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，闡述了增材制造金屬晶格結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、優(yōu)化、性能及應(yīng)用，并根據(jù)目前增材制造金屬晶格結(jié)構(gòu)的研究成果，討論了其局限性和未來(lái)的發(fā)展方向。

△裕克施樂(lè)3D打印的背包腰帶和背墊裕克施樂(lè)采用3D打印晶格結(jié)構(gòu)代替?zhèn)鹘y(tǒng)用于背包腰帶和背墊的泡沫。這種結(jié)構(gòu)具有完全集成的緩沖系統(tǒng)，可提供極大的舒適感：智能晶格幾何形狀通過(guò)精確校準(zhǔn)支柱厚度和晶格元件整體尺寸的變化，使其緩沖性能可以靈活調(diào)節(jié)。

02成果掠影 北京航空航天大學(xué)趙立東教授團(tuán)隊(duì)提出了 “l(fā)attice plainification（晶格素化）”概念，通過(guò)降低硒化錫（SnSe）晶格中的空位濃度，大幅削弱了晶格缺陷對(duì)載流子的散射，實(shí)現(xiàn)了載流子遷移率的顯著提升。

本文章包括以下八個(gè)部分：1) FCC晶格材料的變形模擬-單晶體2) FCC晶格材料的變形模擬-多晶體3) BCC晶格材料的變形模擬-單晶體4) BCC晶格材料的變形模擬-多晶體5) HCP晶格材料的變形模擬-單晶體6) HCP晶格材料的變形模擬-多晶體7) 多相材料的變形模擬8) 參考資料1.

打開(kāi)模型，可進(jìn)一步對(duì)晶格進(jìn)行分析設(shè)置。 如進(jìn)行默認(rèn)接觸的修改及設(shè)置。 以及網(wǎng)格劃分等操作。

插件可對(duì)任意形狀的二維或三維部件、任意特征（實(shí)體或殼）、任意單元形狀進(jìn)行指派Voronoi晶格，可設(shè)置晶格數(shù)量等參數(shù)。可用于Abaqus晶體塑性有限元、非均質(zhì)晶格、多晶體、三維Voronoi等模型構(gòu)建及研究。

<p>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;本案例建立了一六面體晶格結(jié)構(gòu)，如圖1所示。模型中內(nèi)核是硬質(zhì)高密度材料，通常是鉛或者鐵，稱(chēng)為振子，振子外面的中間層是軟質(zhì)彈性硅膠，外殼是硬質(zhì)樹(shù)脂，振子和彈性硅膠形成散射體，硬質(zhì)樹(shù)脂形成的空腔球稱(chēng)為赫姆霍茲共振腔。基于COMSOL軟件對(duì)特征值求解分析作波矢參數(shù)的參數(shù)化掃描，得到特征頻率和振型模態(tài)的結(jié)果，如圖2所示。

原文摘要： 本文研究了一種新型三維（三維）晶格超材料的隔振性能和耐撞性，該材料的單元由一個(gè)空心菱形十二面體和六個(gè)圓柱管組成。由于超材料中存在帶隙，可以抑制三維超材料中彈性波的傳輸。同時(shí)，當(dāng)發(fā)生碰撞時(shí)，三維超材料可以通過(guò)塑性變形來(lái)吸收破碎能量。研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)新型三維超材料的帶隙特征和碰撞行為的影響。結(jié)果表明，結(jié)構(gòu)參數(shù)在確定帶隙特征和碰撞行為方面起著至關(guān)重要的作用。

，對(duì)晶格的形狀進(jìn)行控制，使單個(gè)晶格的形狀在各個(gè)方向上無(wú)明顯差異，保證了晶格呈現(xiàn)出均勻梯度分布的特征。

原版鏈接CAD Voronoi3D V1.0.0更新說(shuō)明CAD Voronoi3D V1.0.1版本對(duì)泰森多邊形晶格進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化。采用新算法大幅度減少形體邊界出現(xiàn)小晶格的可能性，使區(qū)塊更均勻：優(yōu)化曲邊邊界晶格曲率問(wèn)題，消除曲邊形體晶格邊界曲率過(guò)大現(xiàn)象：優(yōu)化生成算法，提高生成效率。優(yōu)化后的晶格邊界。

這種結(jié)構(gòu)具有原子級(jí)方解石（即碳酸鈣的穩(wěn)定形態(tài)）和微米級(jí)金剛石三重周期性最小表面（金剛石-TPMS）幾何形狀，以及晶格級(jí)結(jié)構(gòu)梯度和原子級(jí)位錯(cuò)缺陷。這種獨(dú)特的雙尺度微晶格提供了多種有效策略包括晶體共取向、晶格幾何梯度和通過(guò)微晶格位錯(cuò)抑制解理斷裂，來(lái)實(shí)現(xiàn)高剛度、強(qiáng)度和損傷容限。該工作為開(kāi)發(fā)高性能輕質(zhì)且高強(qiáng)度的陶瓷復(fù)合材料帶來(lái)了曙光。下載地址：多孔固體結(jié)構(gòu)與性能第2版

如需基于此圖形進(jìn)行晶格的分區(qū)，需要新建CAD繪圖界面，并將插件內(nèi)的分圖層設(shè)置為“開(kāi)”，并設(shè)置晶格分區(qū)的數(shù)目以及每個(gè)區(qū)域所占的比例。 參數(shù)設(shè)置完成后再次運(yùn)行插件即可完成晶格分區(qū)圖的繪制。

因此推斷，摻雜過(guò)大尺寸的Ln陽(yáng)離子會(huì)導(dǎo)致較大的Co偏移或晶格應(yīng)變。 此外，Ln-LCO結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的理論計(jì)算，表示為Co力和氧釋放能，闡明穩(wěn)定性隨著晶格應(yīng)變的降低而增加，即晶格應(yīng)變是穩(wěn)定性描述符。具體來(lái)說(shuō)，隨著鑭系元素從左到右，Co力逐漸減小（圖3d），氧釋放能量逐漸增加（圖3e），表明Co和晶格氧的穩(wěn)定性逐漸提高。

模型可包括晶格及晶格之間的晶界，同時(shí)可控制晶格邊界的厚度及有無(wú)，用于構(gòu)建不同的Voronoi三維模型。 晶格邊界及泰森多邊形晶格分圖層繪制，可方便批量管理。 生成的區(qū)塊為單獨(dú)的部件，方便進(jìn)行手動(dòng)修改。 插件可指定晶格尺寸、控制點(diǎn)的分布模式，可實(shí)現(xiàn)【隨機(jī)分布】及【均勻分布+浮動(dòng)%】?jī)煞N模式。

石英中雜質(zhì)賦存狀態(tài)影響高純石英砂應(yīng)用關(guān)鍵雜質(zhì)及賦存形式晶格雜質(zhì)石英中晶體結(jié)構(gòu)雜質(zhì)分為晶格雜質(zhì)和非晶格雜質(zhì)，晶格雜質(zhì)主要以他類(lèi)原子以類(lèi)質(zhì)同象的方式取代硅氧四面體中的硅原子，主要雜質(zhì)元素有Al3+、Ti4+、Ge4+等。這些雜質(zhì)含量很低，但從石英中分離難度較大，是制約高純石英質(zhì)量關(guān)鍵性因素之一。

同時(shí)可發(fā)現(xiàn)較大的晶格邊界應(yīng)力，這將導(dǎo)致晶格間的劈裂。 同時(shí)進(jìn)行同取向晶體單一材料模擬對(duì)比分析，應(yīng)力圖如下： 同材料Voronoi晶體的軸壓試驗(yàn)中，不同晶格之間的應(yīng)力無(wú)明顯差異性，無(wú)晶格取向的晶體力學(xué)性能更趨向于各項(xiàng)同性材料，因此多晶結(jié)構(gòu)的差異主要在于晶體取向的不同。

插件介紹 CAD Voronoi V2.3可在AutoCAD內(nèi)生成泰森多邊形Voronoi晶格，且可指定晶格的三組區(qū)域比例，以快速實(shí)現(xiàn)不同組分材料的區(qū)分。

β-Si3N4晶格氧含量隨 Y2O3/SiO2比率的增加而下降， 超過(guò) Y2O3/SiO2≈1 時(shí)晶格氧含量趨于恒定。