功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2026-01-04
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的視頻教程
半導(dǎo)體器件的功率循環(huán)及熱可靠性測(cè)試
本視頻介紹了半導(dǎo)體器件的功率循環(huán)及熱可靠性測(cè)試流程。 第一步：將待測(cè)器件與POWERTESTER連接，輸入相關(guān)參數(shù)，校準(zhǔn)K系數(shù)（溫度敏感因子） 第二步：通過(guò)測(cè)試平臺(tái)內(nèi)置的觸摸屏電腦，設(shè)置待測(cè)器件的循環(huán)策略，啟動(dòng)設(shè)備，進(jìn)行全自動(dòng)熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測(cè)試 第三步：數(shù)據(jù)分析（支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出，進(jìn)行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等）
免費(fèi) 8分鐘 74播放
查看
多導(dǎo)體系統(tǒng)及功率器件寄生參數(shù)計(jì)算與電路分析應(yīng)用
多導(dǎo)體系統(tǒng)及功率器件寄生參數(shù)計(jì)算與電路分析應(yīng)用會(huì)議包括 1.基于SimLab PE的導(dǎo)體阻抗參數(shù)計(jì)算； 2.基于PSIM的功率器件電路建模與分析應(yīng)用。點(diǎn)擊參會(huì)
免費(fèi) 1小時(shí)17分鐘 7播放
查看
Ansys Lumerical光子集成電路PIC 有源器件的設(shè)計(jì)與仿真
Ansys Lumerical 為設(shè)計(jì)人員提供高性能光子模擬軟體，提供專門用于光子器件、電路和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的模擬環(huán)境。針對(duì)PIC的應(yīng)用，Lumerical提供包括光子有源器件，無(wú)源器件及circuit芯片級(jí)的完整解決方案。 本次培訓(xùn)將以PIC有源器件設(shè)計(jì)作為范例，針對(duì)Multiphysics產(chǎn)品作深入淺出的介紹 - 從演算法到實(shí)際范例演示，包括完整軟件的操作、分析及設(shè)計(jì)流程。
免費(fèi) 1小時(shí)56分鐘 250播放
查看
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的實(shí)例教程
而美國(guó)半導(dǎo)體巨頭安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor）也將以車載半導(dǎo)體為中心，擴(kuò)充功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
中國(guó)的比亞迪也在日前表示，明年會(huì)將其IGBT的產(chǎn)能從現(xiàn)在的5萬(wàn)片提升到十萬(wàn)片左右。
順便說(shuō)一下，IGBT的歷史并不是很久遠(yuǎn)。1990年左右進(jìn)入市場(chǎng)，最初并未成為人們的話題。登場(chǎng)的契機(jī)居然是因?yàn)橛迷诹素S田的混合動(dòng)力車--“PRIUS-普銳斯”上，自那以后，開(kāi)始逐漸推廣用于汽車上。
SiC功率器件以電動(dòng)車為中心，擴(kuò)展用途
以IGBT為“主角”功率半導(dǎo)體市場(chǎng)很活躍，SiC功率半導(dǎo)體也相當(dāng)備受矚目。Band gap（禁帶寬度）比硅（1.12）高3.26，熱傳導(dǎo)率也比硅（1.5）高4.9。在周波特性方面也很突出，在對(duì)應(yīng)高電壓方面也實(shí)現(xiàn)了1,200V以上。可以說(shuō)，對(duì)于高電壓、高電流應(yīng)用方面是最合適的功率器件。
據(jù)中村先生說(shuō)，“羅姆公司在本田的Clarity（一款氫燃料電池電動(dòng)車）上搭載了SiC功率器件，它是世界首次用Full SiC驅(qū)動(dòng)的燃料電池車，由于具有高溫條件下動(dòng)作和低損耗特點(diǎn)，可以縮小用于冷卻的散熱片，通過(guò)高頻切換也實(shí)現(xiàn)了電抗器的小型化。為此，擴(kuò)大了內(nèi)部空間，豐田的燃料電池車MIRAI可以坐4個(gè)人，本田的Clarity實(shí)現(xiàn)了5人座”。
SiC功率器件的目標(biāo)市場(chǎng)是EV、混合動(dòng)力車、燃料電池車等電動(dòng)車。最近也開(kāi)始用于功率調(diào)節(jié)器（power conditioner）、工業(yè)機(jī)器的電源等方面。成本方面相當(dāng)具有優(yōu)越性。也開(kāi)始搭載在鐵道上，JR的新干線N700系列等已經(jīng)使用，但是只采用了三菱電機(jī)公司的Full SiC。富士電機(jī)、日立制作所、東芝等公司還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)Full。
德國(guó)英飛凌同樣是SiC市場(chǎng)一個(gè)重磅玩家。
展開(kāi) 瑞森半導(dǎo)體于2018年開(kāi)始與中國(guó)家喻戶曉的品牌九陽(yáng)股份合作，并成為九陽(yáng)在功率半導(dǎo)體器件上的長(zhǎng)期合作伙伴。在合作期間，瑞森半導(dǎo)體始終堅(jiān)持“首件確認(rèn)，始終如一”的產(chǎn)品理念，得到九陽(yáng)股份的高度認(rèn)可與信任。
九陽(yáng)Z2-Vmini榨汁機(jī)開(kāi)箱展示
九陽(yáng)Z2-Vmini榨汁機(jī)內(nèi)含有主機(jī)、推料棒、螺桿、擠汁器、支架、果渣桶、接汁杯 、USB充電線及產(chǎn)品使用說(shuō)明書等。
產(chǎn)品采用便攜式設(shè)計(jì)，體積迷你，為原汁機(jī)的3分之一。拿在手上的直觀感受，小巧而精致。
頂部面板有電量顯示，剩余電量一目了然，開(kāi)關(guān)按鍵同樣位于頂部，通過(guò)開(kāi)關(guān)按鍵可以控制原汁機(jī)的開(kāi)/關(guān)機(jī)和正/反方向，雙擊即可啟動(dòng)。這里的正反方向控制，可以更好地將原汁機(jī)縫隙里的果肉碾壓出果汁。
這款產(chǎn)品通過(guò)USB口為其充電，充電口附有橡膠塞，使用防水結(jié)構(gòu)，4小時(shí)即可充滿，充電不受使用場(chǎng)景的限制，如手機(jī)插頭、車載充電以及充電寶均可。
展開(kāi) 因此，功率半導(dǎo)體行業(yè)下游的市場(chǎng)需求和國(guó)內(nèi)對(duì)高性能功率器件的需求均具有廣闊的市場(chǎng)空間。
芯導(dǎo)科技的主體產(chǎn)品包括功率器件和功率IC功率器件和功率IC，在功率器件方面，芯導(dǎo)科技會(huì)在目前功率器件產(chǎn)品的基礎(chǔ)上進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)與升級(jí)，開(kāi)發(fā)一系列大功率高性能的TVS產(chǎn)品、超低導(dǎo)通阻抗、超低柵極電荷的MOSFET以及超低VF的肖特基二極管，擴(kuò)展現(xiàn)有產(chǎn)品系列、加強(qiáng)對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品的更新迭代。
在功率IC方面，通過(guò)加大投入，可以促進(jìn)高性能數(shù)模混合電源管理芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)和積累，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，并豐富產(chǎn)品系列以滿足消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)電源管理芯片產(chǎn)品的需求。多年專注于功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與銷售，令其在消費(fèi)電子領(lǐng)域的功率IC領(lǐng)域有一定的技術(shù)儲(chǔ)備和客戶的資源。按照芯導(dǎo)科技方面的規(guī)劃，未來(lái)其會(huì)把功率IC技術(shù)的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化緊密結(jié)合，加大對(duì)高性能功率IC技術(shù)更深入的開(kāi)發(fā)和研究。
根據(jù)招股書方面信息顯示，高性能分立功率器件開(kāi)發(fā)和升級(jí)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，能夠?qū)崿F(xiàn)大功率高性能的TVS產(chǎn)品年銷量增加654.15百萬(wàn)顆、超低導(dǎo)通阻抗、超低柵極電荷的MOSFET產(chǎn)品年銷量增加285.10百萬(wàn)顆以及超低VF的肖特基二極管年銷量增加593.96百萬(wàn)顆。
高性能數(shù)模混合電源管理芯片開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)每年新增銷售高性能數(shù)模混合電源管理芯片426.36百萬(wàn)顆，提升芯導(dǎo)科技在功率IC領(lǐng)域的市場(chǎng)份額，優(yōu)化整體收入結(jié)構(gòu)。
上述兩個(gè)項(xiàng)目落址均為上海張江高科科技園區(qū)內(nèi)，項(xiàng)目建設(shè)時(shí)間均為3年。
抓緊第三代半導(dǎo)體材料機(jī)遇
芯導(dǎo)科技的募資項(xiàng)目里面，值得關(guān)注的會(huì)是硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。通過(guò)該項(xiàng)目，其可以滿足產(chǎn)業(yè)內(nèi)未來(lái)第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用導(dǎo)致對(duì)功率器件性能提升的需求，能夠?yàn)楫a(chǎn)業(yè)內(nèi)的相關(guān)新技術(shù)和新材料的創(chuàng)新突破進(jìn)行前瞻性的布局。
展開(kāi) 成立伊始，公司就聚焦于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，產(chǎn)品涵蓋了全電壓段的MOSFET,IGBT, DIODES, POWER IC以及寬禁帶(SiC,GaN)功率器件，并提供整體的Power Management Solutions。
20. 達(dá)新半導(dǎo)體
達(dá)新半導(dǎo)體有限公司成立于2013年，是以海歸博士為主創(chuàng)立的一家中外合資的高科技公司，公司主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計(jì)、制造和銷售，并提供相關(guān)的應(yīng)用解決方案。
華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
原位 | DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.230136
摘要：半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝 形式。當(dāng)前功率器件的設(shè)計(jì)和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化、多功能化 和體積緊湊化的發(fā)展趨勢(shì)。為實(shí)現(xiàn)封裝器件低電感設(shè)計(jì)，器件封裝結(jié)構(gòu)更加緊湊，而芯片電壓等級(jí)和封裝模塊的功率密度持續(xù)提高，給封裝絕緣和器件散熱帶來(lái)挑戰(zhàn)。在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問(wèn)題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)的散熱方面，針對(duì)功率半導(dǎo)體器件在散熱路徑方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行歸納總結(jié)。通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外 功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的綜述，梳理了功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過(guò)程中在散熱方面的考慮及封裝散熱特點(diǎn)，并根據(jù)功率器 件散熱特點(diǎn)對(duì)功率器件封裝結(jié)構(gòu)類型進(jìn)行了分類。最后，基于降低封裝結(jié)構(gòu)散熱熱阻、提高器件散熱能力的目的，從高導(dǎo)熱封裝材料和連接工藝、芯片面接觸連接、增加散熱路徑 以及縮短散熱路程四個(gè)方面對(duì)功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在散熱方面未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。
展開(kāi) 
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的相關(guān)專題、標(biāo)簽、搜索
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的最新內(nèi)容
LED驅(qū)動(dòng)集成電路（LED Driver IC）是一種專為發(fā)光二極管（LED）提供?穩(wěn)定電流?并實(shí)現(xiàn)高效、安全驅(qū)動(dòng)的專用集成電路。其核心工作原理基于將輸入電源（交流或直流）轉(zhuǎn)換為適合LED工作的?恒流輸出?，以確保亮度穩(wěn)定、延長(zhǎng)壽命并避免熱失控。
恒流驅(qū)動(dòng)必要性?：LED的正向電壓-電流（V/I）特性非常陡峭，且具有?負(fù)溫度系數(shù)?（溫度升高時(shí)導(dǎo)通電壓下降）。若采用恒壓驅(qū)動(dòng)，微小的電壓波動(dòng)會(huì)導(dǎo)致電流大幅變化
本文原刊登于Ansys.com：《Simulation Enables SiC Module Designs at STMicroelectronics》
作者： Christophe Bianchi | Ansys首席技術(shù)專家
編輯整理：張偉偉 | Ansys 高級(jí)應(yīng)用工程師
“我們?cè)贛echanical中完成了這一分析，它是一款值得信賴的求解器，對(duì)于我們?cè)陂_(kāi)發(fā)過(guò)程中了解SiC MOSFET
2026深圳國(guó)際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會(huì)
2026 Shenzhen International Semiconductor and Electronic Components Exhibition
地點(diǎn)：深圳國(guó)際會(huì)展中心
時(shí)間：2026年10月27-29日
主辦單位：
深圳市電子商會(huì)
勵(lì)展博覽集團(tuán)
展會(huì)介紹：
深圳國(guó)際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會(huì)由深圳市電子商會(huì)及勵(lì)展博覽集團(tuán)聯(lián)合打造
車輛NVH、振動(dòng)噪聲控制在車輛車身開(kāi)發(fā)、動(dòng)力系統(tǒng)、暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)等領(lǐng)域的有重要應(yīng)用。聲學(xué)分析需要考慮聲固耦合或聲輻射技術(shù)，因?yàn)樯婕暗絻?nèi)場(chǎng)的聲固耦合分析或外聲場(chǎng)的輻射聲功率計(jì)算，雖然封閉聲場(chǎng)可以基于模態(tài)法減少計(jì)算時(shí)間，外聲場(chǎng)可以采用格林法或聲傳遞函數(shù)等方法減少計(jì)算時(shí)間，但是，聲學(xué)網(wǎng)格分網(wǎng)、聲固耦合計(jì)算還是要花費(fèi)更長(zhǎng)的計(jì)算時(shí)間，造成企業(yè)需要更大的硬件資源和更長(zhǎng)開(kāi)發(fā)周期。
在車輛開(kāi)發(fā)前期的動(dòng)力系統(tǒng)開(kāi)發(fā)或車身開(kāi)發(fā)中
深圳國(guó)際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會(huì)由深圳市電子商會(huì)主辦，專注于集中展示從元件到系統(tǒng)、從設(shè)計(jì)到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈新產(chǎn)品：半導(dǎo)體、分立器件、功率器件和模塊、開(kāi)關(guān)及連接技術(shù)、電阻、電容、電感、繼電器、變壓器、電路保護(hù)等、顯示、嵌入式系統(tǒng)、汽車電子、PCB領(lǐng)域的前沿技術(shù)、新產(chǎn)品和行業(yè)應(yīng)用解決方案。
深圳國(guó)際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會(huì)已連續(xù)在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安）舉行五屆，展會(huì)融合了七個(gè)電子領(lǐng)域?qū)I(yè)展會(huì)
2025大賽優(yōu)秀作品 | 基于多物理場(chǎng)仿真技術(shù)的高速動(dòng)車用功率器件主端子連接結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與評(píng)價(jià)4個(gè)月前
“Ansys 2025 全球仿真大會(huì)”仿真應(yīng)用大賽優(yōu)秀作品展示
本屆仿真應(yīng)用大賽最終評(píng)選出 30 篇 TOP 優(yōu)秀作品，分別榮獲一、二、三等獎(jiǎng)及行業(yè)最佳實(shí)踐獎(jiǎng)。近 200 位來(lái)自汽車、半導(dǎo)體、高科技、能源等行業(yè)的仿真精英參賽，他們以前沿思維與創(chuàng)新實(shí)踐，充分展現(xiàn)了仿真技術(shù)的無(wú)限潛能。我們將陸續(xù)為大家分享獲獎(jiǎng)佳作，帶您一同領(lǐng)略仿真賦能創(chuàng)新的非凡力量，希望用戶能從中汲取靈感
展會(huì)時(shí)間：2026年5月20日-22日
展會(huì)地點(diǎn)：武漢·中國(guó)光谷科技會(huì)展中心
預(yù)計(jì)30000㎡+展出面積；30000名+專業(yè)觀眾；400家+領(lǐng)先展商
同期舉辦：中國(guó)（武漢）數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
在國(guó)家大力推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)逐漸形成了以北京為核心的京津翼地區(qū)、以上海為核心的長(zhǎng)三角地區(qū)、以深圳為核心的珠三角地區(qū)、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為核心的中西部地區(qū)四大產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)
Ansys Lumerical作為業(yè)界領(lǐng)先的光子學(xué)解決方案，擁有完善的Component Level及Circuit Level仿真能力。FDTD被譽(yù)為微納光子器件仿真的黃金標(biāo)準(zhǔn)；MODE是面向平面光波導(dǎo)類器件開(kāi)發(fā)的瑞士軍刀；CHARGE求解載流子的漂移擴(kuò)散方程和泊松方程，能夠精確模擬半導(dǎo)體器件中的電學(xué)特性；HEAT則專注于器件熱效應(yīng)的分析，能夠準(zhǔn)確計(jì)算電致發(fā)熱或光吸收引起的溫升；INTERCONNECT
JCMSuite應(yīng)用-高功率半導(dǎo)體激光器8個(gè)月前
在本教程項(xiàng)目中，我們研究了加熱對(duì)實(shí)際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會(huì)引起材料折射率的變化。這當(dāng)然會(huì)影響波導(dǎo)模式的形狀和傳播常數(shù)。通常加熱會(huì)增加折射率，從而導(dǎo)致模式的橫向壓縮.
下圖是我們分析的超大型光波導(dǎo)激光器的截面：
二極管激光器由一個(gè)pn-結(jié)組成。用于激光模式的橫向波導(dǎo)是由蝕刻在結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設(shè)置的
JCMSuite應(yīng)用-高功率半導(dǎo)體激光器8個(gè)月前
在本教程項(xiàng)目中，我們研究了加熱對(duì)實(shí)際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會(huì)引起材料折射率的變化。這當(dāng)然會(huì)影響波導(dǎo)模式的形狀和傳播常數(shù)。通常加熱會(huì)增加折射率，從而導(dǎo)致模式的橫向壓縮.
下圖是我們分析的超大型光波導(dǎo)激光器的截面：
二極管激光器由一個(gè)pn-結(jié)組成。用于激光模式的橫向波導(dǎo)是由蝕刻在結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設(shè)置的
