01/簡介

光刻成像理論的演進與物鏡NA發展緊密耦合。半導體工藝早期，光刻系統以低數值孔徑（NA<1）為特征，光的傳播與成像可通過標量光刻成像理論精準描述，其核心是將光場視為標量、忽略偏振特性，該簡化在低NA場景下誤差極小且能降低模型復雜度，為早期光刻技術產業化奠定理論基礎。

此階段技術研發圍繞“標量計算光刻成像RET”展開，基于瑞利-索末菲衍射模型等標量模型，結合光源優化、OPC等逆向算法，通過調整光源強度、修正掩模邊緣等補償光學鄰近效應，實現關鍵尺寸（CD）精準控制，例如90nm-45nm節點中，標量計算光刻通過添加SRAF拓寬工藝窗口，滿足當時芯片制造需求。

隨著工藝進入28nm及以下節點，為突破衍射極限，光刻系統采用高數值孔徑（NA>1）浸沒式設計，通過填充高折射率（n≈1.44）液體將有效NA提升至1.35以上。此時光的偏振特性影響不可忽略，高NA下光場在物鏡邊緣傳播方向與光軸夾角增大，不同偏振態光的衍射效率和傳播特性存在差異，標量理論“忽略偏振”的假設會導致成像誤差劇增，無法滿足CD均勻性要求，這一瓶頸直接推動光刻成像理論從“標量”向“矢量”范式轉換，矢量光刻成像理論隨之產生。

02/矢量成像模型

二維矢量光刻成像模型聚焦平面圖形的高保真成像，主要應用于邏輯芯片的二維關鍵圖形（如柵極、接觸孔陣列）。它在局部坐標系和全局坐標系下分別構建理論框架，局部坐標系以單個圖形單元為原點，可簡化局部光場計算，實現單個圖形 CD 均勻性與邊緣精度的精細優化；全局坐標系以整個曝光視場為基準，能分析全視場偏振像差的空間分布差異，實現全視場二維圖形成像均勻性的全局優化。

三維嚴格矢量光刻成像模型主要針對3D集成電路（如3DNAND、3DIC堆疊）的三維圖形，需解決立體結構對光場傳播與偏振態的調制問題。局部坐標系以三維圖形的深度方向為Z軸，重點分析深度方向的偏振光能量分布與光刻膠顯影速率的關聯；全局坐標系將三維圖形的堆疊結構納入全視場分析，考慮“視場位置-深度方向”的耦合效應，可實現3D圖形全視場、全深度的高保真成像。

成像模型對比：

03/成像分析

針對零波像差雙遠心、零波像差非雙遠心、存在波像差三種情況，對比二維與三維矢量成像模型的成像性能：

零波像差雙遠心：二者成像性能完全相同。

零波像差非雙遠心、存在波像差：二者成像性能存在差異，三維矢量成像模型更具優勢

二維矢量成像模型與三維矢量成像模型仿真零像差非遠心物鏡成像結果

二維和三維矢量成像模型仿真結果的差異

在成像物鏡為存在像差的非理想系統時，三維矢量成像模型較二維矢量成像模型預測成像特性更精確。

04/先進技術與未來發展方向

二維矢量光刻成像模型在局部與全局坐標系下持續突破，局部聚焦單圖形CD精度優化，全局實現全視場偏振像差均衡；三維模型則攻克立體結構光場耦合難題，局部提升深度方向CD均勻性，全局保障全視場三維圖形一致性。未來，二者將向AI加速計算、多物理場耦合分析及全鏈路自適應優化方向發展，為先進制程與3D集成電路光刻提供更精準高效的理論支撐。