寬禁帶半導體技術的案例
寬禁帶半導體材料的現在與未來
電子電力的下一輪革命已經到來，在SiC和GaN這種有前途的寬禁帶半導體材料的助力下，電力電子的未來也將是高效。
“國產芯片”瑞森半導體（REASUNOS）將亮相2023慕尼黑上海電子展
電源管理IC采用的是1um 600V HVIC 高壓浮柵工藝，整個系統電源采用CS-CP PPFC+ LLC (電流源電荷泵 +串聯諧振)技術，是國內唯一 一家可以單級方案做到400W以上的大功率并涵蓋高PF、低THD、無頻閃、高效率等優勢的產品系列，其中效率超過94%，PF（功率因數）大于0.96，THD（總諧波失真）在5%以內，頻閃系數<0.03（遠遠優于國標1.15的標準），產品可廣泛應用于教育照明、家居照明、商業照明、學生書房燈、戶外路燈、植物照明、投光燈、景觀照明、體育場館等。
瑞森半導體核心研發第三代寬禁帶半導體技術，研發人員占比40%，具備強大的自主研發能力 。并與湖南大學半導體學院（集成電路學院）深度合作，進行第三代半導體技術的創新研發突破。未來，產品體系發展及完善速度將會加快步伐，將就更高耐壓、更大電流，模塊化等方向以及GaN HEMTs 的驅動芯片投入研發。
瑞森半導體服務全球半導體行業市場16年，產品性能、穩定性、一致性均得到市場的認可，本次展會現場除了產品展示外，瑞森半導體功率器件FAE總監及驅動方案研發總監也將坐鎮展會現場，專業解答各類技術問題。更有電源網、芯查查等專訪，同時展會活動現場還有各類福利，誠邀全球客戶觀展。
關于瑞森半導體 （REASUNOS）
瑞森半導體（REASUNOS）起步于2007年，是一家專注于功率半導體器件及功率IC的研發、設計、銷售的國家級高新技術企業， 致力于為全球客戶提供功率半導體整體解決方案。
公司專注于高質、高性能的產品研發，核心研發第三代寬禁帶半導體技術，是國內碳化硅（SiC）產品系列較早實現量產并全球銷售的企業。品質、性能對標國際品牌，成功替代眾多進口系列，助力芯片國產化。
展開 高溫SiC器件的特性及發展
王俊教授近十年主要從事功率半導體器件及其在電力電子系統中應用的研究，研制了世界首個碳化硅ETO晶閘管，在國際高水平刊物和會議上已發表論文七十余篇，獲2項美國發明專利和1項日本發明專利，5項中國專利。主要研究方向包括：1）硅基功率MOSFET和IGBT的研究，碳化硅（SiC）功率器件的研究，3）氮化鎵（GaN）器件的研究，4)電力電子器件的智能驅動，5）高功率密度變換器的研究。近年來，主持參與了國家自然科學基金面上項目、國家“863”項目和企業橫向合作項目等。
來源：寬禁帶半導體技術創新聯盟
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來？
相似之處
兩者相似的地方在于它們都屬于寬禁帶半導體的成員 —— 在固態物理學中，禁帶寬度是指從半導體或絕緣體的價帶頂端到傳導帶底端的能量差距。如果用最白話的方式說明，代表著一個能量的差距，意即讓一個半導體"從絕緣到導電所需的最低能量"。
第一、二代半導體的硅與砷化鎵屬于低帶隙材料，數值分別為1.12eV(電子伏特)和1.43eV，第三代(寬帶隙)半導體的帶隙，SiC和GaN分別達到3.2eV、3.4eV。
寬禁帶半導體內部電阻非常低，制成的元件與同類硅元件比較，效率可提升70%。低電阻可讓半導體運作時的產生的熱量降低，達到更高的功率與密度，寬禁帶半導體關斷時間極短，能夠在非常高的開關頻率下運作。
不同之處
SiC和GaN雖然經常將它們相提并論，但實際上，他們之間有一些重要的區別。
展開 
超寬禁帶半導體的挑戰與機遇
報告主題：超寬禁帶半導體的挑戰與機遇
報告作者：Sandia NL、UWBG Working Group、Ultra EFRC
NY CREATES Emerging Technologies Seminar Bob Kaplar, Sandia National Labs
報告內容包含：（具體內容詳見下方全部報告內容）
超寬禁帶半導體的應用
超寬禁帶半導體屬性
Sandia AlGaN 器件：
? 電力電子
? 射頻
? 高閾邏輯
? 光電
報告詳細內容
? 第 1 代：Ge 和 Si
? 第 2 代：常規 III-Vs – 砷化物、磷化物、銻化物
? 第 3 代：寬禁帶——SiC、GaN、InGaN
? 第 4 代：超寬禁帶 –AlxGa1-xN、(AlxGa1-x)2O3、金剛石、c-BN 等
01
超寬禁帶半導體的應用
# 軍事應用
在 SWaP 受限的環境中需要更高程度的電氣化和功率
# 超高電壓應用
脈沖功率、長距離傳輸
使用UWBG半導體可能實現100kV的開關!
展開 4分鐘，做個碳化硅芯片通！
以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料給未來帶來無限可能！而這，就是科創中心先進半導體研究院聚焦的領域。
研究院立足產學研一體化，從寬禁帶半導體材料技術出發，研究下一代高性能寬禁帶半導體功率和射頻芯片技術，突破寬禁帶半導體材料生長、寬禁帶芯片工藝、先進封裝和應用的技術瓶頸，打破該領域大尺寸晶圓和高端芯片被外國壟斷的局面，力爭實現我國寬禁帶半導體材料與器件技術的自主可控、安全高效發展！
來源：電氣小青年
圖片視頻來源：先進半導體研究院
展開 國內外10家主流企業電驅動技術發展趨勢
電機方面的NVH技術、熱管理、效率區間優化、高性能材料的技術在進步。在控制器方面，有新一代IGBT芯片、新型IGBT封裝與驅動、多變流器集成、電磁兼容、功能安全、健康管理以及下一代寬禁帶半導體技術等方面。
以芯片技術為例。目前下一代的IGBT開關器件技術采用精細溝槽，在開關損耗不增加的情況下，可以大大提高電流密度。
而下一代寬禁帶半導體碳化硅芯片技術，碳化硅的特點非常明顯，但要開發出高可靠、大電流的芯片，還有很多技術需要解決，如非平衡態碳化硅柵氧生長技術、溝槽刻蝕工藝等等工藝技術，這樣才能開發出高可靠、大電流的芯片。
中車株洲現有電驅動產品主要是二合一，包括電機電控二合一，電機和減速箱二合一，也有電機、電控、減速箱三合一，三合一將是終極目標。
Protean
輪轂電機基本上是高度集成的模塊，整車廠可以非常便捷的用模塊形式去集成輪轂電機，開發成本方面可以減少，制造過程中跟供應商管理。
輪轂電機一旦實現經濟規模，會跟其他的驅動系統在成本上形成競爭力。
ProteanElectric設計、開發和生產高度集成的輪轂電機驅動系統。Protean的輪轂電機技術集合封裝優勢、整車設計自由、高功率高扭矩性能優勢和成本優勢，對混合動力和純電動汽車市場起到戰略性作用。
輪轂電機在NVH上有非常好的表現。輪轂電機是高度集成的一個設備，將電控器，逆變器，都集成在一塊，使用輪轂電機沒有差速器齒輪的需要，所以可以省卻不少噪音。
展開 2026 武漢半導體技術博覽會（OVC）︱聚焦半導體晶圓制造裝備、零部件、材料、先進封裝、IC設計、第三代半導體等重點領域
組委會將嚴格篩選演講嘉賓和演講主題，以技術為主，配合適量的品牌宣傳，以確保技術論壇介紹世界范圍內最先進的、最前沿的半導體技術，為廣大半導體行業人士奉送一場“美味佳肴”。
?中國半導體設備供應鏈發展論壇
?功率半導體IGBT/SiC 產業論壇
?化合物半導體技術與應用發展論壇
?AI加速半導體材料創新發展論壇
?功率mosfet-Si硅/SiC碳化硅|半導體功率器件技術論壇
?碳化硅襯底材料生長與加工技術創新發展論壇
?第三代半導體材料制造與裝備技術高峰論壇
?半導體器件性能開發與測試技術論壇
※ 展會優勢
展會舉辦地背景：2023年，湖北省電子信息產業實現主營業務收入8209億元，同比增長兩成，其中電子信息制造業主營業務收入為5101億元。根據今日發布的《湖北省突破性發展光電子信息產業三年行動方案（2022―2024年）》，到2024年，全省以光電子信息為特色的電子信息產業規模力爭突破萬億元，進一步鞏固和提升在全國“獨樹一幟”的領先地位，為打造具有全球影響力的世界級光電子信息產業集群奠定堅實基礎；推進集成電路、光通信、激光、新型顯示和智能終端等領域重點突破，帶動軟件和信息技術服務業、新一代信息通信等相關領域發展。
● 集成電路領域，依托武漢新芯、高德紅外、光迅科技等龍頭企業，以及江城實驗室等創新平臺，打造特色集成電路產業集群。
● 光通信領域，依托中國信科、長飛、華工科技、華為武研所等龍頭企業，以及國家信息光電子創新中心、武漢光電國家研究中心、光谷實驗室等創新平臺，進一步鞏固湖北光通信產業全國領先地位，打造世界一流的光通信產業高地。
● 激光領域，依托華工激光、銳科激光、帝爾激光等龍頭企業，建設國內領先、具備全球競爭力的激光產業基地。
展開 氮化鎵半導體材料研究與應用現狀
作為第 3代半導體材料的典型 代 表，氮 化 鎵（GaN）在 1928年 由Johason等人首次成功制備，在一個大氣壓下，其晶體一般呈六方纖鋅礦結構，其化學性質穩定，具有寬帶隙(3.39eV )、高擊穿電壓(3×106V/cm )、高電子遷移率(25℃，1000cm2/V·s)、高異質結面電荷密度(1×1013cm-2)等諸多良好的電化學特性，相對于第 1代半導體材料Si和第2代半導體材料砷化鎵（GaAs）器件而言，GaN器件可以在更高頻率、更高功率、更高溫度的情況下工作，因而被認為是制備高溫、高頻、大功率器件的首選材料之一。當前，Si基半導體產業正面臨投資回報率遞減，GaN憑借其優異性能，有望促進半導體行業新的增長。
基于GaN的重要戰略意義，世界 各 國 相 繼 出 臺 措 施，推 進 其 材料 的 研 究 與 應 用。美 國 早 在 20世紀 80年 代 已 經 開 始 部 署 第 3代 半導 體 相 關 的 研 發 與 應 用，21世 紀初，美 國 國 防 部 先 進 項 目 研 究 局（DAR PA）先 后 啟 動 了“寬 禁 帶 半導 體 技 術 計 劃”（Wi d e B a n d g a pS e m i c o n d u c t o r T e c h n o l o g y Initiative，WBGSTI）和“氮化物電子下一代技術計劃”（Nitride Electronic NeX t-Genera tion TechnologyProgram，NEXT），旨在布局毫米波GaN射頻器件和提升GaN器件制造工藝，積極推動GaN寬禁帶半導體技術的發展。
美國的一系列戰略部署引發了全球范圍內的激烈競爭，歐洲、日本、韓國等也相繼開展了相關研究。
展開 手機 | 傳小米MIX 4確認采用屏下攝像頭技術！全面屏實現四邊等寬
公司創辦八年來，始終圍繞泛半導體產業鏈，在多維度為企業、政府、投資者提供權威而專業的咨詢服務，包括但不限于產業資訊、市場咨詢、盡職調查、項目可研、管理咨詢、投融資等方面，覆蓋企業成長周期各階段核心利益訴求點，在顯示、半導體、消費電子、智能制造及關鍵零組件等細分領域，積累了數百家大陸、臺灣、日本、韓國、歐美等高科技核心優質企業客戶。
武漢電子展 | 2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC），5月引領半導體行業新變革
2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）已成為半導體及電子技術產業協同發展的重要平臺，加速技術創新與產業升級。展會不僅加速了技術創新與產業升級，也為產業鏈上下游企業的緊密合作搭建了重要的橋梁，推動武漢半導體及電子元器件產業的發展，為全球半導體產業注入新的活力。
2025武漢國際半導體產業與電子技術博覽會（OVC）注定將成為一次推動全球半導體產業轉型升級的重要盛會。從技術創新到商業合作，從產業鏈協同到跨界融合，這場展會為行業提供了無限可能。屆時，無論您是行業專家、企業高管，還是技術愛好者，都將收獲技術與思想的雙重盛宴。讓我們相約武漢，共同見證這一科技盛會，探索半導體產業的無盡可能。2025年5月15日-17日在武漢·中國光谷科技會展中心，期待您的參與！
展開 
助力汽車半導體產業發展，2025 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會與您相約“羊城”廣州
隨著半導體技術的升級與發展，功率半導體已經成為推動新能源汽車和智能汽車產業升級的關鍵因素。汽車不再只是單純的交通工具，而是逐漸演變為一個智能移動空間，集成了多種先進技術和功能。特別是在新能源汽車領域，功率半導體在提升能源效率和車輛性能方面起到了至關重要的作用。
在全球新能源車市場快速擴張的背景下，中國市場表現尤為突出。隨著國家政策的大力支持和市場需求的不斷增長，國內半導體企業迎來了前所未有的發展機遇。然而，功率半導體行業也面臨著激烈的市場競爭和技術更新的挑戰。車企需要在保障產品性能和可靠性的同時，不斷推動技術創新，以應對市場變化和需求升級。
為推動新能源汽車半導體產業發展，2025年11月20日至22日，亞洲領先的車用功率半導體技術專業展，將在廣州保利世貿博覽館盛大召開。隸屬于AUTO TECH 展系列的AUTO TECH 2025 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會，展品覆蓋車用功率器件IGBT/MOSFET、SiC、GaN、基礎功率器件、材料、封裝測試、生產設備、散熱管理等技術產品，組委會將邀請比亞迪、廣汽埃安、特斯拉、豐田、小鵬、理想、小米、極氪、長城、上汽、本田、日產、大眾、寶馬、蔚來、華為、匯川技術、寧德時代、博世、英飛凌、電裝、瑞薩、安森美、意法半導體等汽車OEM廠商及Tier1 & 2 零部件供應商的上萬名采購、技術工程師匯聚一堂，參加展會以尋求供應商及合作伙伴。同期還將舉辦2025中國新能源汽車功率半導體產業技術論壇，為廣大汽車行業人士奉送一場“美味佳肴”。誠邀廣大同仁共同探索新能源汽車功率半導體產業前沿技術發展，您豈能錯過！
AUTO TECH 2025 華南展——誠邀您與行業同仁一道共迎汽車人的行業盛會，奏響汽車產業新篇章。
展開 從光刻技術發展看半導體技術路線
從1947年第一個晶體管問世算起，半導體技術一直在迅猛發展，現在它仍保持著強勁的發展態勢，繼續遵循摩爾定律指明的方向前進，大尺寸、細線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產，正在對半導體產業鏈帶來前所未有的挑戰。
集成電路在制造過程中經歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、摻雜、化學機械拋光等多個工序，其中尤以光刻工藝最為關鍵，決定著制造工藝的先進程度。隨著集成電路由微米級向鈉米級發展，光刻采用的光波波長也從近紫外（NUV）區間的436nm、365nm波長進入到深紫外（DUV）區間的248nm、193nm波長。目前大部分芯片制造工藝采用了248nm和193nm光刻技術。目前對于13.5nm波長的EUV極端遠紫外光刻技術研究也在提速前進。
可以說，隨著芯片集成度的提高，對光刻技術提出了越來越高的要求，而光刻技術的演進，在某種程度上也反映了半導體技術的發展路線。上世紀中葉，IEEE電子和電子工程師協會設立了ITRS組織，該組織每年都會發布一份半導體領域中技術路線圖——ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）。但在2017年，IEEE停止更新ITRS，并將其重新重命名為IRDS，他們認為這樣可以更全面地反應各種系統級新技術。
展開 從光刻技術發展看半導體技術路線
來源：
天天IC
從1947年第一個晶體管問世算起，半導體技術一直在迅猛發展，現在它仍保持著強勁的發展態勢，繼續遵循摩爾定律指明的方向前進，大尺寸、細線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產，正在對半導體產業鏈帶來前所未有的挑戰。
集成電路在制造過程中經歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、摻雜、化學機械拋光等多個工序，其中尤以光刻工藝最為關鍵，決定著制造工藝的先進程度。隨著集成電路由微米級向鈉米級發展，光刻采用的光波波長也從近紫外（NUV）區間的436nm、365nm波長進入到深紫外（DUV）區間的248nm、193nm波長。目前大部分芯片制造工藝采用了248nm和193nm光刻技術。目前對于13.5nm波長的EUV極端遠紫外光刻技術研究也在提速前進。
可以說，隨著芯片集成度的提高，對光刻技術提出了越來越高的要求，而光刻技術的演進，在某種程度上也反映了半導體技術的發展路線。上世紀中葉，IEEE電子和電子工程師協會設立了ITRS組織，該組織每年都會發布一份半導體領域中技術路線圖——ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）。但在2017年，IEEE停止更新ITRS，并將其重新重命名為IRDS，他們認為這樣可以更全面地反應各種系統級新技術。
展開 聚焦功率半導體產業︱APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展將在廣州盛大召開
2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會，以“聚焦前沿技術突破，賦能產業創新融合”為主題。將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館盛大召開！
APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品，致力于先進半導體器件、封裝測試、工藝流程、創新應用及產業鏈間的合作，為上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。展會期間還將舉辦一系列技術論壇，展示全球產業動態及未來技術趨勢。
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