寬禁帶半導體技術
關注創建者：匿名 創建時間：2026-01-04
寬禁帶半導體技術的實例教程
電子電力的下一輪革命已經到來，在SiC和GaN這種有前途的寬禁帶半導體材料的助力下，電力電子的未來也將是高效。
電源管理IC采用的是1um 600V HVIC 高壓浮柵工藝，整個系統電源采用CS-CP PPFC+ LLC (電流源電荷泵 +串聯諧振)技術，是國內唯一 一家可以單級方案做到400W以上的大功率并涵蓋高PF、低THD、無頻閃、高效率等優勢的產品系列，其中效率超過94%，PF（功率因數）大于0.96，THD（總諧波失真）在5%以內，頻閃系數<0.03（遠遠優于國標1.15的標準），產品可廣泛應用于教育照明、家居照明、商業照明、學生書房燈、戶外路燈、植物照明、投光燈、景觀照明、體育場館等。
瑞森半導體核心研發第三代寬禁帶半導體技術，研發人員占比40%，具備強大的自主研發能力 。并與湖南大學半導體學院（集成電路學院）深度合作，進行第三代半導體技術的創新研發突破。未來，產品體系發展及完善速度將會加快步伐，將就更高耐壓、更大電流，模塊化等方向以及GaN HEMTs 的驅動芯片投入研發。
瑞森半導體服務全球半導體行業市場16年，產品性能、穩定性、一致性均得到市場的認可，本次展會現場除了產品展示外，瑞森半導體功率器件FAE總監及驅動方案研發總監也將坐鎮展會現場，專業解答各類技術問題。更有電源網、芯查查等專訪，同時展會活動現場還有各類福利，誠邀全球客戶觀展。
關于瑞森半導體 （REASUNOS）
瑞森半導體（REASUNOS）起步于2007年，是一家專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的國家級高新技術企業， 致力于為全球客戶提供功率半導體整體解決方案。
公司專注于高質、高性能的產品研發，核心研發第三代寬禁帶半導體技術，是國內碳化硅（SiC）產品系列較早實現量產并全球銷售的企業。品質、性能對標國際品牌，成功替代眾多進口系列，助力芯片國產化。
展開 王俊教授近十年主要從事功率半導體器件及其在電力電子系統中應用的研究，研制了世界首個碳化硅ETO晶閘管，在國際高水平刊物和會議上已發表論文七十余篇，獲2項美國發明專利和1項日本發明專利，5項中國專利。主要研究方向包括：1）硅基功率MOSFET和IGBT的研究，碳化硅（SiC）功率器件的研究，3）氮化鎵（GaN）器件的研究，4)電力電子器件的智能驅動，5）高功率密度變換器的研究。近年來，主持參與了國家自然科學基金面上項目、國家“863”項目和企業橫向合作項目等。
來源：寬禁帶半導體技術創新聯盟
相似之處
兩者相似的地方在于它們都屬于寬禁帶半導體的成員 —— 在固態物理學中，禁帶寬度是指從半導體或絕緣體的價帶頂端到傳導帶底端的能量差距。如果用最白話的方式說明，代表著一個能量的差距，意即讓一個半導體"從絕緣到導電所需的最低能量"。
第一、二代半導體的硅與砷化鎵屬于低帶隙材料，數值分別為1.12eV(電子伏特)和1.43eV，第三代(寬帶隙)半導體的帶隙，SiC和GaN分別達到3.2eV、3.4eV。
寬禁帶半導體內部電阻非常低，制成的元件與同類硅元件比較，效率可提升70%。低電阻可讓半導體運作時的產生的熱量降低，達到更高的功率與密度，寬禁帶半導體關斷時間極短，能夠在非常高的開關頻率下運作。
不同之處
SiC和GaN雖然經常將它們相提并論，但實際上，他們之間有一些重要的區別。
展開 報告主題：超寬禁帶半導體的挑戰與機遇
報告作者：Sandia NL、UWBG Working Group、Ultra EFRC
NY CREATES Emerging Technologies Seminar Bob Kaplar, Sandia National Labs
報告內容包含：（具體內容詳見下方全部報告內容）
超寬禁帶半導體的應用
超寬禁帶半導體屬性
Sandia AlGaN 器件：
? 電力電子
? 射頻
? 高閾邏輯
? 光電
報告詳細內容
? 第 1 代：Ge 和 Si
? 第 2 代：常規 III-Vs – 砷化物、磷化物、銻化物
? 第 3 代：寬禁帶——SiC、GaN、InGaN
? 第 4 代：超寬禁帶 –AlxGa1-xN、(AlxGa1-x)2O3、金剛石、c-BN 等
01
超寬禁帶半導體的應用
# 軍事應用
在 SWaP 受限的環境中需要更高程度的電氣化和功率
# 超高電壓應用
脈沖功率、長距離傳輸
使用UWBG半導體可能實現100kV的開關!
展開 
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寬禁帶半導體技術的最新內容
展會時間：2026年5月20日-22日
展會地點：武漢·中國光谷科技會展中心
預計30000㎡+展出面積；30000名+專業觀眾；400家+領先展商
同期舉辦：中國（武漢）數字經濟產業博覽會
在國家大力推動下，國內集成電路產業逐漸形成了以北京為核心的京津翼地區、以上海為核心的長三角地區、以深圳為核心的珠三角地區、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為核心的中西部地區四大產業聚集區
武漢電子展 | 2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC），5月引領半導體行業新變革
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2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）：為中西部電子信息產業發展賦能
在2025年5月15日至17日，武漢將迎來一場備受矚目的行業盛會——2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）。這場展會不僅是中西部地區電子信息產業的一次集中展示，更是全球半導體與電子技術交流合作的重要平臺。
【行業背景與發展趨勢】
隨著中國產業轉型升級的大趨勢和中西部地區加速開放
聚焦OVC 2025 武漢半導體與電子技術展，開啟未來科技新紀元
在2025年5月15日至17日，武漢將迎來一場科技界的盛會——2025 武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）。這場展會不僅是中西部地區領先的半導體與電子技術盛會，更是一個專業的半導體/電子設計、研發與制造技術展。
【展會概覽】
2025 武漢國際半導體產業與電子技術博覽會
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APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、
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