點。該新工藝具有流程短和操作單元簡單的優點，可明顯降低小規模現場制氫裝置投資和制氫成本。
天然氣部分氧化制氫。天然氣催化部分氧化制合成氣，相比傳統的蒸汽重整方法比，該過程能耗低，采用極其廉價的耐火材料堆砌反應器，但天然氣催化部分氧化制氫因大量純氧而增加了昂貴的空分裝置投資和制氧成本。
展開 Ansys多物理場解決方案榮獲臺積電N3和N4工藝技術認證
Ansys進一步深化與臺積電的合作，為先進應用提供先進電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得臺積電行業領先的N3和N4工藝技術認證
經臺積電認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加速設計迭代
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得臺積電的先進N3和N4工藝技術認證。這有助于雙方客戶滿足高級人工智能/機器學習、5G、高性能計算（HPC）、網絡和自動駕駛汽車芯片對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
臺積電N3和N4工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計的EM預算。
展開 Ansys多物理場解決方案榮獲三星3nm和4nm工藝技術認證
Ansys與三星Foundry合作為低功耗移動和高性能計算應用提供行業領先的電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得三星最先進的3nm和4nm工藝技術認證
經三星認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加快設計收斂
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得三星Foundry的先進3nm和4nm工藝技術認證。這有助于雙方客戶的設計滿足高級人工智能/機器學習、高性能計算（HPC）、網絡芯片以及低功耗5G和移動應用對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
三星Foundry 3nm和4nm工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計EM預算。Redhawk-SC通過利用其底層Ansys? SeaScape?基礎架構的彈性計算、大數據分析和高容量來分析龐大復雜的3nm電源網絡設計，同樣，Totem也通過了晶體管級定制設計的認證。此外，Redhawk-SC和Totem的預測準確性也已通過三星Foundry廣泛測試的認證。
Ansys Redhawk-SC分析結果展示了汽車芯片上數千個實例的電壓下降的嚴重程度。
展開 Ansys多物理場解決方案榮獲三星3nm和4nm工藝技術認證
Ansys與三星Foundry合作為低功耗移動和高性能計算應用提供行業領先的電源完整性和電遷移簽核解決方案
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Totem?電源完整性平臺獲得三星最先進的3nm和4nm工藝技術認證
經三星認證的Redhawk-SC和Totem將幫助客戶加快設計收斂
Ansys前沿的多物理場簽核解決方案獲得三星Foundry的先進3nm和4nm工藝技術認證。這有助于雙方客戶的設計滿足高級人工智能/機器學習、高性能計算（HPC）、網絡芯片以及低功耗5G和移動應用對關鍵電源、熱和可靠性的標準。
三星Foundry 3nm和4nm工藝技術對Ansys RedHawk-SC的認證包括電源網絡提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移（EM）、自熱的熱可靠性分析、熱感知EM和基于統計EM預算。Redhawk-SC通過利用其底層Ansys? SeaScape?基礎架構的彈性計算、大數據分析和高容量來分析龐大復雜的3nm電源網絡設計，同樣，Totem也通過了晶體管級定制設計的認證。此外，Redhawk-SC和Totem的預測準確性也已通過三星Foundry廣泛測試的認證。
Ansys Redhawk-SC分析結果展示了汽車芯片上數千個實例的電壓下降的嚴重程度。
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