多芯片封裝模塊
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時間：2025-11-11
多芯片封裝模塊的實例教程
目前壓縮成型模塊支持芯片壓縮成型、嵌入式芯片級封裝(EWLP)、非流動性底部填膠（NFU）和非導(dǎo)電熔膠（NCP）四種類型，并分析壓縮力對于堆棧式芯片及基板上的影響。而此制程方式主要優(yōu)點是可以批量生產(chǎn)芯片和降低成本。
挑戰(zhàn)
如何降低接合高度、翹曲、與晶粒偏移
測試與實際封裝價格昂貴
高填充物濃度增加會影響?zhàn)ざ扰c流動行為
Moldex3D 解決方案
可視化壓縮成型覆晶封裝的充填行為
可評估壓縮成型過程中預(yù)填料受到壓縮的變化
可支持金線偏移與粒子追蹤模擬分析
可預(yù)測粉末濃度分布
可視化預(yù)估芯片偏移和剪切應(yīng)力分布
應(yīng)用產(chǎn)業(yè)
IC Packaging芯片封裝產(chǎn)業(yè)
Moldex3D建議產(chǎn)品
Moldex3D Advanced Package
展開 為滿足這些日益增長的需求，ANSYS和TSMC正通力合作，以改進并交付支持TSMC晶圓級集成型InFO封裝技術(shù)的、最綜合全面的設(shè)計解決方案套件。
通過ANSYS和TSMC的合作，ANSYS解決方案現(xiàn)在能夠?qū)崿F(xiàn)各種多晶片分析，包括抽取、功率和可靠性、信號和電源完整性、熱以及電磁干擾等。該設(shè)計實現(xiàn)方案讓移動和物聯(lián)網(wǎng)制造商能夠充分利用ANSYS經(jīng)過全面驗證的集成型電路和封裝級解決方案，從而打造更纖薄、更低成本、更高可靠性的尖端移動和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。
ANSYS總經(jīng)理John Lee指出：“我們與TSMC的合作，有助于在市場上推出面向InFO封裝技術(shù)的、經(jīng)過驗證的綜合電源信號完整性和可靠性解決方案。ANSYS的同類最佳工程仿真解決方案幫助我們的共同客戶積極創(chuàng)新，在移動和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域超越芯片向封裝和系統(tǒng)級設(shè)計發(fā)展。”
TSMC基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計市場營銷部門高級總監(jiān)Suk Lee指出：“通過雙方的緊密合作，我們能夠充分滿足InFO技術(shù)領(lǐng)域的可靠性和電源完整性設(shè)計要求。此次實現(xiàn)的ANSYS解決方案能夠幫助客戶在整個芯片、封裝和系統(tǒng)上分析并設(shè)計可靠的供電網(wǎng)絡(luò)。”
關(guān)于ANSYS, Inc.
作為全球工程仿真領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，ANSYS在眾多產(chǎn)品的創(chuàng)造過程中都扮演著至關(guān)重要的角色。無論是火箭發(fā)射、飛機翱翔長空、汽車高速馳騁、電腦和移動設(shè)備的便捷使用、橋梁虹跨江河還是可穿戴產(chǎn)品的貼心使用，ANSYS技術(shù)都盡顯卓越。我們幫助全球最具創(chuàng)新性的企業(yè)推出投其客戶所好的出色產(chǎn)品，通過業(yè)界性能最佳、最豐富的工程仿真軟件產(chǎn)品組合幫助客戶解決最復(fù)雜的仿真難題，我們讓工程產(chǎn)品充分發(fā)揮想象的力量。歡迎與我們?nèi)?5個戰(zhàn)略部門的近3000名專業(yè)人士合作，共同在工程仿真和產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域彰顯非凡！
展開 隨著 CoWos、2.5D/3D 集成等先進封裝技術(shù)的快速發(fā)展，Multi-Die設(shè)計已成為業(yè)界的核心解決方案。但異構(gòu)芯片集成與復(fù)雜互連架構(gòu)，催生了電源完整性（PI）、信號完整性（SI）、熱學(xué)、力學(xué)應(yīng)力等多物理場的強耦合效應(yīng)，傳統(tǒng)單物理域仿真方法已難以滿足多芯片系統(tǒng)驗證的精度與效率要求。隨著新思科技完成對Ansys的整合，其提供的多物理場芯片-封裝-系統(tǒng)（CPS）仿真技術(shù)，可實現(xiàn)Multi-Die設(shè)計的跨域協(xié)同分析，完成電，熱，結(jié)構(gòu)的聯(lián)合仿真。
新思科技芯課程將在年后迎來第五講，也是首期系列課程的收官之作：「Multi-Die設(shè)計中的芯片-封裝-系統(tǒng)協(xié)同多物理場分析」，探討如何基于高精度芯片模型，幫助用戶優(yōu)化多芯片設(shè)計的SIPI/熱/機械可靠性性能。歡迎大家報名參會，也可前往觀看往期課程點播內(nèi)容：
Multi-Die設(shè)計：引爆系統(tǒng)創(chuàng)新的下一場革命
UCle加速高性能Multi-Die設(shè)計
加速創(chuàng)新：異構(gòu)多芯片系統(tǒng)中的數(shù)字設(shè)計實現(xiàn)
業(yè)界領(lǐng)先的新思科技Multi-Die簽核解決方案
2/27 Multi-Die設(shè)計中的芯片-封裝-系統(tǒng)協(xié)同多物理場分析（正在報名中）
時間：2 月27日（星期五），14:00–15:00
地點：線上直播
講師簡介：
褚正浩 | 新思科技EBU ACE總監(jiān)
現(xiàn)任新思科技中國電磁產(chǎn)品技術(shù)支持總監(jiān)，專注為客戶規(guī)劃電磁產(chǎn)品，構(gòu)建芯片＋封裝+系統(tǒng)協(xié)同仿真方案及能力。加入新思科技前，任職于 Cadence 北方區(qū)技術(shù)支持，負責(zé)信號完整性、電源完整性及電磁兼容的技術(shù)支持與能力建設(shè)。
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技術(shù)鄰簡介：
技術(shù)鄰專注于工科技術(shù)社區(qū)，從最早的CAE技術(shù)社區(qū)（中國CAE聯(lián)盟）發(fā)展而來，在CAE領(lǐng)域有20年的教學(xué)和咨詢服務(wù)經(jīng)驗。
展開 隨著 CoWos、2.5D/3D 集成等先進封裝技術(shù)的快速發(fā)展，Multi-Die設(shè)計已成為業(yè)界的核心解決方案。但異構(gòu)芯片集成與復(fù)雜互連架構(gòu)，催生了電源完整性（PI）、信號完整性（SI）、熱學(xué)、力學(xué)應(yīng)力等多物理場的強耦合效應(yīng)，傳統(tǒng)單物理域仿真方法已難以滿足多芯片系統(tǒng)驗證的精度與效率要求。隨著新思科技完成對Ansys的整合，其提供的多物理場芯片-封裝-系統(tǒng)（CPS）仿真技術(shù)，可實現(xiàn)Multi-Die設(shè)計的跨域協(xié)同分析，完成電，熱，結(jié)構(gòu)的聯(lián)合仿真。
新思科技芯課程將在年后迎來第五講，也是首期系列課程的收官之作：「Multi-Die設(shè)計中的芯片-封裝-系統(tǒng)協(xié)同多物理場分析」，探討如何基于高精度芯片模型，幫助用戶優(yōu)化多芯片設(shè)計的SIPI/熱/機械可靠性性能。歡迎大家報名參會，也可前往觀看往期課程點播內(nèi)容：
Multi-Die設(shè)計：引爆系統(tǒng)創(chuàng)新的下一場革命
UCle加速高性能Multi-Die設(shè)計
加速創(chuàng)新：異構(gòu)多芯片系統(tǒng)中的數(shù)字設(shè)計實現(xiàn)
業(yè)界領(lǐng)先的新思科技Multi-Die簽核解決方案
2/27 Multi-Die設(shè)計中的芯片-封裝-系統(tǒng)協(xié)同多物理場分析（正在報名中）
時間：2 月27日（星期五），14:00–15:00
地點：線上直播
講師簡介：
褚正浩 | 新思科技EBU ACE總監(jiān)
現(xiàn)任新思科技中國電磁產(chǎn)品技術(shù)支持總監(jiān)，專注為客戶規(guī)劃電磁產(chǎn)品，構(gòu)建芯片＋封裝+系統(tǒng)協(xié)同仿真方案及能力。加入新思科技前，任職于 Cadence 北方區(qū)技術(shù)支持，負責(zé)信號完整性、電源完整性及電磁兼容的技術(shù)支持與能力建設(shè)。
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展開 Ansys多物理場平臺提供經(jīng)過驗證的解決方案，可應(yīng)對仿真和管理異構(gòu)2.5D/3D-IC多芯片系統(tǒng)的電源和熱效應(yīng)方面的挑戰(zhàn)
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys? Redhawk-SC Electrothermal?多物理場電源完整性與3D-IC熱完整性平臺均通過認證，可與三星Foundry X-Cube技術(shù)共同用于3D封裝
Ansys? Icepak?被用于驗證RedHawk-SC Electrothermal的預(yù)測準確度
Ansys宣布Ansys RedHawk電源完整性和熱驗證平臺已通過三星Foundry認證，可用于其異構(gòu)多芯片封裝技術(shù)系列。三星與Ansys的合作證明電源和熱管理對于先進的并排（2.5D）和3D集成電路（3D-IC）系統(tǒng)的可靠性和性能的重要性。
3D-IC技術(shù)既能夠使眾多用于高性能計算、智能手機、網(wǎng)絡(luò)、人工智能和圖形處理的領(lǐng)先半導(dǎo)體產(chǎn)品成為可能，也可以幫助企業(yè)在其市場上實現(xiàn)競爭差異化。三星可提供一系列2.5D封裝選項（I-Cube和H-Cube），以及采用X-Cube技術(shù)的3D垂直堆疊。多個芯片的高密度集成帶來了散熱方面的重大挑戰(zhàn)；單個芯片可以消耗超過100W的功率，因此必須通過極為精細的微凸點連接進行布線。
展開 
多芯片封裝模塊的相關(guān)專題、標簽、搜索
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隨著 CoWos、2.5D/3D 集成等先進封裝技術(shù)的快速發(fā)展，Multi-Die設(shè)計已成為業(yè)界的核心解決方案。但異構(gòu)芯片集成與復(fù)雜互連架構(gòu)，催生了電源完整性（PI）、信號完整性（SI）、熱學(xué)、力學(xué)應(yīng)力等多物理場的強耦合效應(yīng)，傳統(tǒng)單物理域仿真方法已難以滿足多芯片系統(tǒng)驗證的精度與效率要求。隨著新思科技完成對Ansys的整合，其提供的多物理場芯片-封裝-系統(tǒng)（CPS）仿真技術(shù)，可實現(xiàn)Multi-Die
隨著 CoWos、2.5D/3D 集成等先進封裝技術(shù)的快速發(fā)展，Multi-Die設(shè)計已成為業(yè)界的核心解決方案。但異構(gòu)芯片集成與復(fù)雜互連架構(gòu)，催生了電源完整性（PI）、信號完整性（SI）、熱學(xué)、力學(xué)應(yīng)力等多物理場的強耦合效應(yīng)，傳統(tǒng)單物理域仿真方法已難以滿足多芯片系統(tǒng)驗證的精度與效率要求。隨著新思科技完成對Ansys的整合，其提供的多物理場芯片-封裝-系統(tǒng)（CPS）仿真技術(shù)，可實現(xiàn)Multi-Die
Ansys多物理場平臺提供經(jīng)過驗證的解決方案，可應(yīng)對仿真和管理異構(gòu)2.5D/3D-IC多芯片系統(tǒng)的電源和熱效應(yīng)方面的挑戰(zhàn)
主要亮點
Ansys? Redhawk-SC?和Ansys?
AEC-Q104AEC-Q104對多芯片模塊的可靠性測試可細分為加速環(huán)境應(yīng)力可靠性、加速壽命模擬可靠性、封裝可靠性、晶圓制程可靠性、電學(xué)參數(shù)驗證、缺陷篩查、包裝完整性試驗，且需要根據(jù)器件所能承受的溫度等級選擇測試條件。需要注意的是，第三方難以獨立完成AEC-Q104的驗證，需要晶圓供應(yīng)商、封測廠配合完成，這更加考驗對認證試驗的整體把控能力。華碧實驗室將根據(jù)客戶的要求，依據(jù)標準對客戶的IC進行評估，
為什么使用壓縮成型模擬?
壓縮成型是將預(yù)填料或聚合物擠壓到預(yù)熱后的模具中，透過熱和壓力使得熔膠成型后直到完全固化的過程。此方法適用于復(fù)雜度較高、高強度和高抗沖擊性的產(chǎn)品。目前壓縮成型模塊支持芯片壓縮成型、嵌入式芯片級封裝(EWLP)、非流動性底部填膠（NFU）和非導(dǎo)電熔膠（NCP）四種類型，并分析壓縮力對于堆棧式芯片及基板上的影響。而此制程方式主要優(yōu)點是可以批量生產(chǎn)芯片和降低成本。
挑戰(zhàn)
3D 平面結(jié)構(gòu)的 MoM 離散化
電磁仿真應(yīng)用 4 - 多芯片模塊
多芯片模塊封裝是現(xiàn)代電子和微電子系統(tǒng)的一個重要方面。商用無線、航空航天與國防行業(yè)正在從單封裝單片微波集成電路（MMIC）迅速轉(zhuǎn)移到多芯片模塊中的更大、更復(fù)雜的 IC。無線器件需要進一步減小尺寸，這一趨勢推動行業(yè)采用不會影響性能的緊湊封裝。
碳化硅MOSFET
碳化硅MOSFET具有正向?qū)娮璧汀㈤_關(guān)速度快、驅(qū)動電路筒單等優(yōu)點。碳化硅MOSFET的漂移區(qū)相對較薄，它的正向?qū)娮璧停瑢?dǎo)通損耗也小。由于正向電阻小,所以相較于傳統(tǒng)硅IGBT，在相同的耐壓和導(dǎo)流能力條件下碳化硅MOSFET
TSMC幫助實現(xiàn)ANSYS面向InFO參考流程的解決方案，以打造可靠的電子產(chǎn)品
2016年9月22日，匹茲堡訊——隨著智能互聯(lián)電子產(chǎn)品如雨后春筍般涌現(xiàn)，移動設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)、汽車、工業(yè)自動化和醫(yī)療應(yīng)用的制造商需要以更低成本設(shè)計高性能的可靠產(chǎn)品。為滿足這些日益增長的需求，ANSYS和TSMC正通力合作，以改進并交付支持TSMC晶圓級集成型InFO封裝技術(shù)的、最綜合全面的設(shè)計解決方案套件。
通過ANSYS
