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求解獲得warpage如下， bump的塑性應變能密度的值如下所示，在樓上和樓下之間的bump應變能密度和基板之間的C4 bump比大很多，是易失效的位置，還可以看出在最角落的bump是最容易失效的。另外通過一些公式換算可以通過應變能密度獲得其在高低溫循環下的壽命。當然，如果只是判斷選型，簡單對比應變能密度大小即可。

芯片功耗模型（CPM）是一種SPICE網表格式，包括芯片C4bump的PDN寄生和晶體管級電流源，這些電流源為每個bump重新生成電流，這對于封裝和PCB的PDN時域分析至關重要。 ANSYS SIwave提供了一個可以導入CPM模型的設計流程，并與ANSYS電路仿真器進行聯合仿真，用于進行PDN瞬態噪聲分析。

），其直徑范圍通常在 100-150μm，再到微凸點（micro bump），其直徑可小至2μm。

Color from texture來自紋理的顏色，來自紋理的顏色是指模擬結果使用圖像紋理的顏色和顏色明度，如果應用bump凹凸映射時，仿真結果也考慮了凹凸映射的灰度顏色亮度。Color from BSDF顏色來自BSDF，來自BSDF的顏色是指仿真結果使用了BSDF信息的紋理映射光學屬性，紋理表現是texture，顏色使用BSDF文件。

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芯片上的RDL和TSV制作 在芯片表面布線，通過RDL (Redistribution Layer) 重新布線層將PAD連接到占位更寬松的位置并制作凸點Bump，我們稱之為XY平面的延伸。 然后通過Bump，芯片就可以直接安裝在基板上了，這種工藝被稱為倒裝焊 Flip Chip，看看下面的圖，你就會明白為啥叫倒裝了。

后來，封裝和芯片之間有新的C4 Bump，間距就會小很多，在1mm2下可能有16個焊球，所以容量會變得更大。2.5D技術又往前進了一大步：2.5D下面就是中間層，中間層和芯片之間通過Micro Bump連接，之間的間距會更小，變成50μm左右。間距小了以后，連線就會多很多，使芯片的容量和速度都比以前大很多，這就是為什么一些領先的代工廠在做或想做2.5D先進封裝的原因。

憑借在集成電路先進封裝行業多年的耕耘，公司在以凸塊制造（Bumping）和覆晶封裝（FC）為核心的先進封裝技術上積累了豐富經驗并保持行業領先地位，目前已發展成為境內第一、全球第三的顯示驅動芯片封測企業，并將業務版圖擴展至電源管理芯片、射頻前端芯片等非顯示類芯片封測領域，在行業內具有較高的知名度和影響力。

NMOS LDO工作簡介下圖是一個NMOS LDO的基本框圖，NMOS LDO一般也工作在飽和區（特殊時會在可變電阻區），所以Vg要大于Vs，因此NMOS LDO除了有Vin引腳，一般還會有個Vbias引腳來給MOS G極提供高壓驅動源；或者只有一個Vin，而內部集成了CHARGE BUMP來為G極提供高壓驅動源。

Moldibot 整合了專業知識庫與論壇內容，提供深入思考功能洞察本質，從而提升決策質量、解決復雜問題，搭配 Material Hub Cloud 的 AI 材料助手，協助企業高效將仿真數據轉化為高價值的智能資產以高效建模與等效技術解決先進封裝挑戰針對半導體產業日益高漲的先進封裝需求，Moldex3D 2026 新推出 Hybrid Zone 與 EBG（Equivalent Bump

正向PWM波形對齊◆調光模式控制方案：PWM - 12位◆連接：-亮度控制輸入（Dip）-動態凈空狀態輸出-故障報告輸出（Dis/Dos）◆診斷：-LED短檢測-LED打開檢測-輸入UVLO-165℃/30℃滯后時熱停機◆芯片內部狀態讀取：-Vch測量-OTP觸發事件-LED打開/短狀態封裝：-CSP-10 Bumps

匯入錫球 (Import Bump)當要指定封裝組件中的錫球時，點擊匯入圖示再選擇對應含錫球信息的CSV文件來一次性建立大量錫球組件。CSV文件需包含各錫球位置的XY坐標如下所示，而錫球直徑則視情況要不要先行指定。匯入后，可以在指定錫球的直徑、厚度與位置(Z軸)或在顯示窗口反選不想要匯入的錫球。

第一階段先進行3D IC封裝組件建立(如圖三)：輸入2D IC草圖的曲線，利用此功能選框線，并設定Z方向位置、組件高度及屬性信息，即可建立出環氧樹脂(Epoxy)、基板(Substrate)、膠卷(Tape)、導線架(Leadframe)、芯片(Chip)、錫球(Bump)等IC組件。

目前，長電科技XDFOI?技術可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內，微凸點(μBump)中心距為40μm，實現在更薄和更小單位面積內進行高密度的各種工藝集成，達到更高的集成度、更強的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時，還可以在封裝體背面進行金屬沉積，在有效提高散熱效率的同時，根據設計需要增強封裝的電磁屏蔽能力，提升芯片成品良率。

可擴展的模型導入技術 靈活的混合建模方法 智能多物理場耦合分析 將仿真周期縮短達80%，預測準確率提升30%+2.早期設計探索能力支持在設計初期快速評估：? 不同工藝節點的可行性? 多種封裝配置方案? 各類"假設分析"場景幫助團隊基于數據驅動做出關鍵決策3.可靠性驗證革新實現關鍵結構的精細化分析： 焊球(solder bumps

匯入錫球 (Import Bump)當要指定封裝組件中的錫球時，點擊匯入圖示再選擇對應含錫球信息的CSV文件來一次性建立大量錫球組件。CSV文件需包含各錫球位置的XY坐標如下所示，而錫球直徑則視情況要不要先行指定。匯入后，可以在指定錫球的直徑、厚度與位置(Z軸)或在顯示窗口反選不想要匯入的錫球。

高級多芯片2.5D和3D封裝技術引入新的拓撲結構來建模 當前的封裝技術包含： ? 穿過堆疊芯片，從Bump到芯片用于供電和信號連接的硅通孔（TSV） ? 芯片之間的短距離（并行、時鐘轉發）接口 ? Interposer中的局部重分布互聯層 上圖所示的是一種帶有兩個芯片的簡單

變形為正數代表表面上有凸點（bump）。 由INT顯示表面變形5. 檢視折射率效果 (Examine the Refractive Index Effect)光學設計中假設折射率是均勻的，然而，在實務上成型后的折射率并非均勻的。使用此功能，GRIN（梯形折射率）的效果能透過CODE V 的優化進行研究與補正。