封裝結(jié)構(gòu)建模
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2022-06-24
封裝結(jié)構(gòu)建模的視頻教程
PCB/封裝建模：增強(qiáng)單元進(jìn)一步提高電子產(chǎn)品結(jié)構(gòu)可靠性仿真精度
在電子產(chǎn)品仿真中，PCB/封裝結(jié)構(gòu)的建模準(zhǔn)確性一直是影響仿真速度和精度的關(guān)鍵因素。Ansys 一直致力于該功能研發(fā)，例如Trace mapping局部材料等效方法，可以快速高效地對(duì)PCB/封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行等效建模。而Ansys 增強(qiáng)單元?jiǎng)t進(jìn)一步提升PCB/封裝結(jié)構(gòu)建模的準(zhǔn)確性，從而提高電子產(chǎn)品結(jié)構(gòu)可靠性仿真精度。 講師簡(jiǎn)介： 徐志敏 Ansys結(jié)構(gòu)高級(jí)應(yīng)用工程師。
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HFSS-PI實(shí)現(xiàn)芯片封裝電源網(wǎng)絡(luò)高效精準(zhǔn)建模
適用人群：芯片、封裝、PCB等關(guān)心電源完整性的所有的電子產(chǎn)品相關(guān)公司 HFSS-PI實(shí)現(xiàn)芯片封裝電源網(wǎng)絡(luò)高效精準(zhǔn)建模 【已結(jié)束】 直播時(shí)間：2019-10-29 20:00 隨著芯片封裝小型化及低電壓大電流的需求，PCB和封裝的噪聲容限越來(lái)越小，供電系統(tǒng)要求更加嚴(yán)格的設(shè)計(jì)，芯片、封裝、系統(tǒng)的電源完整性仿真分析已經(jīng)成為評(píng)估供電系統(tǒng)好壞的必要手段
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新能源汽車電池/儲(chǔ)能熱管理結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)階到高階-十大專題50個(gè)技術(shù)點(diǎn)掌握熱結(jié)構(gòu)建模核心能力
第五章，尺寸鏈應(yīng)用，尺寸鏈?zhǔn)菣C(jī)械設(shè)計(jì)中很重要的使用工具，我們熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)也會(huì)用的到，課程從尺寸鏈介紹和尺寸鏈在熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中多種應(yīng)用來(lái)向大家講解，合理的使用尺寸鏈這個(gè)工具，能大大的減少設(shè)計(jì)偏差以及試制風(fēng)險(xiǎn)，尺寸鏈設(shè)計(jì)不當(dāng)容易導(dǎo)致熱性能無(wú)法發(fā)揮出該有的功能，甚至導(dǎo)致嚴(yán)重的安全事故，掌握尺寸鏈在熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用還是非要有必要的。
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封裝結(jié)構(gòu)建模的實(shí)例教程
在電子產(chǎn)品仿真中，PCB/封裝結(jié)構(gòu)的建模準(zhǔn)確性一直是影響仿真速度和精度的關(guān)鍵因素。
Ansys 一直致力于該功能研發(fā)，例如 Trace mapping 局部材料等效方法，可以快速高效地對(duì)PCB/封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行等效建模。
而Ansys 增強(qiáng)單元?jiǎng)t進(jìn)一步提升PCB/封裝結(jié)構(gòu)建模的準(zhǔn)確性，從而提高電子產(chǎn)品結(jié)構(gòu)可靠性仿真精度。
華北電力大學(xué)新能源電力系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
原位 | DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.230136
摘要：半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝 形式。當(dāng)前功率器件的設(shè)計(jì)和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化、多功能化 和體積緊湊化的發(fā)展趨勢(shì)。為實(shí)現(xiàn)封裝器件低電感設(shè)計(jì)，器件封裝結(jié)構(gòu)更加緊湊，而芯片電壓等級(jí)和封裝模塊的功率密度持續(xù)提高，給封裝絕緣和器件散熱帶來(lái)挑戰(zhàn)。在有限的封 裝空間內(nèi)，如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度，已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮的重要問(wèn)題之一。本文聚焦于功率器件封裝結(jié)構(gòu)的散熱方面，針對(duì)功率半導(dǎo)體器件在散熱路徑方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行歸納總結(jié)。通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)外 功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的綜述，梳理了功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過(guò)程中在散熱方面的考慮及封裝散熱特點(diǎn)，并根據(jù)功率器 件散熱特點(diǎn)對(duì)功率器件封裝結(jié)構(gòu)類型進(jìn)行了分類。最后，基于降低封裝結(jié)構(gòu)散熱熱阻、提高器件散熱能力的目的，從高導(dǎo)熱封裝材料和連接工藝、芯片面接觸連接、增加散熱路徑 以及縮短散熱路程四個(gè)方面對(duì)功率器件封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在散熱方面未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。
展開 基于以上模型對(duì)封裝結(jié)構(gòu)的傳熱性能進(jìn)行穩(wěn)態(tài)分析，通過(guò)對(duì)不同封裝材料的功率模塊進(jìn)行瞬態(tài)分析得出模型應(yīng)使用的較佳材料，最終研究了燒結(jié)銀焊層厚度對(duì)功率模塊結(jié)溫的影響，為 SiC 雙面散熱功率模塊的設(shè)計(jì)提供了參考。
一、 引言
近年來(lái)，以碳化硅（Silicon Carbide, SiC）器件為代表的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù)在電動(dòng)/混動(dòng)汽車、新能源發(fā)電、5G 通信裝備以及航空航天等微系統(tǒng)封裝集成應(yīng)用方面呈現(xiàn) 出巨大的潛在應(yīng)用價(jià)值和前景。發(fā)展針對(duì) SiC 器件工作特點(diǎn)的模塊封裝技術(shù)已經(jīng)成為電 子封裝領(lǐng)域的重要研究課題和產(chǎn)業(yè)界的迫切需求。
由于各種材料的限制，硅基功率器件在許多方面已經(jīng)達(dá)到其材料的理論極限，目前所存在的功率模塊封裝技術(shù)大部分都是 為硅基功率模塊設(shè)計(jì)，將其直接應(yīng)用于 SiC 功率模塊，會(huì)出現(xiàn)使用頻率、散熱、可靠性等多方面帶來(lái)的新挑戰(zhàn)。本文從熱角度分析 SiC 技術(shù)設(shè)計(jì)方案的關(guān)鍵影響因素，這為發(fā)展針對(duì) SiC 器件工作特點(diǎn)的高可靠互連封裝技術(shù)提供參考依據(jù)。
展開 封裝結(jié)構(gòu)的熱力可靠性方案
Influence of flip-chip attachment process on IC
Moisture Diffusion\Moisture Stress
Thermal Cycling\Thermal Stresses
Solder Joint Reliability
Shock Analysis
Drop Test
Crack Initiation and Crack Growth
Multi-physics Reliability
Warpage Analysis
Model import
Thermal
Stress
Stress and Strain Analysis of Solderball
Additional Solution for the fatigue performance of solderball
3DIC熱力設(shè)計(jì)解決方案
深圳市優(yōu)飛迪科技有限公司成立于2010年，是一家專注于產(chǎn)品開發(fā)平臺(tái)解決方案與物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)開發(fā)的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。
展開 隨著封裝結(jié)構(gòu)越來(lái)越小型化，我們?cè)絹?lái)越需要仔細(xì)評(píng)估芯片封裝結(jié)構(gòu)的散熱效應(yīng)，對(duì)于產(chǎn)品可靠性的影響。以及相關(guān)熱應(yīng)力對(duì)于芯片性能的影響。設(shè)計(jì)出合理的散熱封裝結(jié)構(gòu)可以有效的提高產(chǎn)品性能，本文以常見BGA封裝結(jié)構(gòu)為例，采用ANSYS穩(wěn)態(tài)散熱對(duì)封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。雖然模型很簡(jiǎn)單，但是對(duì)于封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)很有幫助。
一、模型
BGA的模型主要有芯片，基板，EMC，焊球，粘結(jié)層等組成，在建模的時(shí)候，我省略了一部分。
二、因主要考慮穩(wěn)態(tài)的散熱問(wèn)題，計(jì)算量不大，因此可以采用全模型進(jìn)行分析。
三、對(duì)以上各層材料都賦予材料參數(shù)，熱導(dǎo)率可由材料供應(yīng)商出獲得；
四、熱源主要為芯片產(chǎn)生的熱，可以根據(jù)功率和芯片面積進(jìn)行換算。本例子中，芯片的熱生產(chǎn)率設(shè)定為0.075w/mm^2;
五、熱對(duì)流換熱系數(shù)設(shè)定為2e-4 w/(mm^2*K)
六、模型外面還會(huì)通過(guò)輻射進(jìn)行散熱，可以設(shè)定底部或者上部材料的黑度值為0.9；
七、環(huán)境溫度設(shè)置為22C；
八、計(jì)算的結(jié)果如下：
可以看出，在該工作功率下，芯片的溫升僅為31C。
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封裝結(jié)構(gòu)建模的相關(guān)專題、標(biāo)簽、搜索
封裝結(jié)構(gòu)建模的最新內(nèi)容
具有折射表面和衍射表面的混合透鏡在不同應(yīng)用中已成為一種很有前途的解決方案。在這里，我們展示了一個(gè)混合目鏡的例子，其中一個(gè)用真實(shí)表面建模的衍射透鏡被用來(lái)糾正色差。利用局部線性光柵近似（LLGA）電磁場(chǎng)求解器處理衍射光柵結(jié)構(gòu)的傳播，并結(jié)合薄透鏡組元近似（TEA）和傅里葉模態(tài)法（FMM）作為基礎(chǔ)局部求解器。內(nèi)部精度準(zhǔn)則控制兩種算法中哪一種使用在哪個(gè)橫向位置。
摘要
還在為了成百上千個(gè)蜂窩單元手動(dòng)建模？
建模 2 小時(shí)，改稿 5 分鐘？Python 腳本報(bào)錯(cuò)無(wú)從下手？
對(duì)于復(fù)雜的蜂窩芯結(jié)構(gòu)，如何實(shí)現(xiàn)高效率、參數(shù)化的自動(dòng)生成與強(qiáng)度分析？
3月25日（周三）晚20:00，【兵哥講力學(xué)】主講直播課正式開啟！
帶你深度拆解蜂窩結(jié)構(gòu)自動(dòng)建模的核心邏輯，用 1 小時(shí)實(shí)現(xiàn)從
ABAQUS三維晶體結(jié)構(gòu)柱狀晶等軸晶建模4個(gè)月前
通過(guò)ABAQUS三維晶體塑性有限元建模，深入揭示柱狀晶微觀結(jié)構(gòu)（如晶粒尺寸、取向）與力學(xué)性能的關(guān)聯(lián)，為鑄造、焊接工藝優(yōu)化提供關(guān)鍵理論依據(jù)，顯著提升材料可靠性與使用壽命。本案例介紹在ABAQUS內(nèi)建立三維晶體結(jié)構(gòu)有限元模型。
柱狀晶體模型采用CAD Voronoi V2.1插件建模，首先建立二維Voronoi模型，并在CAD內(nèi)通過(guò)拉伸命令形成三維柱狀晶體
1.1. 概述
本案例展示了一個(gè)基于 ANSYS APDL 的聯(lián)方型網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)精細(xì)建模與自動(dòng)化分析過(guò)程。模型采用全參數(shù)化建模思路，通過(guò)少量參數(shù)輸入即可自動(dòng)生成可計(jì)算模型，并完成振動(dòng)模態(tài)分析與自動(dòng)出圖。該模型適用于快速建立空間網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)、進(jìn)行振型特性分析等多種場(chǎng)景。
圖1-1 實(shí)際圖1
本案例展示了一個(gè)基于 ANSYS APDL 的肋環(huán)型網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)精細(xì)建模與分析過(guò)程。模型采用純參數(shù)化方式定義，通過(guò)輸入少量幾何參數(shù)即可自動(dòng)生成可計(jì)算模型，并支持自動(dòng)出圖功能。案例適用于從事空間結(jié)構(gòu)建模、穩(wěn)定性分析以及二次開發(fā)研究的工程技術(shù)人員與科研人員。
模型的核心特點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)了幾何參數(shù)與單元類型的高度可控化，能夠根據(jù)用戶輸入的矢高、環(huán)數(shù)、徑數(shù)自動(dòng)生成肋環(huán)型網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的有限元模型
ABAQUS多孔結(jié)構(gòu)建模2D7個(gè)月前
ABAQUS二維隨機(jī)多孔結(jié)構(gòu)建模，可有效表征孔隙隨機(jī)分布與連通特性，結(jié)合有限元方法精確模擬在復(fù)雜載荷下的力學(xué)響應(yīng)與損傷演化過(guò)程，或進(jìn)行孔隙區(qū)域內(nèi)的流體模擬滲流分析。本案例介紹在ABAQUS內(nèi)建立隨機(jī)分布的多孔結(jié)構(gòu)二維模型。
多孔結(jié)構(gòu)模型采用單連通周期邊界多孔結(jié)構(gòu)2D軟件參數(shù)化生成，模型為png格式的圖片文件。
<h3 class="ql-align-justify">Altair官方線下培訓(xùn)日程公布-3月27日，武漢，SimLab+OptiStruct結(jié)構(gòu)建模與分析基礎(chǔ)培訓(xùn)</h3><p class="ql-align-justify"><strong>線下培訓(xùn)時(shí)間：2025.3.27-3.28（為期兩天）</strong></p><p class="ql-align-justify"><strong>培訓(xùn)地點(diǎn)
多孔結(jié)構(gòu)由于其復(fù)雜的幾何形態(tài)和分布特性，使得其力學(xué)行為難以用傳統(tǒng)方法精確描述。本案例介紹在ABAQUS內(nèi)建立單連通域多孔結(jié)構(gòu)模型，并研究其復(fù)雜結(jié)構(gòu)內(nèi)部的應(yīng)力、應(yīng)變分布以及變形模式。
本案例中多孔結(jié)構(gòu)模型采用AbyssFish單連通域周期邊界多孔結(jié)構(gòu)2D軟件V1.0隨機(jī)生成，模型也可采用照片或掃描圖。
采用
多孔結(jié)構(gòu)由孔隙及固相所組成，在建筑結(jié)構(gòu)、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，多孔材料的力學(xué)性能對(duì)其應(yīng)用場(chǎng)景至關(guān)重要。本案例采用CAD隨機(jī)球體插件專業(yè)版建立三維多孔結(jié)構(gòu)圓柱體模型，并將模型導(dǎo)入到ABAQUS內(nèi)進(jìn)行力學(xué)模擬，分析多孔材料在軸向壓力作用下的破壞特征。
首先采用CAD隨機(jī)球體插件專業(yè)版V1.3在AutoCAD內(nèi)建立多孔結(jié)構(gòu)三維模型，插件可設(shè)置孔隙是否穿過(guò)模型的邊界
本帖子是關(guān)于：整體以梁?jiǎn)卧Y(jié)構(gòu)建模進(jìn)行預(yù)應(yīng)力模態(tài)分析，optistruct求解后查看應(yīng)力結(jié)果，沒有von mises stress、normal/shear stress應(yīng)力信息的原因，以及如何解決這個(gè)問(wèn)題的方法。
前段時(shí)間接觸到桁架橋的結(jié)構(gòu)分析，桿件橫截面主要為BOX和C型槽，C型槽的剪切中心和中性軸不重合，前處理采用梁?jiǎn)卧猚beam建模，單元類型選擇cbar還是cbeam，
