光刻膠的案例
A股光刻膠飆漲背后：僅一家可供應(yīng)高端光刻膠
5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電大漲9.72%，雅克科技大漲9.93%，強力新材、上海新陽、彤程新材等跟漲。
圖源：同花順財經(jīng)
光刻膠板塊的大漲吸引了產(chǎn)業(yè)注意 ，國產(chǎn)光刻膠再遇發(fā)展良機？
KrF光刻膠海外供應(yīng)告急
據(jù)了解，光刻膠板塊本輪異動的背后，是KrF光刻膠海外供應(yīng)告急。自日本福島2月份發(fā)生強震后，光刻膠市場一度傳出“因受地震影響，信越化學(xué)KrF光刻膠生產(chǎn)以及海外供貨受阻”的消息，但是時隔3個月，KrF光刻膠在中國大陸的供應(yīng)困境依然沒有緩解。
據(jù)集微網(wǎng)5月26日晚間報道，通過多方信源獲悉，由于日本信越化學(xué)KrF光刻膠產(chǎn)能不足等原因?qū)е轮袊箨懚嗉揖A廠KrF光刻膠供應(yīng)緊張，已通知部分更小規(guī)模晶圓廠停止供貨KrF光刻膠。
從KrF光刻膠的供需來看，當(dāng)前的中國大陸KrF光刻膠供應(yīng)告急不難理解。
在供應(yīng)方，中國大陸光刻膠嚴(yán)重依賴進(jìn)口，國產(chǎn)化率不足5%，就ArF 光刻膠供應(yīng)而言，當(dāng)前該市場由日本企業(yè)壟斷，頭部聚集效應(yīng)極為明顯。
展開 光刻膠｜JSR、SK海力士聯(lián)合研制DRAM EUV光刻膠
全球顯示及半導(dǎo)體光刻膠市場分析報告
第一章：顯示面板正型光刻膠市場分析
一、 顯示面板光刻膠材料介紹
1.顯示面板光刻膠材料分類介紹
2.液晶顯示面板用正型光刻膠介紹
3.液晶顯示面板用負(fù)型光刻膠介紹
4.OLED顯示面板用正型光刻膠介紹
二、 2016-2025全球顯示面板產(chǎn)能狀況及趨勢
1.2016-2025全球總體顯示面板產(chǎn)能狀況及預(yù)測
2.2016-2025全球TFT-LCD面板產(chǎn)能占比趨勢預(yù)測
3.2016-2025全球AMOLED面板產(chǎn)能占比趨勢預(yù)測
三、 2016-2025全球顯示面板用正型光刻膠市場現(xiàn)狀及趨勢
1.2016-2025全球顯示面板正型光刻膠市場容量及預(yù)測
2.2016-2025全球顯示面板正型光刻膠市場規(guī)模及預(yù)測
四、 2016-2025全球顯示面板用正型光刻膠市場現(xiàn)狀及趨勢
1.2016-2025中國顯示面板產(chǎn)能狀況及預(yù)測
2.2016-2025中國顯示面板正型光刻膠市場容量及預(yù)測
3.2016-2025中國顯示面板正型光刻膠市場規(guī)模及預(yù)測
4.2020年全球主要顯示面板正型光刻膠材料廠商名錄
5.2020年全球顯示面板正型光刻膠市場份額分析
第二章：半導(dǎo)體光刻膠市場分析
一、 半導(dǎo)體光刻膠材料分類介紹
二、 2016-2025全球晶圓產(chǎn)能狀況及預(yù)測
三、 2016-2025全球半導(dǎo)體光刻膠市場現(xiàn)狀及趨勢
1.2016-2025全球半導(dǎo)體正型光刻膠市場容量及預(yù)測
2.2016-2025全球半導(dǎo)體正型光刻膠市場規(guī)模及預(yù)測
3.2020年全球主要半導(dǎo)體光刻膠材料廠商名錄
4.2020年主要半導(dǎo)體G/I線光刻膠材料廠商市場分析
5.2020年主要半導(dǎo)體KrF線光刻膠材料廠商市場分析
6.2020
展開 光刻膠｜中國市場持續(xù)增長！光刻膠巨頭JSR積極擴大在華業(yè)務(wù)
目前整個半導(dǎo)體光刻膠里面，仍然是以KrF和ArF光刻膠為主。根據(jù)CINNO Research統(tǒng)計， 在全球市場中，ArF/ArFi光刻膠為最大采購金額的半導(dǎo)體用光刻膠產(chǎn)品，在2021年預(yù)計將占整體全球半導(dǎo)體光刻膠的過半采購額。
光刻膠的“新”應(yīng)用
光刻膠在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需要的相應(yīng)圖像。要想制造芯片（面板、PCB）等半導(dǎo)體元器件，除了我們常說的光刻機外，還需要光刻膠，它是半導(dǎo)體的關(guān)鍵一環(huán)。
光刻膠除了在傳統(tǒng)半導(dǎo)體顯影、腐蝕等工藝扮演重要角色外，其也開始在新的環(huán)節(jié)顯露出應(yīng)用前景。以無偏光片技術(shù)的應(yīng)用為例，光刻膠中的低溫OC和低溫BM便成為了關(guān)鍵。
目前無偏光片技術(shù)名為Pol-less結(jié)構(gòu)，也稱為COE結(jié)構(gòu)（Color filter On Encapsulation），當(dāng)中的關(guān)鍵則是取代偏光片的那一層彩膜（Color Filter）和像素間隙的黑矩陣（BM，Black Matrix），兩者屬于光刻膠材料中的低溫OC與低溫BM。
JSR（上海）技術(shù)總監(jiān)皇甫俊表示：“傳統(tǒng)情況下，OLED屏需要把偏光片粘合一起，正常情況下偏光片厚度有幾十微米，屏幕就會比較厚。因此可以利用低溫OC材料替代偏光片，實現(xiàn)COE的結(jié)構(gòu)，不但能夠降低厚度，而且也有不俗的反射率。”
此外皇甫俊也提到，目前無偏光片結(jié)構(gòu)AMOLED屏幕都是基于薄膜封裝，所以需要采用低溫光刻膠和低溫加工工藝，這要求相關(guān)的材料具備良好的低溫性能。無偏光片技術(shù)可以在相同的顯示亮度下，屏幕功耗更低；或者在相同的功耗下，屏幕亮度更亮。此外，相比偏光片能夠大幅降低屏幕的厚度，利于延長折疊屏的壽命，降低偏光片的使用成本。
展開 光刻膠 | 韓國實現(xiàn)OLED面板用光刻膠國產(chǎn)化，已出貨三星
1.2016-2025中國顯示面板產(chǎn)能狀況及預(yù)測
2.2016-2025中國顯示面板正型光刻膠市場容量及預(yù)測
3.2016-2025中國顯示面板正型光刻膠市場規(guī)模及預(yù)測
4.2020年全球主要顯示面板正型光刻膠材料廠商名錄
5.2020年全球顯示面板正型光刻膠市場份額分析
第二章：半導(dǎo)體光刻膠市場分析
一、 半導(dǎo)體光刻膠材料分類介紹
二、 2016-2025全球晶圓產(chǎn)能狀況及預(yù)測
三、 2016-2025全球半導(dǎo)體光刻膠市場現(xiàn)狀及趨勢
1.2016-2025全球半導(dǎo)體正型光刻膠市場容量及預(yù)測
2.2016-2025全球半導(dǎo)體正型光刻膠市場規(guī)模及預(yù)測
3.2020年全球主要半導(dǎo)體光刻膠材料廠商名錄
4.2020年主要半導(dǎo)體G/I線光刻膠材料廠商市場分析
5.2020年主要半導(dǎo)體KrF線光刻膠材料廠商市場分析
6.2020年主要半導(dǎo)體ArF/ArFi光刻膠材料廠商市場分析
第三章：正型光刻膠用光敏劑材料市場分析
一、 全球顯示面板光刻膠用光敏劑市場現(xiàn)狀及趨勢
展開 
半導(dǎo)體光刻膠解析和光刻工藝詳解！
光交聯(lián)型，即采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，其分子中的雙鍵被打開，并使鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而起到抗蝕作用，是一種典型的負(fù)性光刻膠。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可以分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示(LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)最先進(jìn)水平。
曝光波長是半導(dǎo)體光刻膠最常見的分類依據(jù)
依照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。光刻膠在不同曝光波長的情況下，適用的光刻極限分辨率也不盡相同，在加工方法一致時，波長越小加工分辨率更佳。因此，不同波長光源的光刻機需要搭配相應(yīng)波長的光刻膠進(jìn)去光刻。目前半導(dǎo)體光刻膠最常使用曝光波長分類，主要有 g 線、i 線、KrF、ArF 和最先進(jìn)的 EUV光刻膠，其中 DUV 光刻機分為干法和浸潤式，因此 ArF 光刻膠也對應(yīng)分為干法和浸潤式兩類。越先進(jìn)制程相應(yīng)需要使用越短曝光波長光刻膠，以達(dá)到特征尺寸微小化。
光刻是半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝，光刻膠通過曝光顯影實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移
芯片制造又稱晶圓制造，是通過物理、化學(xué)工藝步驟在晶圓表面形成器件，并生成金屬導(dǎo)線將器件相互連接形成集成電路的過程。晶圓制造可分為前道工藝線（FEOL）和后道工藝線（BEOL）工藝，前道工藝是在晶圓上形成晶體管和其他器件，而后道工藝是形成金屬線并在每層之前加上絕緣層。
展開 光刻膠 | 三星SDI欲打破日本壟斷！已著手開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，
經(jīng)確認(rèn)，三星
SDI已著手開發(fā)半導(dǎo)體
光刻膠（
PR）。
據(jù)分析，此舉一方面為了打破日本廠商的壟斷實現(xiàn)光刻膠的韓國國產(chǎn)化，另外從公司角度看，也可擺脫電子材料事業(yè)部的單一銷售結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)銷售多元化。
據(jù)韓媒Sedaily6月20日消息，三星SDI電子材料事業(yè)部最近向研究所入庫了用于開發(fā)PR的8英寸晶圓曝光及履帶設(shè)備。據(jù)悉，在三星SDI電子材料開發(fā)室室長金相均的帶領(lǐng)下，還進(jìn)行了PR研究部門的重整及力量強化。公司還通過公開招聘，聘請了利用光刻膠的的半導(dǎo)體曝光領(lǐng)域的專家。
三星SDI開發(fā)半導(dǎo)體光刻膠的舉措將對韓國半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化產(chǎn)生重大的影響。作為半導(dǎo)體工藝中必不可少的物質(zhì)，光刻膠一直被日本廠商所壟斷。光刻膠也是2019年日本政府對韓國出口管制時，被指定為出口限制清單之一。
當(dāng)時，日本僅限制出口尖端工藝用材料—極紫外線(EUV)光刻膠。但通用的ArF、KrF光刻膠卻被日本材料廠商獨食。比如，用于制造CMOS圖像傳感器的KrF光刻膠，日本富士公司占據(jù)大部分市場份額，技術(shù)領(lǐng)先。
自日本出口管制事件以來，日本TOK、美國杜邦等廠商為了實現(xiàn)光刻膠本地化生產(chǎn)，一直有推動供應(yīng)鏈重塑的行動。
展開 光刻膠｜總投資1.03億！國科天驥超高精細(xì)光刻膠項目試生產(chǎn)
光刻是大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路制備過程中最重要的工藝過程之一，而作為光刻工藝中使用的核心材料，超高精細(xì)光刻膠也成為了半導(dǎo)體工業(yè)中最關(guān)鍵的材料之一，是制約我國半導(dǎo)體工業(yè)健康發(fā)展的“卡脖子”材料。
面對我國對光刻膠快速增長的需求，國產(chǎn)高檔半導(dǎo)體光刻膠還處于空白狀況。
國科天驥（濱州）新材料有限責(zé)任公司的“超高精細(xì)光刻膠項目”將可以填補上述國內(nèi)空白。
半導(dǎo)體光刻膠具有廣闊的經(jīng)濟前景。
目前，國內(nèi)外光刻膠市場日益增長。
預(yù)計到2022年全球光刻膠市場規(guī)模將突破100億美元。
而隨著微電子制造業(yè)精細(xì)度不斷提升，高檔光刻膠的占比也將不斷增大。
國科天驥的“超高精細(xì)光刻膠項目”將為保障國家核心技術(shù)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略安全貢獻(xiàn)力量，同時也帶來顯著的社會效益和經(jīng)濟效益，將有利于光刻膠上下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，吸引更多高精尖、高技術(shù)企業(yè)來濱州投資。
儀式結(jié)束后，與會領(lǐng)導(dǎo)嘉賓參觀考察了國科天驥新材料有限責(zé)任公司、魏橋國科、渤海先進(jìn)技術(shù)研究院等處。
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展開 砥礪前行的國內(nèi)光刻膠
子公司彤程電子在上海化工區(qū)投資建設(shè)年產(chǎn)1千噸半導(dǎo)體光刻膠、1萬噸平板顯示用光刻膠、2萬噸配套試劑的生產(chǎn)線，預(yù)計2022年內(nèi)開始分批投產(chǎn)。
上海新陽：定增擬將8.15億元用于集成電路制造用高端光刻膠研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化項目，主要開發(fā)ArF干法光刻膠和面向3D NAND臺階刻蝕的KrF厚膜光刻膠。合肥工廠正建設(shè)半導(dǎo)體高端光刻膠系列產(chǎn)品年產(chǎn)能500噸。ArF干法光刻膠通過驗證后預(yù)計2022年年產(chǎn)能5000加侖（約合18.93噸）。
國產(chǎn)光刻膠上演“冰火兩重天”
8月16日，上海新陽在投資者互動平臺上表示，公司ArF干法光刻膠尚在認(rèn)證當(dāng)中。
彤程新材方面，根據(jù)彤程新材8月16日披露的半年報，北京科華半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)實現(xiàn)營業(yè)收入5647.83萬元，同比增長46.74%；半導(dǎo)體用g/i線光刻膠產(chǎn)品同比增長40.36%；KrF光刻膠產(chǎn)品同比增長94.51%，上半年新增包括KrF光刻膠、高檔i線光刻膠、化學(xué)放大型i線光刻膠在內(nèi)的10支產(chǎn)品獲得長江存儲、中芯北方、廣州粵芯、廈門士蘭集科等用戶訂單。
彤程新材表示，2021年下半年，公司將繼續(xù)推進(jìn)KrF光刻膠及高分辨I線光刻膠的客戶開發(fā)，積極布局14nm及以上工藝節(jié)點用KrF光刻膠產(chǎn)品，而上文也提及，彤程新材正擬投建的“ArF高端光刻膠研發(fā)平臺建設(shè)項目”。
而徐州博康方面，其官網(wǎng)介紹稱公司目前已成功開發(fā)出40+個中高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括多種電子束膠、ArF干法光刻膠、KrF正負(fù)型光刻膠、i線正負(fù)型光刻膠及GHI超厚負(fù)膠等，但未披露具體量產(chǎn)情況。
產(chǎn)線應(yīng)用遇冷？
綜合前文來看，目前國內(nèi)主流光刻膠企業(yè)已取得一定進(jìn)展，可實現(xiàn)量產(chǎn)g線/i線/KrF光刻膠，而ArF光刻膠仍主要處于認(rèn)證或研發(fā)階段。
展開 半導(dǎo)體光刻膠淺析
光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光、電子束、準(zhǔn)分子激光束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射，從而使光刻膠的溶解度發(fā)生變化。
按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運用到平板顯示的加工制造。最終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。
光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。
以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。
光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先進(jìn)的EUV(<13.5nm)線水平。
目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量最大的。
展開 揭秘中國光刻膠產(chǎn)業(yè)，國產(chǎn)水平到底如何？
在國家出臺相關(guān)利好政策的背景下，中國光刻膠制造商在光刻膠研發(fā)技術(shù)上積極性革新，當(dāng)前中國光刻膠的研發(fā)技術(shù)水平逐漸提高，在制造工藝技術(shù)和配方工藝領(lǐng)域積累了豐富經(jīng)驗，中國光刻膠行業(yè)正加速發(fā)展。未來，隨著中國光刻膠企業(yè)對光刻膠的研發(fā)投入持續(xù)上升，光刻膠企業(yè)的技術(shù)水平將不斷提高，中國有望打破國外企業(yè)在光刻膠市場的壟斷格局，國產(chǎn)光刻膠有望迎來發(fā)展新機遇
半導(dǎo)體材料簡介─光刻膠
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光刻是半導(dǎo)體前道制程中的關(guān)鍵工藝，光刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)的精度與其中所使用的設(shè)備-光刻機、材料-光刻膠緊密相關(guān)。
光刻原理
光刻膠在半導(dǎo)體制程中起到了圖形轉(zhuǎn)移的作用。光刻工藝中，在待刻蝕物質(zhì)的表面涂敷光刻膠，光刻膠經(jīng)曝光后，被曝光部分或者未曝光部分在顯影過程中被去除，從而得到所需要的圖形，在此基礎(chǔ)上對物質(zhì)進(jìn)行針對性的刻蝕，最后去除掉光刻膠。在實際工藝中，為達(dá)到更好的光刻效果，會在曝光前后以及顯影后對光刻膠進(jìn)行烘焙。
圖1. 光刻過程
資料來源：中微公司招股說明書
光刻膠分類
根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可分為半導(dǎo)體光刻膠、平板顯示光刻膠和PCB光刻膠，其技術(shù)壁壘依次降低。相應(yīng)地，PCB光刻膠是目前國產(chǎn)替代進(jìn)度最快的，顯示光刻膠替代進(jìn)度相對較快，半導(dǎo)體光刻膠目前國產(chǎn)技術(shù)較國外先進(jìn)技術(shù)差距最大。
PCB光刻膠用于印刷線路板的圖案化工藝，主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠、阻焊油墨。干膜光刻膠是由配置好的液態(tài)光刻膠均勻涂抹在載體PET薄膜上，經(jīng)過烘干、冷卻后，蓋上PE薄膜，收卷而成的薄膜光刻膠。在使用時，將干膜光刻膠壓在覆銅板上，經(jīng)過曝光顯影將電路圖轉(zhuǎn)移到光刻膠上。通過后續(xù)對覆銅板刻蝕加工，形成PCB上的線路，主要用于75-100μm制程。濕膜光刻膠又稱為感光線路油墨，分為抗電鍍油墨和抗刻蝕油墨，與干膜工序相似，材料成本比干膜要低，但是加工設(shè)備成本較高，主要用于25-75μm制程。阻焊油墨用于在線路上形成永久的絕緣保護層，防止在焊錫過程中的短路，保證PCB在運輸、存放、使用時安全性。進(jìn)一步可以細(xì)分為UV固化阻焊油墨和液態(tài)感光阻焊油墨。前者用在對精度要求不高的PCB上，附著力較差；感光阻焊油墨則精密度較高。
展開 光刻膠解析和發(fā)展困境
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
據(jù)第三方機構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計近90億美元，自 2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長，至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結(jié)構(gòu)較為均衡，具體占比可以如下圖所示。
（全球光刻膠市場結(jié)構(gòu)）
數(shù)據(jù)還顯示，受益于半導(dǎo)體、顯示面板、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢，自 2011年至今，光刻膠中國本土供應(yīng)規(guī)模年增長率達(dá)到11%，高于全球平均 5%的增速。2019年中國光刻膠市場本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元，全球占比約 10%，發(fā)展空間巨大。目前，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。中國本土光刻膠企業(yè)生產(chǎn)結(jié)構(gòu)可以如圖所示。
展開 三巨頭決戰(zhàn)EUV光刻膠
一種解決方案是使用更多的機器并從光源上入手，然而EUV光刻機機器極其昂貴，每臺約 1.5 億美元，而且ASML 的產(chǎn)量非常有限。至于增加光源功率，也相當(dāng)非常困難，ASML 的功率增加路線圖遠(yuǎn)不及 EUV 層在新節(jié)點上增加的速度。
除了更少的光子暴露在光刻膠上之外，EUV 光刻膠也吸收更少的光子。這主要因為光刻膠溶液是光酸產(chǎn)生劑、粘合促進(jìn)劑和穩(wěn)定劑的極其精確的混合物。那就意味著如果在過程中出現(xiàn)差錯，會是一個代價高昂的錯誤。2019 年，臺積電的 Fab 14B 光刻膠出現(xiàn)問題，最終給他們帶來高達(dá)5.5 億美元的損失。使用 EUV 光刻膠，這種平衡行為更加難以控制，因為特定的混合物會導(dǎo)致吸收更少。對 EUV 的需求以及 1-2 次更少光子和更少吸收的需求相結(jié)合，為經(jīng)典光刻膠行業(yè)提供了一個成熟的機會。這就吸引廠商進(jìn)入干燥抗蝕劑（dry resist）市場。
Lam Research 正試圖成為當(dāng)中的攪局者。他們將使用化學(xué)氣相沉積工藝在金屬光刻膠上分層，而不是使用旋涂機的濕式光刻膠（wet photoresist ）技術(shù)。Lam Research聲稱干式光刻膠技術(shù)（dryresist ）與濕式光刻膠相比具有多項優(yōu)勢。由于是一種密集沉積的金屬（metal），它不會與許多其他化學(xué)物質(zhì)混合。這允許金屬光刻膠僅作為吸收劑。回到吞吐量，這意味著每個晶圓通過和功率降低了 2 倍。每臺 EUV 工具吞吐量幾乎翻倍，這將大大降低成本。
靈敏度并不是唯一的優(yōu)勢。Lam 的干式光刻膠也是采用干法開發(fā)的。在濕顯影中，光刻膠用水或酸洗滌。當(dāng)光刻膠由于毛細(xì)作用力溶解掉時，圖案化的線條和其他特征可能會坍塌。
展開 淺析 光刻膠到底難在哪里？
一、光刻膠行業(yè)概覽
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
簡而言之，光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率，而光刻工藝又是精密電子元器件制造的關(guān)鍵流程，這使得光刻膠在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)，都有著至關(guān)重要的地位。
光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈中，上游原材料主要包括；中游為各類型的光刻膠，主要分為PCB光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠；下游為應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠主要用來制造印刷電路板、平板顯示屏、半導(dǎo)體等。
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院
從生產(chǎn)原料來看
，光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分構(gòu)成的對光敏感的混合液體。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體及其他助劑等。具體如下圖所示：
資料來源：中商產(chǎn)業(yè)研究院整理
從成本來看
，生產(chǎn)光刻膠的原料包括光刻膠樹脂、單體、光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）及其他助劑等。數(shù)據(jù)顯示，樹脂占光刻膠總成本的50%，在光刻膠各成分中占比最大，其次是占35%的單體和占15%的光引發(fā)劑及其他助劑。
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