高溫SiC器件的特性及發(fā)展
瀏覽：2392 收藏：1
湖南大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師，IEEE高級(jí)會(huì)員。王俊教授近十年主要從事功率半導(dǎo)體器件及其在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用的研究，研制了世界首個(gè)碳化硅ETO晶閘管，在國際高水平刊物和會(huì)議上已發(fā)表論文七十余篇，獲2項(xiàng)美國發(fā)明專利和1項(xiàng)日本發(fā)明專利，5項(xiàng)中國專利。主要研究方向包括：1）硅基功率MOSFET和IGBT的研究，碳化硅（SiC）功率器件的研究，3）氮化鎵（GaN）器件的研究，4)電力電子器件的智能驅(qū)動(dòng)，5）高功率密度變換器的研究。近年來，主持參與了國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、國家“863”項(xiàng)目和企業(yè)橫向合作項(xiàng)目等。
來源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
技術(shù)鄰APP
工程師必備
工程師必備
- 項(xiàng)目客服
- 培訓(xùn)客服
- 平臺(tái)客服
TOP
1
