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基于matlab的tfrSTFT時(shí)頻分布圖，計(jì)算時(shí)間序列的STFT時(shí)頻分布圖，得到瞬時(shí)頻率。通過GUI可以調(diào)節(jié)圖像的展示樣式。程序已調(diào)通，可直接運(yùn)行。

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matlab應(yīng)用與學(xué)習(xí) ??? 2年前

帖子三大巖類190種巖石鑒定圖冊(cè)，看完你就是專家！

三大巖類卡片共213張，其中巖漿巖卡片61張，沉積巖卡片68張，變質(zhì)巖卡片74張。每張卡片分標(biāo)本照片、標(biāo)本描述、薄片照片、薄片描述，并放大到最佳倍數(shù)，一一對(duì)應(yīng)。一、巖漿巖（61種）

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巖土聯(lián)盟 ??? 4年前

問答 ABAQUS ERROR: THE INDEPENDENT VARIABLES MUST BE ARRANGED IN ASCENDING ORDER

., 190.39, 190.39, 0.028, 0.28, 0.037, 84.23, 84.23 6944., , 0., 0., 1., 0. 18.4, 1.9, 1.9, 0.028, 0.028, 0.037, 0.8423, 0.8423 0.8423, ,

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無(wú)語(yǔ)的26 ??? 1年前

帖子 RS瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS在適配器上的應(yīng)用

/RSF65R190F;5、120W在PFC位置用超結(jié)MOS：RS65R190F/RSF65R190F，PWM用超結(jié)MOS：RS65R280F*2;6、200W在PFC位置用超結(jié)MOS：RSF60R090F，PWM用超結(jié)MOS：RS65R190F/RSF65R190F*2，碳化硅肖特基二極管：RSS04065A/RSS04065B;（備注:RSF***系列內(nèi)置FRD系列）瑞森半導(dǎo)體超結(jié)

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瑞森半導(dǎo)體 ??? 3年前

帖子 LS-DYNA R13.1.1已經(jīng)發(fā)布

===========================================ls-dyna_smp_s_R13_1_0_x64_centos79_ifort190 ifort 16.0 x64 Centos 7.9 ls-dyna_smp_d_R13_1_0_x64_centos79_ifort190 ifort 16.0 x64 Centos 7.9 ls-dyna_smp_s_R13

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王毅 ??? 3年前

帖子 LPG覆土罐有限元分析設(shè)計(jì)方法和工程案例！

設(shè)計(jì)依據(jù)及標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范LPG覆土罐的設(shè)計(jì)和建造須遵循EEMUA 190—2000和ASME Section Ⅷ-2中的相關(guān)要求。

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機(jī)械工業(yè)出版社E視界 ??? 3年前

帖子定量核磁表征聚乙烯長(zhǎng)鏈支化結(jié)構(gòu)及開發(fā)高性能吹膜樹脂中的應(yīng)用

方案7高度支化的商業(yè)高壓釜法LDPE（熔融指數(shù)I2=0.5dg/min，測(cè)試條件190°C）02定量核磁分析通過定量1H和13C核磁共振（NMR）波譜技術(shù)，獲得了二烯偶聯(lián)過程的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)信息。

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國(guó)高材高分子材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心 ??? 8月前

帖子定量核磁表征聚乙烯長(zhǎng)鏈支化結(jié)構(gòu)及開發(fā)高性能吹膜樹脂中的應(yīng)用

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國(guó)高材高分子材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心 ??? 8月前

帖子基于comsol的混沌擺仿真

image_process=/format,webp/quality,q_40/resize,w_400" data-pc-src="https://img.jishulink.com/upload/202012/190e2e029c5a48b5b919e3188ea4789c.gif?

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琳泓c(diǎn)omsol ??? 5年前

帖子 [VirtualLab] 基于分布式計(jì)算的AR光波導(dǎo)中測(cè)試圖像的仿真

入射耦合周期：380 nm；光柵脊寬度：190 nm；高度：100 nm；光柵方向：0°。2. 出瞳擴(kuò)展周期：268.7 nm；光柵脊寬度：198~215 nm；高度：50 nm；光柵方向：45°。3. 出射耦合周期：380 nm；光柵脊寬度：200~300 nm；高度：124 nm；光柵方向：90°。

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信光嗎 ??? 3月前

[VirtualLab] 基于分布式計(jì)算的AR光波導(dǎo)中測(cè)試圖像的仿真

帖子六軸機(jī)械臂搬運(yùn)仿真（機(jī)器人工具箱）

pi/2,'offset',0);L(6)=Link('d', 0.07, 'a', 0, 'alpha',0,'offset',0);L(1).qlim=[-170*pi/180 170*pi/180];L(2).qlim=[-110*pi/180 120*pi/180];L(3).qlim=[-122*pi/180 280*pi/180];L(4).qlim=[-190

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余俊煒 ??? 2年前

帖子 RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動(dòng)兩輪車上的應(yīng)用

、RS100N190S、RS100N210T、RS100N200S。

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瑞森半導(dǎo)體 ??? 2年前

RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動(dòng)兩輪車上的應(yīng)用

帖子 VirtualLab之基于分布式計(jì)算的AR光波導(dǎo)中測(cè)試圖像的仿真

入射耦合周期：380 nm；光柵脊寬度：190 nm；高度：100 nm；光柵方向：0°。 2. 出瞳擴(kuò)展周期：268.7 nm；光柵脊寬度：198~215 nm；高度：50 nm；光柵方向：45°。3. 出射耦合周期：380 nm；光柵脊寬度：200~300 nm；高度：124 nm；光柵方向：90°。

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追光ing ??? 1年前

帖子 VirtualLab之基于分布式計(jì)算的AR光波導(dǎo)中測(cè)試圖像的仿真

入射耦合周期：380 nm；光柵脊寬度：190 nm；高度：100 nm；光柵方向：0°。 2. 出瞳擴(kuò)展周期：268.7 nm；光柵脊寬度：198~215 nm；高度：50 nm；光柵方向：45°。3. 出射耦合周期：380 nm；光柵脊寬度：200~300 nm；高度：124 nm；光柵方向：90°。

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追光ing ??? 1年前

問答 ABAQUS復(fù)合材料后屈曲分析，加了初始缺陷后通過RIKS分析，結(jié)果引入的初始缺陷不成功？

建模類似懸臂梁的圓柱殼結(jié)構(gòu)先進(jìn)行線性屈曲分析并保存fil文件，然后修改分析步和inp文件添加缺陷并計(jì)算，計(jì)算結(jié)果表示缺陷沒有引入成功，想問問問題出在了哪里e8e9b619b71287e2d48efe563e2743b.png17ce1751dab1d3d40fe558d27dc32aa.png38ee244b6186e919bc338b190bd9690.pnga069793e505eee847e51ef4afbde933

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米山???? ??? 3年前

6.1 干涉儀模擬仿真 190 6.1.1 使用相干光的馬赫-澤德干涉儀 190 6.1.2 白光邁克爾遜干涉儀 202 6.1.3 F-P干涉儀 220 6.2 顯微鏡模擬仿真 228 6.2.1 高數(shù)值孔徑顯微鏡模擬仿真及研究 228 6.3 單色儀和光譜儀模擬仿真 239 6.3.1 切爾尼-特納單色儀—衍射效率分析

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信光嗎 ??? 1月前

好書推薦｜VirtualLab Fusion入門與進(jìn)階實(shí)用教程（第二版）

帖子 RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT在電動(dòng)車控制器上的應(yīng)用

MOS管：1、36V電池會(huì)選用60V耐壓的MOS：RS60N130G、RS60N200T；2、48V電池會(huì)選用85V耐壓的MOS：RS85N140T、RS85N140S、RS85N150T、RS85N150S；3、64V電池會(huì)選用100V耐壓的MOS：RS100N135HT、RS100N135HS、RS100N125G；4、72V電池會(huì)選用100V耐壓的MOS：RS100N190T

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瑞森半導(dǎo)體 ??? 3年前