英飛凌采訪：第三代半導(dǎo)體與硅器件將長期共存
在功率器件的工藝上第三代半導(dǎo)體帶來了哪些改變？至少在可見的將來，第三代半導(dǎo)體不會完全取代第一代半導(dǎo)體。因?yàn)閺男詢r比的角度來說，在非常寬的應(yīng)用范圍中，硅基半導(dǎo)體目前依然是不二之選。第三代半導(dǎo)體目前在商業(yè)化上的瓶頸就是成本很高，雖然在迅速下降，但依然遠(yuǎn)高于硅基半導(dǎo)體。
2302 1
電子產(chǎn)品世界 ??? 3年前
2026深圳國際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會 
，專注于集中展示從元件到系統(tǒng)、從設(shè)計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈新產(chǎn)品：半導(dǎo)體、分立器件、功率器件和模塊、開關(guān)及連接技術(shù)、電阻、電容、電感、繼電器、變壓器、電路保護(hù)等、顯示、嵌入式系統(tǒng)、汽車電子、PCB領(lǐng)域的前沿技術(shù)、新產(chǎn)品和行業(yè)應(yīng)用解決方案。
1764
用戶_33840 ??? 4月前
2026深圳國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展覽會,深圳國際電子元器件展覽會 
深圳國際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會由深圳市電子商會主辦，專注于集中展示從元件到系統(tǒng)、從設(shè)計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈新產(chǎn)品：半導(dǎo)體、分立器件、功率器件和模塊、開關(guān)及連接技術(shù)、電阻、電容、電感、繼電器、變壓器、電路保護(hù)等、顯示、嵌入式系統(tǒng)、汽車電子、PCB領(lǐng)域的前沿技術(shù)、新產(chǎn)品和行業(yè)應(yīng)用解決方案。
1219
數(shù)字中國產(chǎn)業(yè)展會 ??? 4月前
高效預(yù)測半導(dǎo)體器件使用壽命 
電力電子元器件已經(jīng)成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中重要的組成部件，同時，元器件的熱性能將大大影響整體設(shè)備的可靠性。庭田科技提供的POWERTESTER測試平臺，在不破壞待測器件的前提下，僅需三步，即可高效安全的測試IGBT、硅和碳化硅MOSFET、二極管等半導(dǎo)體器件的使用壽命及熱可靠性。
2175
上海庭田信息科技有限公司 ??? 3年前
探索熱阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景
隨著半導(dǎo)體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展，器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高，導(dǎo)致性能及長期可靠性降低。為了有效進(jìn)行散熱設(shè)計和性能檢測，必須精確測量器件有源區(qū)溫度變化并分析熱阻構(gòu)成分布，這對半導(dǎo)體器件生產(chǎn)行業(yè)及使用單位至關(guān)重要。 自1947年第一支雙極性晶體管誕生以來，半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展改變了社會面貌并影響著人們的生活。
2570
庭田-Olivia ??? 2年前
探索熱阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景 
探索熱阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景 隨著半導(dǎo)體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展，器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高，導(dǎo)致性能及長期可靠性降低。為了有效進(jìn)行散熱設(shè)計和性能檢測，必須精確測量器件有源區(qū)溫度變化并分析熱阻構(gòu)成分布，這對半導(dǎo)體器件生產(chǎn)行業(yè)及使用單位至關(guān)重要。 自1947年第一支雙極性晶體管誕生以來，半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展改變了社會面貌并影響著人們的生活。
2247
仿真Rock ??? 2年前
拆解報告 ：瑞森半導(dǎo)體功率器件在九陽Z2-Vmini 榨汁機(jī)上的應(yīng)用 
瑞森半導(dǎo)體于2018年開始與中國家喻戶曉的品牌九陽股份合作，并成為九陽在功率半導(dǎo)體器件上的長期合作伙伴。
2032
瑞森半導(dǎo)體 ??? 3年前
COMSOL半導(dǎo)體器件如何3D建模？
求問MOSFET、IGBT這些半導(dǎo)體功率器件的參雜區(qū)域劃分以及參雜濃度等數(shù)據(jù)可以從哪里獲取
2151
用戶_95051 ??? 7月前
半導(dǎo)體器件的功率循環(huán)及熱可靠性測試 
本視頻介紹了半導(dǎo)體器件的功率循環(huán)及熱可靠性測試流程。第一步：將待測器件與POWERTESTER連接，輸入相關(guān)參數(shù)，校準(zhǔn)K系數(shù)（溫度敏感因子）第二步：通過測試平臺內(nèi)置的觸摸屏電腦，設(shè)置待測器件的循環(huán)策略，啟動設(shè)備，進(jìn)行全自動熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測試第三步：數(shù)據(jù)分析（支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出，進(jìn)行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等）
727
上海庭田信息科技有限公司 ??? 3年前
一文了解金剛石半導(dǎo)體 
--應(yīng)用領(lǐng)域-- 作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，金剛石集力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、耐蝕等優(yōu)異性能于一身，是目前最有發(fā)展前途的第三代半導(dǎo)體材料之一，在高溫大功率電力電子器件、微波功率器件、深紫外光和高能粒子探測器、深紫外發(fā)光器件、單光子光源、生物和化學(xué)傳感器、微機(jī)電（MEMS）和納機(jī)電（NEMS）器件、自旋電子學(xué)等眾多領(lǐng)域有著極大的應(yīng)用潛力。
4728
第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 3年前
深度解析：第三代半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵技術(shù)、產(chǎn)業(yè)集群、發(fā)展趨勢與展望等！ 
自研650V GaN HEMT器件，導(dǎo)通電阻 70mΩ，電流40A，達(dá)到國際商用器件Navitas NV6128芯片技術(shù)水平；自研100V GaN HEMT器件，導(dǎo)通電阻21mΩ，電流45A ，與國際商用器件EPC 2051器件性能相當(dāng)。2）松山湖材料實(shí)驗(yàn)室：松山湖材料實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體材料與器件團(tuán)隊涵蓋了從上游薄膜材料外延、中游芯片設(shè)計制備、到下游器件模組封裝等全部產(chǎn)業(yè)鏈研究布局。
3869
芯電路芯資訊 ??? 3年前
第三代半導(dǎo)體技術(shù)競爭白熱化！碳化硅(SiC)的前世今生！ 
增速方面，第三代半導(dǎo)體在功率器件的增速和體量都要大于微波射頻。微波領(lǐng)域在2020年已經(jīng)達(dá)到頂峰，因?yàn)?G建設(shè)的放緩，今年可能會有所下滑。故此推測，第三代半導(dǎo)體真正的應(yīng)用領(lǐng)域還是在功率器件或者電力電子器件，市場滲透主要包括新能源汽車和光伏逆變器。
2402
材料科學(xué)與工程技術(shù) ??? 3年前
大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展 
摘要：介紹了現(xiàn)代硅基大功率半導(dǎo)體器件的歷史演變和新型器件結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展，以及寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的現(xiàn)狀；闡述了國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展和應(yīng)用現(xiàn)狀；最后討論了大功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢。
2884
平頭叔 ??? 4年前
SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇成功舉辦 
北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司市場部部長王永維在報告中講到碳化硅電力電子器件需求及技術(shù)挑戰(zhàn)的三項(xiàng)共同目標(biāo)，要更好的保護(hù)柵極，提高柵氧可靠性；提高器件電流密度，縮減芯片面積，降低成本；提高SiC MOSFET性能。同時指出目前SiC器件已經(jīng)具備規(guī)模在新能源汽車中使用的條件。
2237
第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 3年前
一文了解大功率半導(dǎo)體技術(shù)歷史進(jìn)程與現(xiàn)狀 
摘要：介紹了現(xiàn)代硅基大功率半導(dǎo)體器件的歷史演變和新型器件結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展，以及寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的現(xiàn)狀；闡述了國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展和應(yīng)用現(xiàn)狀；最后討論了大功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢。
4010
電子元器件超市 ??? 4年前
半導(dǎo)體所等在高質(zhì)量半導(dǎo)體-超導(dǎo)納米線研究方面取得系列進(jìn)展 
Lett. 128 (2022) 076803上，清華大學(xué)物理系博士后張珊、中科院物理所研究生王志川以及半導(dǎo)體所研究員潘東為共同第一作者，清華大學(xué)張浩副教授、半導(dǎo)體所趙建華研究員以及清華大學(xué)物理系劉東副教授為共同通訊作者。 圖4. (a) 包含耗散電阻的器件示意圖。(b)四種情況下器件電導(dǎo)隨溫度變化的普適標(biāo)度關(guān)系。(c)包含耗散（上）和不含耗散（下）的器件掃描電鏡圖。
2317
第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 3年前
“國產(chǎn)芯片”瑞森半導(dǎo)體（REASUNOS）將亮相2023慕尼黑上海電子展 
瑞森半導(dǎo)體本次展會主打三條產(chǎn)品線，硅基功率器件，碳化硅基功率器件以及功率IC ，其中硅基功率器件包括平面高壓MOS，超結(jié)MOS，Trench低壓MOS和SGT低壓MOS, 產(chǎn)品涵蓋20V-1500V全耐壓段，可以滿足各種不同應(yīng)用場景；以平面高壓MOS為例，目前國內(nèi)產(chǎn)品在技術(shù)指標(biāo)上存在的問題主要是高溫（150℃）漏電大以及電磁輻射EMI難解決；產(chǎn)品質(zhì)量上存在的問題主要是老化考核后產(chǎn)品擊穿電壓（BV）跌落
2082
瑞森半導(dǎo)體 ??? 2年前
第三代半導(dǎo)體材料：國產(chǎn)替代核心賽道 
大陸第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)業(yè)鏈分布圖：資料來源：材料深一度, 方正證券氮化鎵（GaN）GaN作為一種寬禁帶材料，和硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，能夠在更高壓、更高頻、更高溫度的環(huán)境下運(yùn)行。與SiC相比，GaN在成本方面表現(xiàn)出更強(qiáng)的潛力，且GaN器件是個平面器件，比現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，這使其更容易與其他半導(dǎo)體器件集成。
2221
平頭叔 ??? 3年前
【電子元器件知識】- 常見的電子元器件有哪些 
電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機(jī)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專用材料、電子膠（帶）制品、電子化學(xué)材料及部品等。
2509
MISUMI米 ??? 3年前
Matlab在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用計算特點(diǎn)與計算設(shè)備硬件配置推薦 
在半導(dǎo)體方面，MATLAB可以使用多個工具箱來進(jìn)行半導(dǎo)體器件設(shè)計、分析和模擬。下面是MATLAB在半導(dǎo)體方面常用的工具箱和相關(guān)計算任務(wù)的概述： NO 工具箱 主要功能 1 Simulink Simulink可以用于建立和仿真半導(dǎo)體器件的動態(tài)模型，如晶體管、二極管、集成電路等。
2182
UltraLAB ??? 2年前
20條/頁 
40 跳至頁
技術(shù)鄰APP
工程師必備
工程師必備
- 項(xiàng)目客服
- 培訓(xùn)客服
- 平臺客服
TOP
