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金線材料設(shè)定 步驟1：在Moldex3D網(wǎng)格前處理，用戶可產(chǎn)生芯片組件實(shí)體網(wǎng)格并設(shè)定金線，接著檢查圖層：SRMI$為芯片封裝實(shí)體網(wǎng)格圖層，WL$PF1為金線圖層。 步驟2：點(diǎn)選 Wire Material Setting，并按照提示欄顯示的訊息操作。 選擇曲線后，按下Enter。使用者可命名并指定金線材料群組的顏色。

芯片封裝產(chǎn)業(yè)Moldex3D建議產(chǎn)品Moldex3D Advanced Package

Moldex3D 解決方案Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項(xiàng)目相當(dāng)完善，以準(zhǔn)確的材料量測(cè)為基礎(chǔ)，除了基本的流動(dòng)充填與硬化過程模擬；并延伸到其他先進(jìn)制造評(píng)估，例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應(yīng)力分布與結(jié)構(gòu)變形等。

Moldex3D 解決方案Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項(xiàng)目相當(dāng)完善，以準(zhǔn)確的材料量測(cè)為基礎(chǔ)，除了基本的流動(dòng)充填與硬化過程模擬；并延伸到其他先進(jìn)制造評(píng)估，例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應(yīng)力分布與結(jié)構(gòu)變形等。

圖二 IC封裝的常見問題STMicroelectronics團(tuán)隊(duì)以Moldex3D網(wǎng)格建構(gòu)微芯片產(chǎn)品的模型。因產(chǎn)品具有對(duì)稱性，為了縮短分析時(shí)間，只建立了一半的模型(圖三)。圖三 真實(shí)模型與Moldex3D Mesh建構(gòu)的模型經(jīng)由Moldex3D分析，可觀察到模擬與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相當(dāng)一致(圖四)。

Moldex3D模擬真實(shí)的填膠過程步驟，預(yù)測(cè)可能產(chǎn)生的空洞位置。注意：Moldex3D芯片封裝成型模塊支持solid與eDesign (僅轉(zhuǎn)注成型) 網(wǎng)格模型。

Moldex3D芯片封裝成型的應(yīng)用基本步驟 (Basic Procedures)Moldex3D芯片封裝成型模塊支持不同的芯片封裝成型分析：轉(zhuǎn)注成型分析、毛細(xì)底部填膠分析、成型底部填膠分析、壓縮成型分析、嵌入式晶圓級(jí)封裝分析，以及非流動(dòng)性底部填膠分析／非導(dǎo)電性黏著分析。在Moldex3D開始使用時(shí)，點(diǎn)擊新增來創(chuàng)建新的芯片封裝項(xiàng)目或開啟來使用既有的。

Moldex3D芯片封裝成型的應(yīng)用基本步驟 (Basic Procedures)Moldex3D芯片封裝成型模塊支持不同的芯片封裝成型分析：轉(zhuǎn)注成型分析、毛細(xì)底部填膠分析、成型底部填膠分析、壓縮成型分析、嵌入式晶圓級(jí)封裝分析，以及非流動(dòng)性底部填膠分析／非導(dǎo)電性黏著分析。在Moldex3D開始使用時(shí)，點(diǎn)擊新增來創(chuàng)建新的芯片封裝項(xiàng)目或開啟來使用既有的。

Moldex3D模擬真實(shí)的填膠過程步驟，預(yù)測(cè)可能產(chǎn)生的空洞位置。注意：Moldex3D芯片封裝成型模塊支持solid與eDesign (僅轉(zhuǎn)注成型) 網(wǎng)格模型。 Moldex3D芯片封裝成型的應(yīng)用1.

? 金線偏移 (Wire Sweep)在芯片封裝成型的充填階段時(shí)，環(huán)氧塑料的黏性流體施加在金在線的拖曳力 (drag force) 將造成金線變形，更嚴(yán)重會(huì)使金線接觸彼此，導(dǎo)致芯片封裝成型失敗。此現(xiàn)象為金線偏移問題，Moldex3D芯片封裝成型模塊能提供便利的工具用應(yīng)力分析引擎來預(yù)測(cè)金線偏移，并在Moldex3D Project中直接顯示分析結(jié)果。

檢視結(jié)果分析 ( Moldex3D Run (Result) )點(diǎn)擊 Moldex3D > 更多 > 結(jié)果分析 分頁，以預(yù)覽其分析結(jié)果。iSLM 提供以下三種結(jié)果類型供使用者檢視： 3D檢視、XY曲線圖、分析 Log。*注意: 3D 檢視功能 及 3D 比較功能 僅能在 iSLM 登入狀況下使用。

Moldex3D毛細(xì)底部填膠模塊 (Moldex3D Underfill) 可模擬毛細(xì)流動(dòng)，此現(xiàn)象是受到倒裝芯片底部填膠在點(diǎn)膠制程中底膠材料表面張力，及底膠材料、錫球與基板之間的接觸角度影響。Moldex3D覆晶封裝底部填膠模塊允許用戶輸入實(shí)際的點(diǎn)膠制程，并預(yù)測(cè)底部點(diǎn)膠制程中的氣孔位置，以大幅提高生產(chǎn)力。Moldex3D毛細(xì)底部填膠模塊仿真是在 Moldex3D 「封裝」模塊中建立的。

Moldex3D Project 中沒有其余的設(shè)定。 3. 固定邊界條件 執(zhí)行導(dǎo)線架偏移分析前，將固定模面設(shè)定為固定 邊界條件 (應(yīng)與實(shí)時(shí)芯片設(shè)計(jì)中的設(shè)定一致)。您可只將與固定模面接觸的芯片組件網(wǎng)格檔案導(dǎo)出至導(dǎo)線架偏移分析。 4. 光學(xué)邊界條件 用于定義鏡片表面上的有效光學(xué)區(qū)域。在 Moldex3D Mesh 中，您要做的就是定義區(qū)域并導(dǎo)出模型供后處理。

5.當(dāng)所有對(duì)象的屬性性質(zhì)及網(wǎng)格參數(shù)都已設(shè)置好后，點(diǎn)擊OK即可生成封裝3D實(shí)體網(wǎng)格。屬性性質(zhì)與網(wǎng)格參數(shù)設(shè)定封裝制程的3D實(shí)體模型輸出模型輸出實(shí)體封裝模型輸出的模型包含環(huán)氧樹脂、芯片及導(dǎo)線架的屬性設(shè)定。Moldex3D將在輸出封裝模型之前檢查是否有金線交叉的問題。輸出實(shí)體模型

對(duì)于芯片封裝成型，后熟化分析（Post Mold Cure (PMC)）也能適用退火分析，考慮硬化程度與熱的影響并分析翹曲行為。注意：Moldex3D應(yīng)力分析模塊支持solid與eDesign網(wǎng)格模型。此外，支持塑件、塑件嵌件及模具嵌件的分析。模座變形分析只支援stand cool分析。下述將介紹應(yīng)力分析的一般步驟。1.

Moldex3D毛細(xì)底部填膠模塊 (Moldex3D Underfill) 可模擬毛細(xì)流動(dòng)，此現(xiàn)象是受到倒裝芯片底部填膠在點(diǎn)膠制程中底膠材料表面張力，及底膠材料、錫球與基板之間的接觸角度影響。Moldex3D覆晶封裝底部填膠模塊允許用戶輸入實(shí)際的點(diǎn)膠制程，并預(yù)測(cè)底部點(diǎn)膠制程中的氣孔位置，以大幅提高生產(chǎn)力。Moldex3D毛細(xì)底部填膠模塊仿真是在 Moldex3D 「封裝」模塊中建立的。

Moldex3D 解決方案Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項(xiàng)目相當(dāng)完善，以準(zhǔn)確的材料量測(cè)為基礎(chǔ)，除了基本的流動(dòng)充填與硬化過程模擬；并延伸到其他先進(jìn)制造評(píng)估，例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應(yīng)力分布與結(jié)構(gòu)變形等。

?3D Viewer以下從兩個(gè)入口點(diǎn)分別介紹： Moldex3D、試模 的3D 檢視平臺(tái)窗口1. Moldex3D 從 Moldex3D 頁面進(jìn)入3D 比較功能，能看到左邊面板的預(yù)設(shè) Base Model 為 CAD 設(shè)計(jì)檔； Compared Model 為 CAE 檔 (Moldex3D 的分析圖檔 )。

Moldex3D Studio-1 Moldex3D Studio 讓使用者可以在單一平臺(tái)內(nèi)完成模型準(zhǔn)備、網(wǎng)格建構(gòu)、模擬設(shè)置、分析運(yùn)行、后處理及觀看結(jié)果，執(zhí)行Moldex3D Studio后，可以看到如下的窗口，功能區(qū)位于顯示窗口上方并呈現(xiàn)目前步驟可使用的功能，隨著建立新組別會(huì)顯示更多的頁簽，根據(jù)ribbon上從左至右的頁簽，精靈以及工具會(huì)引導(dǎo)使用者完成一般射程成型仿真或是更高階的模塊

輸出的模型包含環(huán)氧樹脂、芯片及導(dǎo)線架的屬性設(shè)定。Moldex3D將在輸出封裝模型前檢查金線交叉問題。