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作者沿 Tvergaard–Needleman 的思路，把孔隙率的演化率做非局部積分平均（積分型非局部），并在顯式算法里給出一套能“真正規模不敏感”的數值實現：1，用權函數實現非局部孔隙率演化2，提出“交替推進”的非局部更新，更加穩健3，彈性區也更新非局部量4，鄰接矩陣用“當前構形”逐步更新（精度更高，計算成本更大）通過這一套精心設計的非局部數值方案實現了全局力學響應隨網格細化明顯趨于網格無關

為了避免此類數值求解問題發生，我們會使用非局部效應（不考慮局部效應）總等效塑性應變來計算損傷變量，由結構過程計算的總等效塑性應變場被轉換為非局部效應（交錯方法），意味著將局部值“擴散”為非局部值，應變擴散由長度參數控制，以這種方式，應變局部效應不受定單元網格尺寸控制，而是受“非局部長度參數”限制（這與真實材料中發生的情況類似，應變局部效應將分布在相對較小的區域上），換句話說，該分析對網格細化不敏感。

為了避免此類數值求解問題發生，我們會使用非局部效應（不考慮局部效應）總等效塑性應變來計算損傷變量，由結構過程計算的總等效塑性應變場被轉換為非局部效應（交錯方法），意味著將局部值“擴散”為非局部值，應變擴散由長度參數控制，以這種方式，應變局部效應不受定單元網格尺寸控制，而是受“非局部長度參數”限制（這與真實材料中發生的情況類似，應變局部效應將分布在相對較小的區域上），換句話說，該分析對網格細化不敏感。

傳統的連續介質力學模型無法很好地描述這種非局部行為，而應變梯度模型通過引入應變梯度項，可以更準確地描述納米材料的力學行為。 提高了預測材料性質的能力。應變梯度模型可以更好地捕捉材料的微觀尺度下的非局部效應，從而提高了模型預測材料力學性質的能力。 可以揭示材料行為的新特性。

然而，如果模擬規模變小，例如在專注于納米壓痕（Zaafarani et al.，20082006）和微柱壓縮（Raabe，Ma和Roters，2007a）的研究中，則局部模型可能由于無法描述尺寸效應而不足，較小晶粒尺寸的強化效應是由于晶界附近非均勻塑性變形的體積分數較高。

然而，如果模擬規模變小，例如在專注于納米壓痕（Zaafarani et al.，20082006）和微柱壓縮（Raabe，Ma和Roters，2007a）的研究中，則局部模型可能由于無法描述尺寸效應而不足，較小晶粒尺寸的強化效應是由于晶界附近非均勻塑性變形的體積分數較高。

將局部坐標轉換為全局坐標并獲取結果將提前創建空的數據陣列，例如 ‘detectorData’ 將用于存放局部坐標以及探測器數據，‘global_detectorData’ 將用于存放全局坐標以及探測器數據：detectorData = []global_detectorData = [] 局部數據將作為各探測器像素循環計算的附加項：detectorData.append

圖 6 豎向位移云圖（線性分析） 圖 7 Von Mises應力云圖（線性分析） 2.1.2線性和非線性分析結果對比 選擇跨中中結點和邊結點處置方向加速度響應線性分析和非線性分析對比。

摘要通過考慮諧波場而非光線，光場追跡法對光線追跡法進行了概括推廣。光場追跡法可以容許位于系統不同子區域的不同的建模技術進行無縫連接。基于分解和互聯的理念，這篇文章介紹了非序列場追跡的基本概念，同時推導出了相應的算子方程組和一個求解公式用于仿真。對問題的求值需要局部麥克斯方程的解（分解）；并且隨著迭代過程的收斂實現解決方案在通過界面處的連續性（互聯）。

序列模式和非序列模式中可用的標準類型有所不同。本文為非序列系統的優化提供了一種建議方式。 例如，通過優化自由曲面反射鏡，最大限度地將 LED 的亮度從23 Cd 提高到大于250 Cd，只需幾分鐘。阻尼最小二乘法與正交下降法對比 OpticStudio 中有兩種局部優化算法 :阻尼最小二乘法(DLS)和 正交下降法(OD)。

華中科技大學的Jianqiu Liu等人采用經典的局部和非局部應變梯度晶體塑性有限元模擬方法研究了非均質多晶中尺寸相關的微孔生長, 采用局部CP理論和非局部CP理論描述了典型面心立方(FCC)多晶銅的應力應變響應。結果表明，孔隙-晶粒尺寸比和絕對微孔尺寸對微孔生長均有顯著影響，分別為第一類(由晶粒尺度非均質變形引起)和第二類(由塑性應變梯度引起)尺寸效應。

請注意：這三種非線性問題之間沒有必然的聯系。例如，構件內圓角的應力集中處發生塑性應變時，這是材料非線性問題，但如果僅僅是這個局部的應變很大，構件整體的剛度足以抵抗所受的載荷，模型中并沒有出現大的位移或轉動，這時就不是幾何非線性問題，不需要將 Nlgeom 設為 ON。

序列模式和非序列模式中可用的標準類型有所不同。本文為非序列系統的優化提供了一種建議方式。 例如，通過優化自由曲面反射鏡，最大限度地將 LED 的亮度從23 Cd 提高到大于250 Cd，只需幾分鐘。 阻尼最小二乘法與正交下降法對比 OpticStudio 中有兩種局部優化算法 :阻尼最小二乘法(DLS) 和 正交下降法(OD) 。

? 核化嶺回歸：在回歸任務中，RBF核可用于執行核化嶺回歸，從而允許模型捕獲特征和目標變量之間的非線性關系。? 聚類：RBF內核還可以用于內核化聚類算法，例如頻譜聚類，它有助于捕獲數據的局部結構，以便將相似的數據點分組在一起。? 降維：在流形學習和非線性降維技術中，如t分布式隨機鄰域嵌入（t-SNE），RBF內核用于定義高維空間中數據點之間的相似性。

相較于標準抽芯制程，本案例的產品只在局部膨脹，因此氣泡的形成被限縮于特定區域。膨脹區和非膨脹區的產品結構形成，受到邊界條件和制程參數設定的影響，交互作用非常復雜。利用Moldex3D發泡射出成型模塊可以觀察到結構成型的過程，并據此調整制程參數，獲得理想的抽芯產品。

局部坐標系的作用，就是建立一個與特定裝配功能相關的測量基準，過濾掉非關鍵的整體偏差，讓分析聚焦于零件本身的制造精度和更關鍵的局部裝配關系。02在eMMA中的實現方式在eMMA Planner或Assembler模塊中，工程師可以基于實際裝配基準，輕松創建局部坐標系。

摘要通過考慮諧波場而非光線，光場追跡法對光線追跡法進行了概括推廣。光場追跡法可以容許位于系統不同子區域的不同的建模技術進行無縫連接。基于分解和互聯的理念，這篇文章介紹了非序列場追跡的基本概念，同時推導出了相應的算子方程組和一個求解公式用于仿真。對問題的求值需要局部麥克斯方程的解（分解）；并且隨著迭代過程的收斂實現解決方案在通過界面處的連續性（互聯）。